| in Filesystem.php line 122 |
at HandleExceptions->handleError(2, 'file_put_contents(/www/wwwroot/sicc.cc/storage/framework/cache/data/25/2a/252a25667dc7c65fe0e9bf62d474bbab9bab4068): failed to open stream: No such file or directory', '/www/wwwroot/sicc.cc/vendor/laravel/framework/src/Illuminate/Filesystem/Filesystem.php', 122, array('path' => '/www/wwwroot/sicc.cc/storage/framework/cache/data/25/2a/252a25667dc7c65fe0e9bf62d474bbab9bab4068', 'contents' => '9999999999a:37:{i:0;a:26:{s:2:"id";i:1;s:4:"name";s:18:"关于太阳成集团tyc33455cc官网";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:5:"about";s:4:"path";s:0:"";s:4:"p_id";i:0;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:5:"about";s:15:"detail_template";s:5:"about";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/4bbDY17rax9pOSjFELW9QPNIzLbOwaUQWScrfcMY.jpeg";s:7:"summary";s:8:"About us";s:14:"detail_content";s:0:"";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:11;s:10:"created_at";s:10:"1641453110";s:10:"updated_at";s:10:"1785754970";s:16:"background_image";s:58:"/upload/image/lviNyPW1twAt5a1kUEqPE3ft8npVCm1BrgBoiajW.png";s:4:"href";s:11:"/about.html";s:5:"title";s:18:"关于太阳成集团tyc33455cc官网";}i:1;a:26:{s:2:"id";i:2;s:4:"name";s:6:"概况";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:6:"about1";s:4:"path";s:3:",1,";s:4:"p_id";i:1;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:6:"about1";s:15:"detail_template";s:6:"about1";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:58:"/upload/image/it4DS9XStSkNbeFcqI92ITdii0IKPSDHxQPT5knV.png";s:7:"summary";s:10:"About SICC";s:14:"detail_content";s:1502:" 太阳成集团tyc33455cc官网 太阳成集团tyc33455cc官网（SICC）成立于2010年，是世界碳化硅衬底行业领军企业。已于2022年、2025年先后登陆上交所科创板和香港交易所主板上市，成为两市首家且唯一实现"A+H"上市的碳化硅衬底公司。 公司秉承“先进·品质·持续”的经营理念，自成立以来，承担多项国家级研发与产业化项目，荣获2025年国际半导体行业电子材料部门金奖、国家科技进步一等奖、山东省技术发明一等奖、山东省科技进步特等奖、国家级单项冠军和国家级专精特新小巨人等国际及国家级荣誉。 作为“国家知识产权示范企业”，太阳成集团tyc33455cc官网已拥有全球前五碳化硅衬底领域知识产权数量。目前，已实现世界最大尺寸12英寸碳化硅衬底的全球首发，并在业内率先实现高品质8英寸碳化硅衬底的大规模交付，于2025年实现碳化硅衬底产品市场占有率全球第一。 太阳成集团tyc33455cc官网依托持续精进的产品品质、多元规格尺寸、优异材料性能、规模化产能保障与全周期专业服务，多维度引领行业发展，矢志打造全球领先的先进材料研发创新与智能制造平台。 ";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1641453154";s:10:"updated_at";s:10:"1785754738";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/E22KpLq1KzMyJvl0pWb27iZtomNE6o6FfEJNTTDi.jpeg";s:4:"href";s:12:"/about1.html";s:5:"title";s:6:"概况";}i:2;a:26:{s:2:"id";i:14;s:4:"name";s:12:"产品咨询";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:4:"cpzx";s:4:"path";s:4:",12,";s:4:"p_id";i:12;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:4:"cpzx";s:15:"detail_template";s:7:"contact";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/bZkz4zpbFnLNjTTxwlvL9xX0M3dgCmi7j0H25axJ.jpeg";s:7:"summary";s:20:"Product consultation";s:14:"detail_content";s:420:" 产品咨询联系人：销售部
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目前公司的6&8英寸产品稳定交付全球量产级客户,同时具备12英寸衬底产品的生产能力。 基本信息 6英寸 - 直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
- 表面取向 4°偏向±0.5°
- 主参考边长度 47.5 mm ±1.5 mm
- 主参考面取向 ±1.0°
- Notch取向 /
- Notch角度 /
- Notch深度 /
- 副参考边 无
- 厚度 350.0um士25.0um
- 晶型 4H
- 导电类型 n-type
基本信息 8英寸 - 直径 200.0mm+0mm/-0.5mm
- 表面取向 4°偏向±0.5°
- 主参考边长度 Notch
- 主参考面取向 /
- Notch取向 ±1°
- Notch角度 90°+5°/-1°
- Notch深度 距边1mm+0.25mm/-0mm
- 副参考边 无
- 厚度 350/500.0um士25.0um
- 晶型 4H
- 导电类型 n-type
基本信息 12英寸 - 直径 300.0mm+0mm/-0.5mm
- 表面取向 4°偏向±0.5°
- 主参考边 Notch
- 副参考边 None
- Notch取向 ±5°
- Notch角度 90°+5°/-1°
- Notch深度 距边1mm+0.25mm/-0mm
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- 晶型 4H
- 导电类型 n-type
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和传统材料相比，碳化硅具有优异的物理性能，可以帮助分立器件以及模块、甚至是整机系统减小体积和重量，提高效率。 SiC Si（silicon）+C（carbon）=SiC 碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。 是一种极具发展潜力的半导体材料，同时也属高硬脆性材料。制备工艺复杂，加工难度大。 SiC的特点 优异的物理性能 禁带宽度（耐高温） 1高临界击穿电场（耐高压） 2高热导率（散热性） 3饱和电子漂移速率（高开关速度） 4 | | 4H-SiC | Si | GaAs | GaN | | 禁带宽度（eV）1 | 3.26 | 1.12 | 1.42 | 3.42 | | 临界击穿场强（MV/cm）2 | 2.8 | 0.3 | 0.4 | 3 | | 热导率（W/cmK）3 | 4.9 | 1.5 | 0.46 | 1.3 | | 饱和电子漂移速率（1E7 cm/s）4 | 2.7 | 1 | 2 | 2.7 | 1.更大的禁带宽度，可以保证材料在高温下，电子不易发生跃迁，本征激发弱，从而可以耐受更高的工作温度。
碳化硅的禁带宽度是硅的约3倍，理论工作温度可达400℃以上。
2.临界击穿场强指材料发生电击穿的电场强度，一旦超过该数值，材料将失去绝缘性能，进而决定了材料的耐压性能。
碳化硅的临界击穿场强是硅的约10倍，能够耐受更高的电压，更适用于高电压器件。
3.高温是影响器件寿命的主要原因之一，热导率代表了材料的导热能力，碳化硅的高热导率可以有效传导热量，降低器件温度，维持其正常工作。
4.饱和电子漂移速率指电子在半导体材料中的最大定向移动速度，该数值的高低决定了器件的开关频率。
碳化硅的饱和电子漂移速率是硅的两倍，有助于提高工作频率，将器件小型化。 碳化硅应用场景 电力电子 碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响。 主要应用领域有电动汽车、充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。 微波通讯 碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施为主。 碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。 ";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1641518302";s:10:"updated_at";s:10:"1668399788";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/oovz9TcKdN2WiFtn2MlS0sS5zVn8nPL40oy7N0zU.jpeg";s:4:"href";s:14:"/product3.html";s:5:"title";s:18:"什么是碳化硅";}i:6;a:26:{s:2:"id";i:22;s:4:"name";s:12:"公司治理";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:4:"cwxx";s:4:"path";s:4:",10,";s:4:"p_id";i:10;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:7:"control";s:15:"detail_template";s:4:"cwxx";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/xzpsBJuV9mlW1STPwudzpgByebp47qeelW41lmWl.jpeg";s:7:"summary";s:21:"Financial Information";s:14:"detail_content";s:16362:" 董事及高级管理人员 Directors and Senior Management 执行董事 -
宗艳民先生 宗艳民先生，62岁，为本公司的董事长、执行董事兼总经理，于2010年11月2日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 宗先生在半导体材料的技术研发与产业化、工程以及企业管理领域拥有逾35年经验。在本集团成立之前，于2002年10月，宗先生创立了济南天业工程机械有限公司，于2002年10月至2020年10月期间担任该公司的董事长兼总经理，并自2020年10月起担任董事长。 于2010年11月，宗先生创立了本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司，并于2010年11月至2020年11月期间历任董事长、执行董事及总经理。自2020年11月起，宗先生一直担任本公司董事长、董事兼总经理。宗先生是本公司员工持股平台上海麦明及上海铸傲的普通合伙人及执行事务合伙人，目前还在本公司多家子公司担任董事及╱或总经理。 宗先生于1987年7月在中国山东轻工业学院（现称齐鲁工业大学）取得硅酸盐工程专业学士学位。宗先生于2020年3月获山东省工程技术职务资格高级评审委员会认可为正高级工程师。 -
高超先生 高超先生，39岁，为本公司执行董事兼首席技术官。其于2019年8月15日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 高先生于半导体材料技术研发及产业化领域拥有逾十年经验。于2014年7月至2020年11月期间，其先后在本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司担任研发工程师、研发中心主任、董事兼研发中心主任。自2020年11月起，高先生一直担任本公司的董事兼首席技术官。 高先生于2009年6月在中国山东科技大学取得无机非金属材料专业学士学位，并于2014年6月在中国浙江大学取得材料物理与化学专业博士学位。高先生于2018年5月获山东省工程技术职务高级评审委员会认可为正高级工程师。 非执行董事 -
邱宇峰先生 邱宇峰先生，66岁，于2024年2月29日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为非执行董事。邱先生于2020年11月至2021年1月期间担任本公司独立董事。 邱先生在电力及半导体技术研发领域拥有逾30年经验。于1994年6月至1999年11月期间，其先后在中国电力科学研究院电力系统研究所担任继电保护室主任及副所长；于1999年11月至2006年12月期间，其在中国电力科学研究院输配电及节电技术国家工程研究中心担任常务副主任；于2006年12月至2012年2月期间，其在中国电力科学研究院担任副院长。邱先生于2012年2月至2020年2月期间，先后在全球能源互联网研究院有限公司（前称国网智能电网研究院）担任多个职位，包括副院长、院长、顾问及其他职位。邱先生现任厦门大学讲座教授，以及自2022年4月起担任博测锐创半导体科技（苏州）有限公司董事长兼总经理，自2022年5月起担任北京博测半导体科技有限公司执行董事兼总经理，自2023年6月起担任思源电气股份有限公司（一家于深圳证券交易所上市的公司（股票代码：002028））的独立董事，并自2023年9月起担任北京顺德盛企业管理合伙企业（有限合伙）的执行事务合伙人。邱先生未参与本公司及上述公司的日常管理及营运工作。 邱先生为中国电机工程学会会士。其于2018年10月获中国电机工程学会授予中国电力科学技术杰出贡献奖，并于2018年12月获北京科技协作中心认定为首都科技盛典人物。 邱先生于1982年8月在中国华北电力学院（现称华北电力大学）取得电力系统继电保护及自动化专业学士学位，并于2003年10月在中国中欧国际工商学院取得工商管理硕士学位。邱先生于2003年11月获电力工业部京内科研单位高工（提高待遇）评审委员会评定具备正研级高级工程师资格。 -
李婉越女士 李婉越女士，55岁，于2025年2月19日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为非执行董事。 李女士在会计及融资领域拥有30年经验。其于1994年7月至1999年7月期间任职于北京新型建筑材料总厂，离职前为助理会计师。于1999年10月至2020年12月期间，李女士先后在北新建材（集团）有限公司担任多个职位，包括财务部会计、财务部经理及其他职位。自2022年12月起，其一直担任中建材联合投资有限公司的总会计师，并自2023年7月至今，兼任中建材私募基金管理（北京）有限公司财务负责人。 李女士于1994年7月获得中国北京农学院农业经济管理学士学位，并于2005年6月获得中国人民大学会计学硕士学位。李女士于2005年12月获中国建筑材料集团公司（现称中国建材集团有限公司）评定具备高级会计师资格。 独立非执行董事 职工代表董事 -
王俊国先生 王俊国先生，48岁，于2025年7月2日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为执行董事，于上市后生效。王先生于2025年10月30日获委任为职工代表董事。 王先生在财务管理领域拥有丰富经验。王先生曾于2016年8月至2020年11月担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司的财务总监，并自2020年11月至2024年8月出任本公司财务总监及财务业务合伙人，自2024年8月起担任本公司证券事务代表，且自2025年6月起兼任本公司联席公司秘书。王先生于2025年7月2日至2025年10月30日期间获委任为本公司执行董事。王先生现任上海太阳成集团tyc33455cc半导体材料有限公司及上海越联峰科技有限公司的财务负责人。王先生于1996年8月开启职业生涯，在加入本公司及其子公司（「本集团」）前，曾先后任职于济南恒舜制衣有限公司、济南伊科金属制品有限公司及山东九天贡阿胶制品有限公司。 王先生于2001年12月透过远距教育方式毕业于中国山东省山东经济学院（现为山东财经大学），取得会计专业学位；并于2019年1月透过网络教育方式毕业于中国山东省中国石油大学（华东），取得会计专业学位。王先生于2003年9月获中华人民共和国财政部授予中级会计师资格。 高级管理层 ";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1641522598";s:10:"updated_at";s:10:"1778479341";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/YrGOtTL3sd4vY0Zq4rDmtDJLzzRoyPQ2YwMj9vjH.jpeg";s:4:"href";s:10:"/cwxx.html";s:5:"title";s:12:"公司治理";}i:7;a:26:{s:2:"id";i:78;s:4:"name";s:12:"企业动态";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:4:"news";s:4:"path";s:3:",3,";s:4:"p_id";i:3;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:7:"listnew";s:15:"detail_template";s:4:"news";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:7:"summary";s:4:"News";s:14:"detail_content";s:0:"";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:12;s:10:"created_at";s:10:"1658815596";s:10:"updated_at";s:10:"1666074153";s:16:"background_image";s:0:"";s:4:"href";s:10:"/news.html";s:5:"title";s:12:"企业动态";}i:8;a:26:{s:2:"id";i:89;s:4:"name";s:10:"A股公告";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:5:"dzgga";s:4:"path";s:7:",10,23,";s:4:"p_id";i:23;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:4:"dzgg";s:15:"detail_template";s:4:"dzgg";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:7:"summary";s:0:"";s:14:"detail_content";s:0:"";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1751947525";s:10:"updated_at";s:10:"1751954515";s:16:"background_image";s:0:"";s:4:"href";s:11:"/dzgga.html";s:5:"title";s:10:"A股公告";}i:9;a:26:{s:2:"id";i:92;s:4:"name";s:16:"A股定期报告";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:8:"regulara";s:4:"path";s:7:",10,91,";s:4:"p_id";i:91;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:7:"regular";s:15:"detail_template";s:7:"regular";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:7:"summary";s:0:"";s:14:"detail_content";s:0:"";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1751947695";s:10:"updated_at";s:10:"1751954418";s:16:"background_image";s:0:"";s:4:"href";s:14:"/regulara.html";s:5:"title";s:16:"A股定期报告";}i:10;a:26:{s:2:"id";i:104;s:4:"name";s:31:"2024年企业社会责任报告";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:10:"qyshzr2024";s:4:"path";s:4:",11,";s:4:"p_id";i:11;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:6:"qyshzr";s:15:"detail_template";s:6:"qyshzr";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:7:"summary";s:0:"";s:14:"detail_content";s:208:"  ";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1778313304";s:10:"updated_at";s:10:"1779091346";s:16:"background_image";s:0:"";s:4:"href";s:16:"/qyshzr2024.html";s:5:"title";s:31:"2024年企业社会责任报告";}i:11;a:26:{s:2:"id";i:4;s:4:"name";s:12:"产品信息";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:7:"product";s:4:"path";s:0:"";s:4:"p_id";i:0;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"product";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:7:"product";s:15:"detail_template";s:7:"product";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/C1VVdLX2bcKhUPhNpuekTAjxSKOrkD1PFLWaXXA6.jpeg";s:7:"summary";s:7:"Product";s:14:"detail_content";s:0:"";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:1;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1641454085";s:10:"updated_at";s:10:"1668137608";s:16:"background_image";s:0:"";s:4:"href";s:13:"/product.html";s:5:"title";s:12:"产品信息";}i:12;a:26:{s:2:"id";i:5;s:4:"name";s:12:"企业使命";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:4:"qysm";s:4:"path";s:3:",1,";s:4:"p_id";i:1;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:4:"qysm";s:15:"detail_template";s:4:"qysm";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/uJfqAsuITfp7qERwEIhErDIAlcJNAN7WFeHCLlC9.jpeg";s:7:"summary";s:18:"Enterprise Mission";s:14:"detail_content";s:132:"为客户创造最大价值
为股东提供更大回报
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为社会创造最大财富";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:1;s:8:"listsize";i:12;s:10:"created_at";s:10:"1641454975";s:10:"updated_at";s:10:"1748940904";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/viEdey6Vd6ICLLZspEUTSPGVw6jvYWWG9m0mkTt3.jpeg";s:4:"href";s:10:"/qysm.html";s:5:"title";s:12:"企业使命";}i:13;a:26:{s:2:"id";i:17;s:4:"name";s:12:"社会招聘";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:5:"shjob";s:4:"path";s:4:",15,";s:4:"p_id";i:15;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:5:"shjob";s:15:"detail_template";s:5:"shjob";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/fNgKkSa8vwWJLj1DC04EEkwDHRDXt1ude6lMtfE3.jpeg";s:7:"summary";s:10:"Recruiting";s:14:"detail_content";s:21:"网页内容更新中";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:1;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1641456610";s:10:"updated_at";s:10:"1645523703";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/JdtJuL1VHkZx7yve5aOxi8352Dm6hTPORVHHPZK4.jpeg";s:4:"href";s:11:"/shjob.html";s:5:"title";s:12:"社会招聘";}i:14;a:26:{s:2:"id";i:19;s:4:"name";s:27:"半绝缘型碳化硅衬底";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:8:"product2";s:4:"path";s:3:",4,";s:4:"p_id";i:4;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"product";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:8:"product2";s:15:"detail_template";s:8:"product2";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/5uJW6M0D71wkxUhwlaERa91GtfL52yEP5S8NATAw.jpeg";s:7:"summary";s:0:"";s:14:"detail_content";s:4932:" 半绝缘型SiC衬底具有较高的电阻率,常用于氮化镓异质外延、以HEMT为代表的射频器件兼备了碳化硅
良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势,广泛应用于5G基站等新一代通信领域。
半绝缘型碳化硅衬底材料还具备优良的光学性能,12英寸衬底在AR眼镜等光学和穿戴电子领域有着广阔的应用前景。 基本信息 6英寸 - 直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
- 表面取向 {0001}±0.2°
- 主参考面取向 /
- 副参考面取向 /
- 主参考边长度 Notch
- 副参考边长度 无参考副边
- Notch边取向 <1100>±1.0°
- Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm
- Notch边角度 90°+5°/-1°
- 厚度 500.0um士25.0um
- 导电类型 半绝缘
基本信息 8英寸 - 直径 200.0mm+0mm/-0.5mm
- 表面取向 {0001}±0.2°
- 主参考面取向 /
- 副参考面取向 /
- 主参考边长度 Notch
- 副参考边长度 无参考副边
- Notch边取向 <1100>±1.0°
- Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm
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- 导电类型 半绝缘
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- 表面取向 {0001}±0.5°
- 主参考面取向 /
- 副参考面取向 /
- 主参考边长度 Notch
- 副参考边长度 无参考副边
- Notch边取向 <1100>±5.0°
- Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm
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- 导电类型 半绝缘
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太阳成集团tyc33455cc官网自主掌握了从粉料合成到晶体生长、加工的完整全工艺过程。 1. 粉料合成 Si+C=SiC粉料 Si和C按1:1比例合成SiC多晶颗粒
粉料是晶体生长的原料来源，其粒度、纯度都会直接影响晶体质量
特别是半绝缘衬底的制备过程中，对于粉料的纯度要求极高
（杂质含量低于0.5ppm） 2. 籽晶 晶格稳定 作为晶体生长的基底，为晶体生长提供基础晶格结构
同样也是决定晶体质量的核心原料 3. 晶体生长 Physical Vapor Transport（PVT） 物理气相升华法（简称PVT）
对原料进行加热，通过气相升华和温场控制
使升华的组分在籽晶表面再结晶 4. 切割 衬底加工 将生长出的晶体切成片状
由于碳化硅的硬度仅次于金刚石，属于高硬脆性材料
因此切割过程耗时久，易裂片 5. 研磨·抛光 MP·CMP 研磨抛光是将衬底表面加工至原子级光滑平面
衬底的表面状态，例如表面粗糙度，厚度均匀性都会直接影响外延工艺的质量 6. 清洗·检测 颗粒·杂质控制 用于去除加工过程中残留的颗粒物以及金属杂质
最终检测可以获取衬底表面、面型、晶体质量等全面的质量信息
帮助下游工艺进行追溯
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不同晶体材料之间的结构、性能以及制备方法不尽相同，但其共通特点是晶体中的原子排列规则有序，在三维空间中通过周期性堆垛，组成特定结构的晶格，因此晶体材料的外观通常会呈现出整齐规则的几何形状。 碳化硅单晶衬底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下简称SiC衬底）也是晶体材料的一种，属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势，是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的基础性材料。 SiC的晶体结构 SiC单晶是由Si和C两种元素按照1:1化学计量比组成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。 C原子和Si原子都有4个价电子，可以形成4个共价键，组成SiC基本结构单元——Si-C四面体，Si原子和C原子的配位数都是4，即每个C原子周围都有4个Si原子，每个Si原子周围都有4个C原子。 SiC衬底作为一种晶体材料，也具有原子层周期性堆垛的特性。Si-C双原子层沿着[0001]方向进行堆垛，由于层与层之间的键能差异小，原子层之间容易产生不同的连接方式，这就导致SiC具有较多种类的晶型。常见晶型有2H-SiC、3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC等，其中，按照“ABCB”顺序进行堆垛的结构称为4H晶型。虽然不同晶型的SiC晶体具有相同的化学成分，但是它们的物理性质，特别是禁带宽度、载流子迁移率等特性有较大的差别。其中，4H晶型各方面的性能更适合半导体领域的应用。 生长温度、压力等多种因素都会影响SiC衬底的晶型稳定性，因此想要获得高质量、晶型均一的单晶材料，在制备过程中必须精确控制如生长温度、生长压力、生长速度等多种工艺参数。 SiC制备方法：物理气相升华法（PVT法） 目前SiC晶体的生长方法主要有物理气相传输法(Physical Vapor Transport Method, PVT法)、高温化学气相沉积法(High Temperature Chemical Vapor Deposition, HTCVD法)、液相法(Liquid Phase Method)等。其中，PVT法是已发展较为成熟，更适用于产业化批量生产的方法。 所谓PVT法，是指将SiC籽晶放置在坩埚顶部，将SiC粉料作为原料放置在坩埚底部，在高温低压的密闭环境下，SiC粉料升华，并在温度梯度和浓度差的作用下向上传输至籽晶附近，达到过饱和状态后再结晶的一种方法。该方法可以实现SiC晶体尺寸和特定晶型的可控生长。 然而，使用PVT法生长SiC晶体需要在长时间的生长过程中，始终维持适宜的生长条件，否则会导致晶格紊乱，从而影响晶体的质量。但SiC晶体的生长是在密闭空间内完成的，有效的监控手段少，变量多，因此工艺控制的难度较高。 单一晶型稳定生长的主要机制：台阶流动生长模式（Step Flow Growth） 在PVT法生长SiC晶体的过程中，台阶流动生长模式（Step Flow Growth）被认为是单一晶型稳定生长的主要机制。气化后的Si原子和C原子会优先在kink点位置与晶体表面原子成键，在此处成核生长，从而使得各个台阶平行向前流动。当晶体表面产生台阶宽度远远超过吸附原子的扩散自由程时，大量吸附原子就可能发生团聚，形成的二维岛状生长模式会破坏台阶流动生长模式，导致4H晶型结构信息丢失，从而产生多型缺陷。因此，工艺参数的调节要实现对表面台阶结构的调控，以此抑制多型缺陷的产生，达到获得单一晶型的目的，最终制备出高品质的晶体。 当然，制备高品质的SiC衬底，晶体生长只是第一步，产品最终达到使用要求前，还需要经过切割、研磨、倒角、抛光、清洗、检测等一系列工序。SiC单晶作为一种硬脆材料，对于加工环节的技术要求也很高，各生产环节中产生的损伤都有可能具备一定的遗传性，传递到下一道工序，最终影响产品质量，因此高效加工SiC衬底的技术也备受产业、学术界关注。 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P型碳化硅衬底材料多用于同质外延，制备特高压功率半导体器件，
在以特高压输电为代表的智能电网及轨道交通、工业大功率电源领域广泛应用。 基本信息 6英寸 - 直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
- 表面取向 4°偏向<1120>±0.5°
- 主参考边长度 47.5mm±1.5mm
- 副参考边长度 平行于<1120>±1.0°
- Notch边取向 /
- Notch边深度 /
- Notch边角度 /
- 厚度 350.0um士25.0um
- 导电类型 p-type
基本信息 8英寸 - 直径 200.0mm+0mm/-0.2mm
- 表面取向 4°偏向<1120>±0.5°
- 主参考边长度 Notch
- 副参考边长度 /
- Notch边取向 <1100>±1°
- Notch边深度 1mm+0.25mm/-0mm
- Notch边角度 90°+5°/-1°
- 厚度 350.0um士25.0um
- 导电类型 p-type
基本信息 12英寸 - 直径 300.0mm+0mm/-0.5mm
- 表面取向 4°偏向<1120>±0.5°
- 主参考边长度 Notch
- 副参考边长度 /
- Notch边取向 <1100>±5°
- Notch边深度 1mm+0.25mm/-0mm
- Notch边角度 90°+5°/-1°
- 厚度 750.0um士25.0um
- 导电类型 p-type
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SIC代表公司的主营业务碳化硅衬底，C是“公司”的简称
表明公司是一家专注碳化硅衬底研发与生产的专业碳化硅材料公司
同时，字母的立体切角设计强调晶体元素和立体感
代表公司追求高品质先进性和持续发展的经营理念
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全球首发全产品系列12英寸碳化硅衬底
荣获半导体国际金奖（电子材料领域）
碳化硅衬底材料市场占有率世界第一 2024 全球首推12英寸碳化硅衬底
发布液相法P型碳化硅衬底 2022 登录A股科创板上市(股票代码688234)
具备8英寸衬底生产能力
获评国家知识产权示范企业 2021 评为国家制造业单项冠军示范企业
评为国家专精特新企业
上海工厂开工建设 2019 获国家科学技术进步一等奖
济宁工厂竣工投产 2017 获济南市科技进步一等奖
6英寸导电型衬底产品鉴定验收 2015 济南新工厂竣工投产
4英寸半绝缘型衬底产品鉴定验收 ";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:4;s:8:"listsize";i:50;s:10:"created_at";s:10:"1641455096";s:10:"updated_at";s:10:"1785378281";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/khzxjYJeuVUzwa1HikzksdJaZYgU51SXztF6oeRN.jpeg";s:4:"href";s:10:"/fzlc.html";s:5:"title";s:12:"发展历程";}i:33;a:26:{s:2:"id";i:11;s:4:"name";s:18:"企业社会责任";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:6:"qyshzr";s:4:"path";s:0:"";s:4:"p_id";i:0;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:6:"qyshzr";s:15:"detail_template";s:6:"qyshzr";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/5I6yCMdfxx7hc9qDxywQ2zsio4QmdKorewleeFZD.jpeg";s:7:"summary";s:14:"Sustainability";s:14:"detail_content";s:574:"
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Fax：0531-85978212
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投资者关系联系人：董事会办公室
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目前公司的6&8英寸产品稳定交付全球量产级客户,同时具备12英寸衬底产品的生产能力。 基本信息 6英寸 - 直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
- 表面取向 4°偏向±0.5°
- 主参考边长度 47.5 mm ±1.5 mm
- 主参考面取向 ±1.0°
- Notch取向 /
- Notch角度 /
- Notch深度 /
- 副参考边 无
- 厚度 350.0um士25.0um
- 晶型 4H
- 导电类型 n-type
基本信息 8英寸 - 直径 200.0mm+0mm/-0.5mm
- 表面取向 4°偏向±0.5°
- 主参考边长度 Notch
- 主参考面取向 /
- Notch取向 ±1°
- Notch角度 90°+5°/-1°
- Notch深度 距边1mm+0.25mm/-0mm
- 副参考边 无
- 厚度 350/500.0um士25.0um
- 晶型 4H
- 导电类型 n-type
基本信息 12英寸 - 直径 300.0mm+0mm/-0.5mm
- 表面取向 4°偏向±0.5°
- 主参考边 Notch
- 副参考边 None
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和传统材料相比，碳化硅具有优异的物理性能，可以帮助分立器件以及模块、甚至是整机系统减小体积和重量，提高效率。 SiC Si（silicon）+C（carbon）=SiC 碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。 是一种极具发展潜力的半导体材料，同时也属高硬脆性材料。制备工艺复杂，加工难度大。 SiC的特点 优异的物理性能 禁带宽度（耐高温） 1高临界击穿电场（耐高压） 2高热导率（散热性） 3饱和电子漂移速率（高开关速度） 4 | | 4H-SiC | Si | GaAs | GaN | | 禁带宽度（eV）1 | 3.26 | 1.12 | 1.42 | 3.42 | | 临界击穿场强（MV/cm）2 | 2.8 | 0.3 | 0.4 | 3 | | 热导率（W/cmK）3 | 4.9 | 1.5 | 0.46 | 1.3 | | 饱和电子漂移速率（1E7 cm/s）4 | 2.7 | 1 | 2 | 2.7 | 1.更大的禁带宽度，可以保证材料在高温下，电子不易发生跃迁，本征激发弱，从而可以耐受更高的工作温度。
碳化硅的禁带宽度是硅的约3倍，理论工作温度可达400℃以上。
2.临界击穿场强指材料发生电击穿的电场强度，一旦超过该数值，材料将失去绝缘性能，进而决定了材料的耐压性能。
碳化硅的临界击穿场强是硅的约10倍，能够耐受更高的电压，更适用于高电压器件。
3.高温是影响器件寿命的主要原因之一，热导率代表了材料的导热能力，碳化硅的高热导率可以有效传导热量，降低器件温度，维持其正常工作。
4.饱和电子漂移速率指电子在半导体材料中的最大定向移动速度，该数值的高低决定了器件的开关频率。
碳化硅的饱和电子漂移速率是硅的两倍，有助于提高工作频率，将器件小型化。 碳化硅应用场景 电力电子 碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响。 主要应用领域有电动汽车、充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。 微波通讯 碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施为主。 碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。 ";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1641518302";s:10:"updated_at";s:10:"1668399788";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/oovz9TcKdN2WiFtn2MlS0sS5zVn8nPL40oy7N0zU.jpeg";s:4:"href";s:14:"/product3.html";s:5:"title";s:18:"什么是碳化硅";}i:6;a:26:{s:2:"id";i:22;s:4:"name";s:12:"公司治理";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:4:"cwxx";s:4:"path";s:4:",10,";s:4:"p_id";i:10;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:7:"control";s:15:"detail_template";s:4:"cwxx";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/xzpsBJuV9mlW1STPwudzpgByebp47qeelW41lmWl.jpeg";s:7:"summary";s:21:"Financial Information";s:14:"detail_content";s:16362:" 董事及高级管理人员 Directors and Senior Management 执行董事 -
宗艳民先生 宗艳民先生，62岁，为本公司的董事长、执行董事兼总经理，于2010年11月2日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 宗先生在半导体材料的技术研发与产业化、工程以及企业管理领域拥有逾35年经验。在本集团成立之前，于2002年10月，宗先生创立了济南天业工程机械有限公司，于2002年10月至2020年10月期间担任该公司的董事长兼总经理，并自2020年10月起担任董事长。 于2010年11月，宗先生创立了本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司，并于2010年11月至2020年11月期间历任董事长、执行董事及总经理。自2020年11月起，宗先生一直担任本公司董事长、董事兼总经理。宗先生是本公司员工持股平台上海麦明及上海铸傲的普通合伙人及执行事务合伙人，目前还在本公司多家子公司担任董事及╱或总经理。 宗先生于1987年7月在中国山东轻工业学院（现称齐鲁工业大学）取得硅酸盐工程专业学士学位。宗先生于2020年3月获山东省工程技术职务资格高级评审委员会认可为正高级工程师。 -
高超先生 高超先生，39岁，为本公司执行董事兼首席技术官。其于2019年8月15日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 高先生于半导体材料技术研发及产业化领域拥有逾十年经验。于2014年7月至2020年11月期间，其先后在本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司担任研发工程师、研发中心主任、董事兼研发中心主任。自2020年11月起，高先生一直担任本公司的董事兼首席技术官。 高先生于2009年6月在中国山东科技大学取得无机非金属材料专业学士学位，并于2014年6月在中国浙江大学取得材料物理与化学专业博士学位。高先生于2018年5月获山东省工程技术职务高级评审委员会认可为正高级工程师。 非执行董事 -
邱宇峰先生 邱宇峰先生，66岁，于2024年2月29日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为非执行董事。邱先生于2020年11月至2021年1月期间担任本公司独立董事。 邱先生在电力及半导体技术研发领域拥有逾30年经验。于1994年6月至1999年11月期间，其先后在中国电力科学研究院电力系统研究所担任继电保护室主任及副所长；于1999年11月至2006年12月期间，其在中国电力科学研究院输配电及节电技术国家工程研究中心担任常务副主任；于2006年12月至2012年2月期间，其在中国电力科学研究院担任副院长。邱先生于2012年2月至2020年2月期间，先后在全球能源互联网研究院有限公司（前称国网智能电网研究院）担任多个职位，包括副院长、院长、顾问及其他职位。邱先生现任厦门大学讲座教授，以及自2022年4月起担任博测锐创半导体科技（苏州）有限公司董事长兼总经理，自2022年5月起担任北京博测半导体科技有限公司执行董事兼总经理，自2023年6月起担任思源电气股份有限公司（一家于深圳证券交易所上市的公司（股票代码：002028））的独立董事，并自2023年9月起担任北京顺德盛企业管理合伙企业（有限合伙）的执行事务合伙人。邱先生未参与本公司及上述公司的日常管理及营运工作。 邱先生为中国电机工程学会会士。其于2018年10月获中国电机工程学会授予中国电力科学技术杰出贡献奖，并于2018年12月获北京科技协作中心认定为首都科技盛典人物。 邱先生于1982年8月在中国华北电力学院（现称华北电力大学）取得电力系统继电保护及自动化专业学士学位，并于2003年10月在中国中欧国际工商学院取得工商管理硕士学位。邱先生于2003年11月获电力工业部京内科研单位高工（提高待遇）评审委员会评定具备正研级高级工程师资格。 -
李婉越女士 李婉越女士，55岁，于2025年2月19日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为非执行董事。 李女士在会计及融资领域拥有30年经验。其于1994年7月至1999年7月期间任职于北京新型建筑材料总厂，离职前为助理会计师。于1999年10月至2020年12月期间，李女士先后在北新建材（集团）有限公司担任多个职位，包括财务部会计、财务部经理及其他职位。自2022年12月起，其一直担任中建材联合投资有限公司的总会计师，并自2023年7月至今，兼任中建材私募基金管理（北京）有限公司财务负责人。 李女士于1994年7月获得中国北京农学院农业经济管理学士学位，并于2005年6月获得中国人民大学会计学硕士学位。李女士于2005年12月获中国建筑材料集团公司（现称中国建材集团有限公司）评定具备高级会计师资格。 独立非执行董事 职工代表董事 -
王俊国先生 王俊国先生，48岁，于2025年7月2日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为执行董事，于上市后生效。王先生于2025年10月30日获委任为职工代表董事。 王先生在财务管理领域拥有丰富经验。王先生曾于2016年8月至2020年11月担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司的财务总监，并自2020年11月至2024年8月出任本公司财务总监及财务业务合伙人，自2024年8月起担任本公司证券事务代表，且自2025年6月起兼任本公司联席公司秘书。王先生于2025年7月2日至2025年10月30日期间获委任为本公司执行董事。王先生现任上海太阳成集团tyc33455cc半导体材料有限公司及上海越联峰科技有限公司的财务负责人。王先生于1996年8月开启职业生涯，在加入本公司及其子公司（「本集团」）前，曾先后任职于济南恒舜制衣有限公司、济南伊科金属制品有限公司及山东九天贡阿胶制品有限公司。 王先生于2001年12月透过远距教育方式毕业于中国山东省山东经济学院（现为山东财经大学），取得会计专业学位；并于2019年1月透过网络教育方式毕业于中国山东省中国石油大学（华东），取得会计专业学位。王先生于2003年9月获中华人民共和国财政部授予中级会计师资格。 高级管理层 ";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1641522598";s:10:"updated_at";s:10:"1778479341";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/YrGOtTL3sd4vY0Zq4rDmtDJLzzRoyPQ2YwMj9vjH.jpeg";s:4:"href";s:10:"/cwxx.html";s:5:"title";s:12:"公司治理";}i:7;a:26:{s:2:"id";i:78;s:4:"name";s:12:"企业动态";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:4:"news";s:4:"path";s:3:",3,";s:4:"p_id";i:3;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:7:"listnew";s:15:"detail_template";s:4:"news";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:7:"summary";s:4:"News";s:14:"detail_content";s:0:"";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:12;s:10:"created_at";s:10:"1658815596";s:10:"updated_at";s:10:"1666074153";s:16:"background_image";s:0:"";s:4:"href";s:10:"/news.html";s:5:"title";s:12:"企业动态";}i:8;a:26:{s:2:"id";i:89;s:4:"name";s:10:"A股公告";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:5:"dzgga";s:4:"path";s:7:",10,23,";s:4:"p_id";i:23;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:4:"dzgg";s:15:"detail_template";s:4:"dzgg";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:7:"summary";s:0:"";s:14:"detail_content";s:0:"";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1751947525";s:10:"updated_at";s:10:"1751954515";s:16:"background_image";s:0:"";s:4:"href";s:11:"/dzgga.html";s:5:"title";s:10:"A股公告";}i:9;a:26:{s:2:"id";i:92;s:4:"name";s:16:"A股定期报告";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:8:"regulara";s:4:"path";s:7:",10,91,";s:4:"p_id";i:91;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:7:"regular";s:15:"detail_template";s:7:"regular";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:7:"summary";s:0:"";s:14:"detail_content";s:0:"";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1751947695";s:10:"updated_at";s:10:"1751954418";s:16:"background_image";s:0:"";s:4:"href";s:14:"/regulara.html";s:5:"title";s:16:"A股定期报告";}i:10;a:26:{s:2:"id";i:104;s:4:"name";s:31:"2024年企业社会责任报告";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:10:"qyshzr2024";s:4:"path";s:4:",11,";s:4:"p_id";i:11;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:6:"qyshzr";s:15:"detail_template";s:6:"qyshzr";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:7:"summary";s:0:"";s:14:"detail_content";s:208:" ";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1778313304";s:10:"updated_at";s:10:"1779091346";s:16:"background_image";s:0:"";s:4:"href";s:16:"/qyshzr2024.html";s:5:"title";s:31:"2024年企业社会责任报告";}i:11;a:26:{s:2:"id";i:4;s:4:"name";s:12:"产品信息";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:7:"product";s:4:"path";s:0:"";s:4:"p_id";i:0;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"product";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:7:"product";s:15:"detail_template";s:7:"product";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/C1VVdLX2bcKhUPhNpuekTAjxSKOrkD1PFLWaXXA6.jpeg";s:7:"summary";s:7:"Product";s:14:"detail_content";s:0:"";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:1;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1641454085";s:10:"updated_at";s:10:"1668137608";s:16:"background_image";s:0:"";s:4:"href";s:13:"/product.html";s:5:"title";s:12:"产品信息";}i:12;a:26:{s:2:"id";i:5;s:4:"name";s:12:"企业使命";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:4:"qysm";s:4:"path";s:3:",1,";s:4:"p_id";i:1;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:4:"qysm";s:15:"detail_template";s:4:"qysm";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/uJfqAsuITfp7qERwEIhErDIAlcJNAN7WFeHCLlC9.jpeg";s:7:"summary";s:18:"Enterprise Mission";s:14:"detail_content";s:132:"为客户创造最大价值
为股东提供更大回报
为员工提供最佳福祉
为社会创造最大财富";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:1;s:8:"listsize";i:12;s:10:"created_at";s:10:"1641454975";s:10:"updated_at";s:10:"1748940904";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/viEdey6Vd6ICLLZspEUTSPGVw6jvYWWG9m0mkTt3.jpeg";s:4:"href";s:10:"/qysm.html";s:5:"title";s:12:"企业使命";}i:13;a:26:{s:2:"id";i:17;s:4:"name";s:12:"社会招聘";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:5:"shjob";s:4:"path";s:4:",15,";s:4:"p_id";i:15;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:5:"shjob";s:15:"detail_template";s:5:"shjob";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/fNgKkSa8vwWJLj1DC04EEkwDHRDXt1ude6lMtfE3.jpeg";s:7:"summary";s:10:"Recruiting";s:14:"detail_content";s:21:"网页内容更新中";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:1;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1641456610";s:10:"updated_at";s:10:"1645523703";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/JdtJuL1VHkZx7yve5aOxi8352Dm6hTPORVHHPZK4.jpeg";s:4:"href";s:11:"/shjob.html";s:5:"title";s:12:"社会招聘";}i:14;a:26:{s:2:"id";i:19;s:4:"name";s:27:"半绝缘型碳化硅衬底";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:8:"product2";s:4:"path";s:3:",4,";s:4:"p_id";i:4;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"product";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:8:"product2";s:15:"detail_template";s:8:"product2";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/5uJW6M0D71wkxUhwlaERa91GtfL52yEP5S8NATAw.jpeg";s:7:"summary";s:0:"";s:14:"detail_content";s:4932:" 半绝缘型SiC衬底具有较高的电阻率,常用于氮化镓异质外延、以HEMT为代表的射频器件兼备了碳化硅
良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势,广泛应用于5G基站等新一代通信领域。
半绝缘型碳化硅衬底材料还具备优良的光学性能,12英寸衬底在AR眼镜等光学和穿戴电子领域有着广阔的应用前景。 基本信息 6英寸 - 直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
- 表面取向 {0001}±0.2°
- 主参考面取向 /
- 副参考面取向 /
- 主参考边长度 Notch
- 副参考边长度 无参考副边
- Notch边取向 <1100>±1.0°
- Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm
- Notch边角度 90°+5°/-1°
- 厚度 500.0um士25.0um
- 导电类型 半绝缘
基本信息 8英寸 - 直径 200.0mm+0mm/-0.5mm
- 表面取向 {0001}±0.2°
- 主参考面取向 /
- 副参考面取向 /
- 主参考边长度 Notch
- 副参考边长度 无参考副边
- Notch边取向 <1100>±1.0°
- Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm
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- 导电类型 半绝缘
基本信息 12英寸 - 直径 300.0mm+0mm/-0.5mm
- 表面取向 {0001}±0.5°
- 主参考面取向 /
- 副参考面取向 /
- 主参考边长度 Notch
- 副参考边长度 无参考副边
- Notch边取向 <1100>±5.0°
- Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm
- Notch边角度 90°+5°/-1°
- 厚度 750.0um士25.0um
- 导电类型 半绝缘
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太阳成集团tyc33455cc官网自主掌握了从粉料合成到晶体生长、加工的完整全工艺过程。 1. 粉料合成 Si+C=SiC粉料 Si和C按1:1比例合成SiC多晶颗粒
粉料是晶体生长的原料来源，其粒度、纯度都会直接影响晶体质量
特别是半绝缘衬底的制备过程中，对于粉料的纯度要求极高
（杂质含量低于0.5ppm） 2. 籽晶 晶格稳定 作为晶体生长的基底，为晶体生长提供基础晶格结构
同样也是决定晶体质量的核心原料 3. 晶体生长 Physical Vapor Transport（PVT） 物理气相升华法（简称PVT）
对原料进行加热，通过气相升华和温场控制
使升华的组分在籽晶表面再结晶 4. 切割 衬底加工 将生长出的晶体切成片状
由于碳化硅的硬度仅次于金刚石，属于高硬脆性材料
因此切割过程耗时久，易裂片 5. 研磨·抛光 MP·CMP 研磨抛光是将衬底表面加工至原子级光滑平面
衬底的表面状态，例如表面粗糙度，厚度均匀性都会直接影响外延工艺的质量 6. 清洗·检测 颗粒·杂质控制 用于去除加工过程中残留的颗粒物以及金属杂质
最终检测可以获取衬底表面、面型、晶体质量等全面的质量信息
帮助下游工艺进行追溯
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不同晶体材料之间的结构、性能以及制备方法不尽相同，但其共通特点是晶体中的原子排列规则有序，在三维空间中通过周期性堆垛，组成特定结构的晶格，因此晶体材料的外观通常会呈现出整齐规则的几何形状。 碳化硅单晶衬底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下简称SiC衬底）也是晶体材料的一种，属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势，是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的基础性材料。 SiC的晶体结构 SiC单晶是由Si和C两种元素按照1:1化学计量比组成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。 C原子和Si原子都有4个价电子，可以形成4个共价键，组成SiC基本结构单元——Si-C四面体，Si原子和C原子的配位数都是4，即每个C原子周围都有4个Si原子，每个Si原子周围都有4个C原子。 SiC衬底作为一种晶体材料，也具有原子层周期性堆垛的特性。Si-C双原子层沿着[0001]方向进行堆垛，由于层与层之间的键能差异小，原子层之间容易产生不同的连接方式，这就导致SiC具有较多种类的晶型。常见晶型有2H-SiC、3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC等，其中，按照“ABCB”顺序进行堆垛的结构称为4H晶型。虽然不同晶型的SiC晶体具有相同的化学成分，但是它们的物理性质，特别是禁带宽度、载流子迁移率等特性有较大的差别。其中，4H晶型各方面的性能更适合半导体领域的应用。 生长温度、压力等多种因素都会影响SiC衬底的晶型稳定性，因此想要获得高质量、晶型均一的单晶材料，在制备过程中必须精确控制如生长温度、生长压力、生长速度等多种工艺参数。 SiC制备方法：物理气相升华法（PVT法） 目前SiC晶体的生长方法主要有物理气相传输法(Physical Vapor Transport Method, PVT法)、高温化学气相沉积法(High Temperature Chemical Vapor Deposition, HTCVD法)、液相法(Liquid Phase Method)等。其中，PVT法是已发展较为成熟，更适用于产业化批量生产的方法。 所谓PVT法，是指将SiC籽晶放置在坩埚顶部，将SiC粉料作为原料放置在坩埚底部，在高温低压的密闭环境下，SiC粉料升华，并在温度梯度和浓度差的作用下向上传输至籽晶附近，达到过饱和状态后再结晶的一种方法。该方法可以实现SiC晶体尺寸和特定晶型的可控生长。 然而，使用PVT法生长SiC晶体需要在长时间的生长过程中，始终维持适宜的生长条件，否则会导致晶格紊乱，从而影响晶体的质量。但SiC晶体的生长是在密闭空间内完成的，有效的监控手段少，变量多，因此工艺控制的难度较高。 单一晶型稳定生长的主要机制：台阶流动生长模式（Step Flow Growth） 在PVT法生长SiC晶体的过程中，台阶流动生长模式（Step Flow Growth）被认为是单一晶型稳定生长的主要机制。气化后的Si原子和C原子会优先在kink点位置与晶体表面原子成键，在此处成核生长，从而使得各个台阶平行向前流动。当晶体表面产生台阶宽度远远超过吸附原子的扩散自由程时，大量吸附原子就可能发生团聚，形成的二维岛状生长模式会破坏台阶流动生长模式，导致4H晶型结构信息丢失，从而产生多型缺陷。因此，工艺参数的调节要实现对表面台阶结构的调控，以此抑制多型缺陷的产生，达到获得单一晶型的目的，最终制备出高品质的晶体。 当然，制备高品质的SiC衬底，晶体生长只是第一步，产品最终达到使用要求前，还需要经过切割、研磨、倒角、抛光、清洗、检测等一系列工序。SiC单晶作为一种硬脆材料，对于加工环节的技术要求也很高，各生产环节中产生的损伤都有可能具备一定的遗传性，传递到下一道工序，最终影响产品质量，因此高效加工SiC衬底的技术也备受产业、学术界关注。 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P型碳化硅衬底材料多用于同质外延，制备特高压功率半导体器件，
在以特高压输电为代表的智能电网及轨道交通、工业大功率电源领域广泛应用。 基本信息 6英寸 - 直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
- 表面取向 4°偏向<1120>±0.5°
- 主参考边长度 47.5mm±1.5mm
- 副参考边长度 平行于<1120>±1.0°
- Notch边取向 /
- Notch边深度 /
- Notch边角度 /
- 厚度 350.0um士25.0um
- 导电类型 p-type
基本信息 8英寸 - 直径 200.0mm+0mm/-0.2mm
- 表面取向 4°偏向<1120>±0.5°
- 主参考边长度 Notch
- 副参考边长度 /
- Notch边取向 <1100>±1°
- Notch边深度 1mm+0.25mm/-0mm
- Notch边角度 90°+5°/-1°
- 厚度 350.0um士25.0um
- 导电类型 p-type
基本信息 12英寸 - 直径 300.0mm+0mm/-0.5mm
- 表面取向 4°偏向<1120>±0.5°
- 主参考边长度 Notch
- 副参考边长度 /
- Notch边取向 <1100>±5°
- Notch边深度 1mm+0.25mm/-0mm
- Notch边角度 90°+5°/-1°
- 厚度 750.0um士25.0um
- 导电类型 p-type
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SIC代表公司的主营业务碳化硅衬底，C是“公司”的简称
表明公司是一家专注碳化硅衬底研发与生产的专业碳化硅材料公司
同时，字母的立体切角设计强调晶体元素和立体感
代表公司追求高品质先进性和持续发展的经营理念
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全球首发全产品系列12英寸碳化硅衬底
荣获半导体国际金奖（电子材料领域）
碳化硅衬底材料市场占有率世界第一 2024 全球首推12英寸碳化硅衬底
发布液相法P型碳化硅衬底 2022 登录A股科创板上市(股票代码688234)
具备8英寸衬底生产能力
获评国家知识产权示范企业 2021 评为国家制造业单项冠军示范企业
评为国家专精特新企业
上海工厂开工建设 2019 获国家科学技术进步一等奖
济宁工厂竣工投产 2017 获济南市科技进步一等奖
6英寸导电型衬底产品鉴定验收 2015 济南新工厂竣工投产
4英寸半绝缘型衬底产品鉴定验收 ";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:4;s:8:"listsize";i:50;s:10:"created_at";s:10:"1641455096";s:10:"updated_at";s:10:"1785378281";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/khzxjYJeuVUzwa1HikzksdJaZYgU51SXztF6oeRN.jpeg";s:4:"href";s:10:"/fzlc.html";s:5:"title";s:12:"发展历程";}i:33;a:26:{s:2:"id";i:11;s:4:"name";s:18:"企业社会责任";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:6:"qyshzr";s:4:"path";s:0:"";s:4:"p_id";i:0;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:6:"qyshzr";s:15:"detail_template";s:6:"qyshzr";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/5I6yCMdfxx7hc9qDxywQ2zsio4QmdKorewleeFZD.jpeg";s:7:"summary";s:14:"Sustainability";s:14:"detail_content";s:574:"
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Fax：0531-85978212
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目前公司的6&8英寸产品稳定交付全球量产级客户,同时具备12英寸衬底产品的生产能力。 基本信息 6英寸 - 直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
- 表面取向 4°偏向±0.5°
- 主参考边长度 47.5 mm ±1.5 mm
- 主参考面取向 ±1.0°
- Notch取向 /
- Notch角度 /
- Notch深度 /
- 副参考边 无
- 厚度 350.0um士25.0um
- 晶型 4H
- 导电类型 n-type
基本信息 8英寸 - 直径 200.0mm+0mm/-0.5mm
- 表面取向 4°偏向±0.5°
- 主参考边长度 Notch
- 主参考面取向 /
- Notch取向 ±1°
- Notch角度 90°+5°/-1°
- Notch深度 距边1mm+0.25mm/-0mm
- 副参考边 无
- 厚度 350/500.0um士25.0um
- 晶型 4H
- 导电类型 n-type
基本信息 12英寸 - 直径 300.0mm+0mm/-0.5mm
- 表面取向 4°偏向±0.5°
- 主参考边 Notch
- 副参考边 None
- Notch取向 ±5°
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和传统材料相比，碳化硅具有优异的物理性能，可以帮助分立器件以及模块、甚至是整机系统减小体积和重量，提高效率。 SiC Si（silicon）+C（carbon）=SiC 碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。 是一种极具发展潜力的半导体材料，同时也属高硬脆性材料。制备工艺复杂，加工难度大。 SiC的特点 优异的物理性能 禁带宽度（耐高温） 1高临界击穿电场（耐高压） 2高热导率（散热性） 3饱和电子漂移速率（高开关速度） 4 | | 4H-SiC | Si | GaAs | GaN | | 禁带宽度（eV）1 | 3.26 | 1.12 | 1.42 | 3.42 | | 临界击穿场强（MV/cm）2 | 2.8 | 0.3 | 0.4 | 3 | | 热导率（W/cmK）3 | 4.9 | 1.5 | 0.46 | 1.3 | | 饱和电子漂移速率（1E7 cm/s）4 | 2.7 | 1 | 2 | 2.7 | 1.更大的禁带宽度，可以保证材料在高温下，电子不易发生跃迁，本征激发弱，从而可以耐受更高的工作温度。
碳化硅的禁带宽度是硅的约3倍，理论工作温度可达400℃以上。
2.临界击穿场强指材料发生电击穿的电场强度，一旦超过该数值，材料将失去绝缘性能，进而决定了材料的耐压性能。
碳化硅的临界击穿场强是硅的约10倍，能够耐受更高的电压，更适用于高电压器件。
3.高温是影响器件寿命的主要原因之一，热导率代表了材料的导热能力，碳化硅的高热导率可以有效传导热量，降低器件温度，维持其正常工作。
4.饱和电子漂移速率指电子在半导体材料中的最大定向移动速度，该数值的高低决定了器件的开关频率。
碳化硅的饱和电子漂移速率是硅的两倍，有助于提高工作频率，将器件小型化。 碳化硅应用场景 电力电子 碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响。 主要应用领域有电动汽车、充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。 微波通讯 碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施为主。 碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。 ";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1641518302";s:10:"updated_at";s:10:"1668399788";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/oovz9TcKdN2WiFtn2MlS0sS5zVn8nPL40oy7N0zU.jpeg";s:4:"href";s:14:"/product3.html";s:5:"title";s:18:"什么是碳化硅";}i:6;a:26:{s:2:"id";i:22;s:4:"name";s:12:"公司治理";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:4:"cwxx";s:4:"path";s:4:",10,";s:4:"p_id";i:10;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:7:"control";s:15:"detail_template";s:4:"cwxx";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/xzpsBJuV9mlW1STPwudzpgByebp47qeelW41lmWl.jpeg";s:7:"summary";s:21:"Financial Information";s:14:"detail_content";s:16362:" 董事及高级管理人员 Directors and Senior Management 执行董事 -
宗艳民先生 宗艳民先生，62岁，为本公司的董事长、执行董事兼总经理，于2010年11月2日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 宗先生在半导体材料的技术研发与产业化、工程以及企业管理领域拥有逾35年经验。在本集团成立之前，于2002年10月，宗先生创立了济南天业工程机械有限公司，于2002年10月至2020年10月期间担任该公司的董事长兼总经理，并自2020年10月起担任董事长。 于2010年11月，宗先生创立了本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司，并于2010年11月至2020年11月期间历任董事长、执行董事及总经理。自2020年11月起，宗先生一直担任本公司董事长、董事兼总经理。宗先生是本公司员工持股平台上海麦明及上海铸傲的普通合伙人及执行事务合伙人，目前还在本公司多家子公司担任董事及╱或总经理。 宗先生于1987年7月在中国山东轻工业学院（现称齐鲁工业大学）取得硅酸盐工程专业学士学位。宗先生于2020年3月获山东省工程技术职务资格高级评审委员会认可为正高级工程师。 -
高超先生 高超先生，39岁，为本公司执行董事兼首席技术官。其于2019年8月15日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 高先生于半导体材料技术研发及产业化领域拥有逾十年经验。于2014年7月至2020年11月期间，其先后在本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司担任研发工程师、研发中心主任、董事兼研发中心主任。自2020年11月起，高先生一直担任本公司的董事兼首席技术官。 高先生于2009年6月在中国山东科技大学取得无机非金属材料专业学士学位，并于2014年6月在中国浙江大学取得材料物理与化学专业博士学位。高先生于2018年5月获山东省工程技术职务高级评审委员会认可为正高级工程师。 非执行董事 -
邱宇峰先生 邱宇峰先生，66岁，于2024年2月29日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为非执行董事。邱先生于2020年11月至2021年1月期间担任本公司独立董事。 邱先生在电力及半导体技术研发领域拥有逾30年经验。于1994年6月至1999年11月期间，其先后在中国电力科学研究院电力系统研究所担任继电保护室主任及副所长；于1999年11月至2006年12月期间，其在中国电力科学研究院输配电及节电技术国家工程研究中心担任常务副主任；于2006年12月至2012年2月期间，其在中国电力科学研究院担任副院长。邱先生于2012年2月至2020年2月期间，先后在全球能源互联网研究院有限公司（前称国网智能电网研究院）担任多个职位，包括副院长、院长、顾问及其他职位。邱先生现任厦门大学讲座教授，以及自2022年4月起担任博测锐创半导体科技（苏州）有限公司董事长兼总经理，自2022年5月起担任北京博测半导体科技有限公司执行董事兼总经理，自2023年6月起担任思源电气股份有限公司（一家于深圳证券交易所上市的公司（股票代码：002028））的独立董事，并自2023年9月起担任北京顺德盛企业管理合伙企业（有限合伙）的执行事务合伙人。邱先生未参与本公司及上述公司的日常管理及营运工作。 邱先生为中国电机工程学会会士。其于2018年10月获中国电机工程学会授予中国电力科学技术杰出贡献奖，并于2018年12月获北京科技协作中心认定为首都科技盛典人物。 邱先生于1982年8月在中国华北电力学院（现称华北电力大学）取得电力系统继电保护及自动化专业学士学位，并于2003年10月在中国中欧国际工商学院取得工商管理硕士学位。邱先生于2003年11月获电力工业部京内科研单位高工（提高待遇）评审委员会评定具备正研级高级工程师资格。 -
李婉越女士 李婉越女士，55岁，于2025年2月19日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为非执行董事。 李女士在会计及融资领域拥有30年经验。其于1994年7月至1999年7月期间任职于北京新型建筑材料总厂，离职前为助理会计师。于1999年10月至2020年12月期间，李女士先后在北新建材（集团）有限公司担任多个职位，包括财务部会计、财务部经理及其他职位。自2022年12月起，其一直担任中建材联合投资有限公司的总会计师，并自2023年7月至今，兼任中建材私募基金管理（北京）有限公司财务负责人。 李女士于1994年7月获得中国北京农学院农业经济管理学士学位，并于2005年6月获得中国人民大学会计学硕士学位。李女士于2005年12月获中国建筑材料集团公司（现称中国建材集团有限公司）评定具备高级会计师资格。 独立非执行董事 职工代表董事 -
王俊国先生 王俊国先生，48岁，于2025年7月2日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为执行董事，于上市后生效。王先生于2025年10月30日获委任为职工代表董事。 王先生在财务管理领域拥有丰富经验。王先生曾于2016年8月至2020年11月担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司的财务总监，并自2020年11月至2024年8月出任本公司财务总监及财务业务合伙人，自2024年8月起担任本公司证券事务代表，且自2025年6月起兼任本公司联席公司秘书。王先生于2025年7月2日至2025年10月30日期间获委任为本公司执行董事。王先生现任上海太阳成集团tyc33455cc半导体材料有限公司及上海越联峰科技有限公司的财务负责人。王先生于1996年8月开启职业生涯，在加入本公司及其子公司（「本集团」）前，曾先后任职于济南恒舜制衣有限公司、济南伊科金属制品有限公司及山东九天贡阿胶制品有限公司。 王先生于2001年12月透过远距教育方式毕业于中国山东省山东经济学院（现为山东财经大学），取得会计专业学位；并于2019年1月透过网络教育方式毕业于中国山东省中国石油大学（华东），取得会计专业学位。王先生于2003年9月获中华人民共和国财政部授予中级会计师资格。 高级管理层 ";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1641522598";s:10:"updated_at";s:10:"1778479341";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/YrGOtTL3sd4vY0Zq4rDmtDJLzzRoyPQ2YwMj9vjH.jpeg";s:4:"href";s:10:"/cwxx.html";s:5:"title";s:12:"公司治理";}i:7;a:26:{s:2:"id";i:78;s:4:"name";s:12:"企业动态";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:4:"news";s:4:"path";s:3:",3,";s:4:"p_id";i:3;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:7:"listnew";s:15:"detail_template";s:4:"news";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:7:"summary";s:4:"News";s:14:"detail_content";s:0:"";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:12;s:10:"created_at";s:10:"1658815596";s:10:"updated_at";s:10:"1666074153";s:16:"background_image";s:0:"";s:4:"href";s:10:"/news.html";s:5:"title";s:12:"企业动态";}i:8;a:26:{s:2:"id";i:89;s:4:"name";s:10:"A股公告";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:5:"dzgga";s:4:"path";s:7:",10,23,";s:4:"p_id";i:23;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:4:"dzgg";s:15:"detail_template";s:4:"dzgg";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:7:"summary";s:0:"";s:14:"detail_content";s:0:"";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1751947525";s:10:"updated_at";s:10:"1751954515";s:16:"background_image";s:0:"";s:4:"href";s:11:"/dzgga.html";s:5:"title";s:10:"A股公告";}i:9;a:26:{s:2:"id";i:92;s:4:"name";s:16:"A股定期报告";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:8:"regulara";s:4:"path";s:7:",10,91,";s:4:"p_id";i:91;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:7:"regular";s:15:"detail_template";s:7:"regular";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:7:"summary";s:0:"";s:14:"detail_content";s:0:"";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1751947695";s:10:"updated_at";s:10:"1751954418";s:16:"background_image";s:0:"";s:4:"href";s:14:"/regulara.html";s:5:"title";s:16:"A股定期报告";}i:10;a:26:{s:2:"id";i:104;s:4:"name";s:31:"2024年企业社会责任报告";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:10:"qyshzr2024";s:4:"path";s:4:",11,";s:4:"p_id";i:11;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:6:"qyshzr";s:15:"detail_template";s:6:"qyshzr";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:7:"summary";s:0:"";s:14:"detail_content";s:208:" ";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:0;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1778313304";s:10:"updated_at";s:10:"1779091346";s:16:"background_image";s:0:"";s:4:"href";s:16:"/qyshzr2024.html";s:5:"title";s:31:"2024年企业社会责任报告";}i:11;a:26:{s:2:"id";i:4;s:4:"name";s:12:"产品信息";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:7:"product";s:4:"path";s:0:"";s:4:"p_id";i:0;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"product";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:7:"product";s:15:"detail_template";s:7:"product";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/C1VVdLX2bcKhUPhNpuekTAjxSKOrkD1PFLWaXXA6.jpeg";s:7:"summary";s:7:"Product";s:14:"detail_content";s:0:"";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:1;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1641454085";s:10:"updated_at";s:10:"1668137608";s:16:"background_image";s:0:"";s:4:"href";s:13:"/product.html";s:5:"title";s:12:"产品信息";}i:12;a:26:{s:2:"id";i:5;s:4:"name";s:12:"企业使命";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:4:"qysm";s:4:"path";s:3:",1,";s:4:"p_id";i:1;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:4:"qysm";s:15:"detail_template";s:4:"qysm";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/uJfqAsuITfp7qERwEIhErDIAlcJNAN7WFeHCLlC9.jpeg";s:7:"summary";s:18:"Enterprise Mission";s:14:"detail_content";s:132:"为客户创造最大价值
为股东提供更大回报
为员工提供最佳福祉
为社会创造最大财富";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:1;s:8:"listsize";i:12;s:10:"created_at";s:10:"1641454975";s:10:"updated_at";s:10:"1748940904";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/viEdey6Vd6ICLLZspEUTSPGVw6jvYWWG9m0mkTt3.jpeg";s:4:"href";s:10:"/qysm.html";s:5:"title";s:12:"企业使命";}i:13;a:26:{s:2:"id";i:17;s:4:"name";s:12:"社会招聘";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:5:"shjob";s:4:"path";s:4:",15,";s:4:"p_id";i:15;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:5:"shjob";s:15:"detail_template";s:5:"shjob";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/fNgKkSa8vwWJLj1DC04EEkwDHRDXt1ude6lMtfE3.jpeg";s:7:"summary";s:10:"Recruiting";s:14:"detail_content";s:21:"网页内容更新中";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:1;s:8:"listsize";i:10;s:10:"created_at";s:10:"1641456610";s:10:"updated_at";s:10:"1645523703";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/JdtJuL1VHkZx7yve5aOxi8352Dm6hTPORVHHPZK4.jpeg";s:4:"href";s:11:"/shjob.html";s:5:"title";s:12:"社会招聘";}i:14;a:26:{s:2:"id";i:19;s:4:"name";s:27:"半绝缘型碳化硅衬底";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:8:"product2";s:4:"path";s:3:",4,";s:4:"p_id";i:4;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"product";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:8:"product2";s:15:"detail_template";s:8:"product2";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/5uJW6M0D71wkxUhwlaERa91GtfL52yEP5S8NATAw.jpeg";s:7:"summary";s:0:"";s:14:"detail_content";s:4932:" 半绝缘型SiC衬底具有较高的电阻率,常用于氮化镓异质外延、以HEMT为代表的射频器件兼备了碳化硅
良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势,广泛应用于5G基站等新一代通信领域。
半绝缘型碳化硅衬底材料还具备优良的光学性能,12英寸衬底在AR眼镜等光学和穿戴电子领域有着广阔的应用前景。 基本信息 6英寸 - 直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
- 表面取向 {0001}±0.2°
- 主参考面取向 /
- 副参考面取向 /
- 主参考边长度 Notch
- 副参考边长度 无参考副边
- Notch边取向 <1100>±1.0°
- Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm
- Notch边角度 90°+5°/-1°
- 厚度 500.0um士25.0um
- 导电类型 半绝缘
基本信息 8英寸 - 直径 200.0mm+0mm/-0.5mm
- 表面取向 {0001}±0.2°
- 主参考面取向 /
- 副参考面取向 /
- 主参考边长度 Notch
- 副参考边长度 无参考副边
- Notch边取向 <1100>±1.0°
- Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm
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- 导电类型 半绝缘
基本信息 12英寸 - 直径 300.0mm+0mm/-0.5mm
- 表面取向 {0001}±0.5°
- 主参考面取向 /
- 副参考面取向 /
- 主参考边长度 Notch
- 副参考边长度 无参考副边
- Notch边取向 <1100>±5.0°
- Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm
- Notch边角度 90°+5°/-1°
- 厚度 750.0um士25.0um
- 导电类型 半绝缘
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太阳成集团tyc33455cc官网自主掌握了从粉料合成到晶体生长、加工的完整全工艺过程。 1. 粉料合成 Si+C=SiC粉料 Si和C按1:1比例合成SiC多晶颗粒
粉料是晶体生长的原料来源，其粒度、纯度都会直接影响晶体质量
特别是半绝缘衬底的制备过程中，对于粉料的纯度要求极高
（杂质含量低于0.5ppm） 2. 籽晶 晶格稳定 作为晶体生长的基底，为晶体生长提供基础晶格结构
同样也是决定晶体质量的核心原料 3. 晶体生长 Physical Vapor Transport（PVT） 物理气相升华法（简称PVT）
对原料进行加热，通过气相升华和温场控制
使升华的组分在籽晶表面再结晶 4. 切割 衬底加工 将生长出的晶体切成片状
由于碳化硅的硬度仅次于金刚石，属于高硬脆性材料
因此切割过程耗时久，易裂片 5. 研磨·抛光 MP·CMP 研磨抛光是将衬底表面加工至原子级光滑平面
衬底的表面状态，例如表面粗糙度，厚度均匀性都会直接影响外延工艺的质量 6. 清洗·检测 颗粒·杂质控制 用于去除加工过程中残留的颗粒物以及金属杂质
最终检测可以获取衬底表面、面型、晶体质量等全面的质量信息
帮助下游工艺进行追溯
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不同晶体材料之间的结构、性能以及制备方法不尽相同，但其共通特点是晶体中的原子排列规则有序，在三维空间中通过周期性堆垛，组成特定结构的晶格，因此晶体材料的外观通常会呈现出整齐规则的几何形状。 碳化硅单晶衬底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下简称SiC衬底）也是晶体材料的一种，属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势，是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的基础性材料。 SiC的晶体结构 SiC单晶是由Si和C两种元素按照1:1化学计量比组成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。 C原子和Si原子都有4个价电子，可以形成4个共价键，组成SiC基本结构单元——Si-C四面体，Si原子和C原子的配位数都是4，即每个C原子周围都有4个Si原子，每个Si原子周围都有4个C原子。 SiC衬底作为一种晶体材料，也具有原子层周期性堆垛的特性。Si-C双原子层沿着[0001]方向进行堆垛，由于层与层之间的键能差异小，原子层之间容易产生不同的连接方式，这就导致SiC具有较多种类的晶型。常见晶型有2H-SiC、3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC等，其中，按照“ABCB”顺序进行堆垛的结构称为4H晶型。虽然不同晶型的SiC晶体具有相同的化学成分，但是它们的物理性质，特别是禁带宽度、载流子迁移率等特性有较大的差别。其中，4H晶型各方面的性能更适合半导体领域的应用。 生长温度、压力等多种因素都会影响SiC衬底的晶型稳定性，因此想要获得高质量、晶型均一的单晶材料，在制备过程中必须精确控制如生长温度、生长压力、生长速度等多种工艺参数。 SiC制备方法：物理气相升华法（PVT法） 目前SiC晶体的生长方法主要有物理气相传输法(Physical Vapor Transport Method, PVT法)、高温化学气相沉积法(High Temperature Chemical Vapor Deposition, HTCVD法)、液相法(Liquid Phase Method)等。其中，PVT法是已发展较为成熟，更适用于产业化批量生产的方法。 所谓PVT法，是指将SiC籽晶放置在坩埚顶部，将SiC粉料作为原料放置在坩埚底部，在高温低压的密闭环境下，SiC粉料升华，并在温度梯度和浓度差的作用下向上传输至籽晶附近，达到过饱和状态后再结晶的一种方法。该方法可以实现SiC晶体尺寸和特定晶型的可控生长。 然而，使用PVT法生长SiC晶体需要在长时间的生长过程中，始终维持适宜的生长条件，否则会导致晶格紊乱，从而影响晶体的质量。但SiC晶体的生长是在密闭空间内完成的，有效的监控手段少，变量多，因此工艺控制的难度较高。 单一晶型稳定生长的主要机制：台阶流动生长模式（Step Flow Growth） 在PVT法生长SiC晶体的过程中，台阶流动生长模式（Step Flow Growth）被认为是单一晶型稳定生长的主要机制。气化后的Si原子和C原子会优先在kink点位置与晶体表面原子成键，在此处成核生长，从而使得各个台阶平行向前流动。当晶体表面产生台阶宽度远远超过吸附原子的扩散自由程时，大量吸附原子就可能发生团聚，形成的二维岛状生长模式会破坏台阶流动生长模式，导致4H晶型结构信息丢失，从而产生多型缺陷。因此，工艺参数的调节要实现对表面台阶结构的调控，以此抑制多型缺陷的产生，达到获得单一晶型的目的，最终制备出高品质的晶体。 当然，制备高品质的SiC衬底，晶体生长只是第一步，产品最终达到使用要求前，还需要经过切割、研磨、倒角、抛光、清洗、检测等一系列工序。SiC单晶作为一种硬脆材料，对于加工环节的技术要求也很高，各生产环节中产生的损伤都有可能具备一定的遗传性，传递到下一道工序，最终影响产品质量，因此高效加工SiC衬底的技术也备受产业、学术界关注。 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P型碳化硅衬底材料多用于同质外延，制备特高压功率半导体器件，
在以特高压输电为代表的智能电网及轨道交通、工业大功率电源领域广泛应用。 基本信息 6英寸 - 直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
- 表面取向 4°偏向<1120>±0.5°
- 主参考边长度 47.5mm±1.5mm
- 副参考边长度 平行于<1120>±1.0°
- Notch边取向 /
- Notch边深度 /
- Notch边角度 /
- 厚度 350.0um士25.0um
- 导电类型 p-type
基本信息 8英寸 - 直径 200.0mm+0mm/-0.2mm
- 表面取向 4°偏向<1120>±0.5°
- 主参考边长度 Notch
- 副参考边长度 /
- Notch边取向 <1100>±1°
- Notch边深度 1mm+0.25mm/-0mm
- Notch边角度 90°+5°/-1°
- 厚度 350.0um士25.0um
- 导电类型 p-type
基本信息 12英寸 - 直径 300.0mm+0mm/-0.5mm
- 表面取向 4°偏向<1120>±0.5°
- 主参考边长度 Notch
- 副参考边长度 /
- Notch边取向 <1100>±5°
- Notch边深度 1mm+0.25mm/-0mm
- Notch边角度 90°+5°/-1°
- 厚度 750.0um士25.0um
- 导电类型 p-type
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SIC代表公司的主营业务碳化硅衬底，C是“公司”的简称
表明公司是一家专注碳化硅衬底研发与生产的专业碳化硅材料公司
同时，字母的立体切角设计强调晶体元素和立体感
代表公司追求高品质先进性和持续发展的经营理念
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全球首发全产品系列12英寸碳化硅衬底
荣获半导体国际金奖（电子材料领域）
碳化硅衬底材料市场占有率世界第一 2024 全球首推12英寸碳化硅衬底
发布液相法P型碳化硅衬底 2022 登录A股科创板上市(股票代码688234)
具备8英寸衬底生产能力
获评国家知识产权示范企业 2021 评为国家制造业单项冠军示范企业
评为国家专精特新企业
上海工厂开工建设 2019 获国家科学技术进步一等奖
济宁工厂竣工投产 2017 获济南市科技进步一等奖
6英寸导电型衬底产品鉴定验收 2015 济南新工厂竣工投产
4英寸半绝缘型衬底产品鉴定验收 ";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:4;s:8:"listsize";i:50;s:10:"created_at";s:10:"1641455096";s:10:"updated_at";s:10:"1785378281";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/khzxjYJeuVUzwa1HikzksdJaZYgU51SXztF6oeRN.jpeg";s:4:"href";s:10:"/fzlc.html";s:5:"title";s:12:"发展历程";}i:33;a:26:{s:2:"id";i:11;s:4:"name";s:18:"企业社会责任";s:3:"lan";s:0:"";s:7:"en_name";s:6:"qyshzr";s:4:"path";s:0:"";s:4:"p_id";i:0;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:6:"qyshzr";s:15:"detail_template";s:6:"qyshzr";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:59:"/upload/image/5I6yCMdfxx7hc9qDxywQ2zsio4QmdKorewleeFZD.jpeg";s:7:"summary";s:14:"Sustainability";s:14:"detail_content";s:574:"
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Fax：0531-85978212
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地址：山东省济南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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地址：山东省济南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
投资者关系联系人：董事会办公室
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地址：山东省济南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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目前公司的6&8英寸产品稳定交付全球量产级客户,同时具备12英寸衬底产品的生产能力。 基本信息 6英寸 - 直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
- 表面取向 4°偏向±0.5°
- 主参考边长度 47.5 mm ±1.5 mm
- 主参考面取向 ±1.0°
- Notch取向 /
- Notch角度 /
- Notch深度 /
- 副参考边 无
- 厚度 350.0um士25.0um
- 晶型 4H
- 导电类型 n-type
基本信息 8英寸 - 直径 200.0mm+0mm/-0.5mm
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- 主参考边长度 Notch
- 主参考面取向 /
- Notch取向 ±1°
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- 晶型 4H
- 导电类型 n-type
基本信息 12英寸 - 直径 300.0mm+0mm/-0.5mm
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和传统材料相比，碳化硅具有优异的物理性能，可以帮助分立器件以及模块、甚至是整机系统减小体积和重量，提高效率。 SiC Si（silicon）+C（carbon）=SiC 碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。 是一种极具发展潜力的半导体材料，同时也属高硬脆性材料。制备工艺复杂，加工难度大。 SiC的特点 优异的物理性能 禁带宽度（耐高温） 1高临界击穿电场（耐高压） 2高热导率（散热性） 3饱和电子漂移速率（高开关速度） 4 | | 4H-SiC | Si | GaAs | GaN | | 禁带宽度（eV）1 | 3.26 | 1.12 | 1.42 | 3.42 | | 临界击穿场强（MV/cm）2 | 2.8 | 0.3 | 0.4 | 3 | | 热导率（W/cmK）3 | 4.9 | 1.5 | 0.46 | 1.3 | | 饱和电子漂移速率（1E7 cm/s）4 | 2.7 | 1 | 2 | 2.7 | 1.更大的禁带宽度，可以保证材料在高温下，电子不易发生跃迁，本征激发弱，从而可以耐受更高的工作温度。
碳化硅的禁带宽度是硅的约3倍，理论工作温度可达400℃以上。
2.临界击穿场强指材料发生电击穿的电场强度，一旦超过该数值，材料将失去绝缘性能，进而决定了材料的耐压性能。
碳化硅的临界击穿场强是硅的约10倍，能够耐受更高的电压，更适用于高电压器件。
3.高温是影响器件寿命的主要原因之一，热导率代表了材料的导热能力，碳化硅的高热导率可以有效传导热量，降低器件温度，维持其正常工作。
4.饱和电子漂移速率指电子在半导体材料中的最大定向移动速度，该数值的高低决定了器件的开关频率。
碳化硅的饱和电子漂移速率是硅的两倍，有助于提高工作频率，将器件小型化。 碳化硅应用场景 电力电子 碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响。 主要应用领域有电动汽车、充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。 微波通讯 碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施为主。 碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。 ', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 10, 'created_at' => '1641518302', 'updated_at' => '1668399788', 'background_image' => '/upload/image/oovz9TcKdN2WiFtn2MlS0sS5zVn8nPL40oy7N0zU.jpeg', 'href' => '/product3.html', 'title' => '什么是碳化硅'), array('id' => 22, 'name' => '公司治理', 'lan' => '', 'en_name' => 'cwxx', 'path' => ',10,', 'p_id' => 10, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'control', 'detail_template' => 'cwxx', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '/upload/image/xzpsBJuV9mlW1STPwudzpgByebp47qeelW41lmWl.jpeg', 'summary' => 'Financial Information', 'detail_content' => ' 董事及高级管理人员 Directors and Senior Management 执行董事 -
宗艳民先生 宗艳民先生，62岁，为本公司的董事长、执行董事兼总经理，于2010年11月2日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 宗先生在半导体材料的技术研发与产业化、工程以及企业管理领域拥有逾35年经验。在本集团成立之前，于2002年10月，宗先生创立了济南天业工程机械有限公司，于2002年10月至2020年10月期间担任该公司的董事长兼总经理，并自2020年10月起担任董事长。 于2010年11月，宗先生创立了本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司，并于2010年11月至2020年11月期间历任董事长、执行董事及总经理。自2020年11月起，宗先生一直担任本公司董事长、董事兼总经理。宗先生是本公司员工持股平台上海麦明及上海铸傲的普通合伙人及执行事务合伙人，目前还在本公司多家子公司担任董事及╱或总经理。 宗先生于1987年7月在中国山东轻工业学院（现称齐鲁工业大学）取得硅酸盐工程专业学士学位。宗先生于2020年3月获山东省工程技术职务资格高级评审委员会认可为正高级工程师。 -
高超先生 高超先生，39岁，为本公司执行董事兼首席技术官。其于2019年8月15日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 高先生于半导体材料技术研发及产业化领域拥有逾十年经验。于2014年7月至2020年11月期间，其先后在本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司担任研发工程师、研发中心主任、董事兼研发中心主任。自2020年11月起，高先生一直担任本公司的董事兼首席技术官。 高先生于2009年6月在中国山东科技大学取得无机非金属材料专业学士学位，并于2014年6月在中国浙江大学取得材料物理与化学专业博士学位。高先生于2018年5月获山东省工程技术职务高级评审委员会认可为正高级工程师。 非执行董事 -
邱宇峰先生 邱宇峰先生，66岁，于2024年2月29日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为非执行董事。邱先生于2020年11月至2021年1月期间担任本公司独立董事。 邱先生在电力及半导体技术研发领域拥有逾30年经验。于1994年6月至1999年11月期间，其先后在中国电力科学研究院电力系统研究所担任继电保护室主任及副所长；于1999年11月至2006年12月期间，其在中国电力科学研究院输配电及节电技术国家工程研究中心担任常务副主任；于2006年12月至2012年2月期间，其在中国电力科学研究院担任副院长。邱先生于2012年2月至2020年2月期间，先后在全球能源互联网研究院有限公司（前称国网智能电网研究院）担任多个职位，包括副院长、院长、顾问及其他职位。邱先生现任厦门大学讲座教授，以及自2022年4月起担任博测锐创半导体科技（苏州）有限公司董事长兼总经理，自2022年5月起担任北京博测半导体科技有限公司执行董事兼总经理，自2023年6月起担任思源电气股份有限公司（一家于深圳证券交易所上市的公司（股票代码：002028））的独立董事，并自2023年9月起担任北京顺德盛企业管理合伙企业（有限合伙）的执行事务合伙人。邱先生未参与本公司及上述公司的日常管理及营运工作。 邱先生为中国电机工程学会会士。其于2018年10月获中国电机工程学会授予中国电力科学技术杰出贡献奖，并于2018年12月获北京科技协作中心认定为首都科技盛典人物。 邱先生于1982年8月在中国华北电力学院（现称华北电力大学）取得电力系统继电保护及自动化专业学士学位，并于2003年10月在中国中欧国际工商学院取得工商管理硕士学位。邱先生于2003年11月获电力工业部京内科研单位高工（提高待遇）评审委员会评定具备正研级高级工程师资格。 -
李婉越女士 李婉越女士，55岁，于2025年2月19日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为非执行董事。 李女士在会计及融资领域拥有30年经验。其于1994年7月至1999年7月期间任职于北京新型建筑材料总厂，离职前为助理会计师。于1999年10月至2020年12月期间，李女士先后在北新建材（集团）有限公司担任多个职位，包括财务部会计、财务部经理及其他职位。自2022年12月起，其一直担任中建材联合投资有限公司的总会计师，并自2023年7月至今，兼任中建材私募基金管理（北京）有限公司财务负责人。 李女士于1994年7月获得中国北京农学院农业经济管理学士学位，并于2005年6月获得中国人民大学会计学硕士学位。李女士于2005年12月获中国建筑材料集团公司（现称中国建材集团有限公司）评定具备高级会计师资格。 独立非执行董事 职工代表董事 -
王俊国先生 王俊国先生，48岁，于2025年7月2日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为执行董事，于上市后生效。王先生于2025年10月30日获委任为职工代表董事。 王先生在财务管理领域拥有丰富经验。王先生曾于2016年8月至2020年11月担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司的财务总监，并自2020年11月至2024年8月出任本公司财务总监及财务业务合伙人，自2024年8月起担任本公司证券事务代表，且自2025年6月起兼任本公司联席公司秘书。王先生于2025年7月2日至2025年10月30日期间获委任为本公司执行董事。王先生现任上海太阳成集团tyc33455cc半导体材料有限公司及上海越联峰科技有限公司的财务负责人。王先生于1996年8月开启职业生涯，在加入本公司及其子公司（「本集团」）前，曾先后任职于济南恒舜制衣有限公司、济南伊科金属制品有限公司及山东九天贡阿胶制品有限公司。 王先生于2001年12月透过远距教育方式毕业于中国山东省山东经济学院（现为山东财经大学），取得会计专业学位；并于2019年1月透过网络教育方式毕业于中国山东省中国石油大学（华东），取得会计专业学位。王先生于2003年9月获中华人民共和国财政部授予中级会计师资格。 高级管理层 ', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 10, 'created_at' => '1641522598', 'updated_at' => '1778479341', 'background_image' => '/upload/image/YrGOtTL3sd4vY0Zq4rDmtDJLzzRoyPQ2YwMj9vjH.jpeg', 'href' => '/cwxx.html', 'title' => '公司治理'), array('id' => 78, 'name' => '企业动态', 'lan' => '', 'en_name' => 'news', 'path' => ',3,', 'p_id' => 3, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'listnew', 'detail_template' => 'news', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '', 'summary' => 'News', 'detail_content' => '', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 12, 'created_at' => '1658815596', 'updated_at' => '1666074153', 'background_image' => '', 'href' => '/news.html', 'title' => '企业动态'), array('id' => 89, 'name' => 'A股公告', 'lan' => '', 'en_name' => 'dzgga', 'path' => ',10,23,', 'p_id' => 23, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'dzgg', 'detail_template' => 'dzgg', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '', 'summary' => '', 'detail_content' => '', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 10, 'created_at' => '1751947525', 'updated_at' => '1751954515', 'background_image' => '', 'href' => '/dzgga.html', 'title' => 'A股公告'), array('id' => 92, 'name' => 'A股定期报告', 'lan' => '', 'en_name' => 'regulara', 'path' => ',10,91,', 'p_id' => 91, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'regular', 'detail_template' => 'regular', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '', 'summary' => '', 'detail_content' => '', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 10, 'created_at' => '1751947695', 'updated_at' => '1751954418', 'background_image' => '', 'href' => '/regulara.html', 'title' => 'A股定期报告'), array('id' => 104, 'name' => '2024年企业社会责任报告', 'lan' => '', 'en_name' => 'qyshzr2024', 'path' => ',11,', 'p_id' => 11, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'qyshzr', 'detail_template' => 'qyshzr', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '', 'summary' => '', 'detail_content' => ' ', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 10, 'created_at' => '1778313304', 'updated_at' => '1779091346', 'background_image' => '', 'href' => '/qyshzr2024.html', 'title' => '2024年企业社会责任报告'), array('id' => 4, 'name' => '产品信息', 'lan' => '', 'en_name' => 'product', 'path' => '', 'p_id' => 0, 'type' => 'article', 'flag' => 'product', 'status' => 'open', 'list_template' => 'product', 'detail_template' => 'product', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '/upload/image/C1VVdLX2bcKhUPhNpuekTAjxSKOrkD1PFLWaXXA6.jpeg', 'summary' => 'Product', 'detail_content' => '', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 1, 'listsize' => 10, 'created_at' => '1641454085', 'updated_at' => '1668137608', 'background_image' => '', 'href' => '/product.html', 'title' => '产品信息'), array('id' => 5, 'name' => '企业使命', 'lan' => '', 'en_name' => 'qysm', 'path' => ',1,', 'p_id' => 1, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'qysm', 'detail_template' => 'qysm', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '/upload/image/uJfqAsuITfp7qERwEIhErDIAlcJNAN7WFeHCLlC9.jpeg', 'summary' => 'Enterprise Mission', 'detail_content' => '为客户创造最大价值
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良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势,广泛应用于5G基站等新一代通信领域。
半绝缘型碳化硅衬底材料还具备优良的光学性能,12英寸衬底在AR眼镜等光学和穿戴电子领域有着广阔的应用前景。 基本信息 6英寸 - 直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
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太阳成集团tyc33455cc官网自主掌握了从粉料合成到晶体生长、加工的完整全工艺过程。 1. 粉料合成 Si+C=SiC粉料 Si和C按1:1比例合成SiC多晶颗粒
粉料是晶体生长的原料来源，其粒度、纯度都会直接影响晶体质量
特别是半绝缘衬底的制备过程中，对于粉料的纯度要求极高
（杂质含量低于0.5ppm） 2. 籽晶 晶格稳定 作为晶体生长的基底，为晶体生长提供基础晶格结构
同样也是决定晶体质量的核心原料 3. 晶体生长 Physical Vapor Transport（PVT） 物理气相升华法（简称PVT）
对原料进行加热，通过气相升华和温场控制
使升华的组分在籽晶表面再结晶 4. 切割 衬底加工 将生长出的晶体切成片状
由于碳化硅的硬度仅次于金刚石，属于高硬脆性材料
因此切割过程耗时久，易裂片 5. 研磨·抛光 MP·CMP 研磨抛光是将衬底表面加工至原子级光滑平面
衬底的表面状态，例如表面粗糙度，厚度均匀性都会直接影响外延工艺的质量 6. 清洗·检测 颗粒·杂质控制 用于去除加工过程中残留的颗粒物以及金属杂质
最终检测可以获取衬底表面、面型、晶体质量等全面的质量信息
帮助下游工艺进行追溯
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在自然界中，晶体不胜枚举，其分布及应用都十分广泛。例如日常生活中随处可见的盐、糖、钻石、雪花都是晶体；此外，半导体晶体、激光晶体、闪烁晶体、超硬晶体等晶体材料在工业、医疗、半导体及众多科研领域也发挥着重要的作用。 不同晶体材料之间的结构、性能以及制备方法不尽相同，但其共通特点是晶体中的原子排列规则有序，在三维空间中通过周期性堆垛，组成特定结构的晶格，因此晶体材料的外观通常会呈现出整齐规则的几何形状。 碳化硅单晶衬底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下简称SiC衬底）也是晶体材料的一种，属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势，是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的基础性材料。 SiC的晶体结构 SiC单晶是由Si和C两种元素按照1:1化学计量比组成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。 C原子和Si原子都有4个价电子，可以形成4个共价键，组成SiC基本结构单元——Si-C四面体，Si原子和C原子的配位数都是4，即每个C原子周围都有4个Si原子，每个Si原子周围都有4个C原子。 SiC衬底作为一种晶体材料，也具有原子层周期性堆垛的特性。Si-C双原子层沿着[0001]方向进行堆垛，由于层与层之间的键能差异小，原子层之间容易产生不同的连接方式，这就导致SiC具有较多种类的晶型。常见晶型有2H-SiC、3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC等，其中，按照“ABCB”顺序进行堆垛的结构称为4H晶型。虽然不同晶型的SiC晶体具有相同的化学成分，但是它们的物理性质，特别是禁带宽度、载流子迁移率等特性有较大的差别。其中，4H晶型各方面的性能更适合半导体领域的应用。 生长温度、压力等多种因素都会影响SiC衬底的晶型稳定性，因此想要获得高质量、晶型均一的单晶材料，在制备过程中必须精确控制如生长温度、生长压力、生长速度等多种工艺参数。 SiC制备方法：物理气相升华法（PVT法） 目前SiC晶体的生长方法主要有物理气相传输法(Physical Vapor Transport Method, PVT法)、高温化学气相沉积法(High Temperature Chemical Vapor Deposition, HTCVD法)、液相法(Liquid Phase Method)等。其中，PVT法是已发展较为成熟，更适用于产业化批量生产的方法。 所谓PVT法，是指将SiC籽晶放置在坩埚顶部，将SiC粉料作为原料放置在坩埚底部，在高温低压的密闭环境下，SiC粉料升华，并在温度梯度和浓度差的作用下向上传输至籽晶附近，达到过饱和状态后再结晶的一种方法。该方法可以实现SiC晶体尺寸和特定晶型的可控生长。 然而，使用PVT法生长SiC晶体需要在长时间的生长过程中，始终维持适宜的生长条件，否则会导致晶格紊乱，从而影响晶体的质量。但SiC晶体的生长是在密闭空间内完成的，有效的监控手段少，变量多，因此工艺控制的难度较高。 单一晶型稳定生长的主要机制：台阶流动生长模式（Step Flow Growth） 在PVT法生长SiC晶体的过程中，台阶流动生长模式（Step Flow Growth）被认为是单一晶型稳定生长的主要机制。气化后的Si原子和C原子会优先在kink点位置与晶体表面原子成键，在此处成核生长，从而使得各个台阶平行向前流动。当晶体表面产生台阶宽度远远超过吸附原子的扩散自由程时，大量吸附原子就可能发生团聚，形成的二维岛状生长模式会破坏台阶流动生长模式，导致4H晶型结构信息丢失，从而产生多型缺陷。因此，工艺参数的调节要实现对表面台阶结构的调控，以此抑制多型缺陷的产生，达到获得单一晶型的目的，最终制备出高品质的晶体。 当然，制备高品质的SiC衬底，晶体生长只是第一步，产品最终达到使用要求前，还需要经过切割、研磨、倒角、抛光、清洗、检测等一系列工序。SiC单晶作为一种硬脆材料，对于加工环节的技术要求也很高，各生产环节中产生的损伤都有可能具备一定的遗传性，传递到下一道工序，最终影响产品质量，因此高效加工SiC衬底的技术也备受产业、学术界关注。 ', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 2, 'listsize' => 5, 'created_at' => '1667268089', 'updated_at' => '1668399788', 'background_image' => '/upload/image/1W5LwSGBgYhAlJDycH6YVpCQyVqi1iDG8Lf9uzod.jpeg', 'href' => 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在以特高压输电为代表的智能电网及轨道交通、工业大功率电源领域广泛应用。 基本信息 6英寸 - 直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
- 表面取向 4°偏向<1120>±0.5°
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- 导电类型 p-type
基本信息 8英寸 - 直径 200.0mm+0mm/-0.2mm
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- 导电类型 p-type
基本信息 12英寸 - 直径 300.0mm+0mm/-0.5mm
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SIC代表公司的主营业务碳化硅衬底，C是“公司”的简称
表明公司是一家专注碳化硅衬底研发与生产的专业碳化硅材料公司
同时，字母的立体切角设计强调晶体元素和立体感
代表公司追求高品质先进性和持续发展的经营理念
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全球首发全产品系列12英寸碳化硅衬底
荣获半导体国际金奖（电子材料领域）
碳化硅衬底材料市场占有率世界第一 2024 全球首推12英寸碳化硅衬底
发布液相法P型碳化硅衬底 2022 登录A股科创板上市(股票代码688234)
具备8英寸衬底生产能力
获评国家知识产权示范企业 2021 评为国家制造业单项冠军示范企业
评为国家专精特新企业
上海工厂开工建设 2019 获国家科学技术进步一等奖
济宁工厂竣工投产 2017 获济南市科技进步一等奖
6英寸导电型衬底产品鉴定验收 2015 济南新工厂竣工投产
4英寸半绝缘型衬底产品鉴定验收 ', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 4, 'listsize' => 50, 'created_at' => '1641455096', 'updated_at' => '1785378281', 'background_image' => '/upload/image/khzxjYJeuVUzwa1HikzksdJaZYgU51SXztF6oeRN.jpeg', 'href' => '/fzlc.html', 'title' => '发展历程'), array('id' => 11, 'name' => '企业社会责任', 'lan' => '', 'en_name' => 'qyshzr', 'path' => '', 'p_id' => 0, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'qyshzr', 'detail_template' => 'qyshzr', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '/upload/image/5I6yCMdfxx7hc9qDxywQ2zsio4QmdKorewleeFZD.jpeg', 'summary' => 'Sustainability', 'detail_content' => '
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Tel：0531-85978212
Fax：0531-85978212
邮箱：sales@sicc.cc
地址：山东省济南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
投资者关系联系人：董事会办公室
Tel：0531-69900616
Fax：0531-85978212
邮箱：dmo@sicc.cc
地址：山东省济南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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目前公司的6&8英寸产品稳定交付全球量产级客户,同时具备12英寸衬底产品的生产能力。 基本信息 6英寸 - 直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
- 表面取向 4°偏向±0.5°
- 主参考边长度 47.5 mm ±1.5 mm
- 主参考面取向 ±1.0°
- Notch取向 /
- Notch角度 /
- Notch深度 /
- 副参考边 无
- 厚度 350.0um士25.0um
- 晶型 4H
- 导电类型 n-type
基本信息 8英寸 - 直径 200.0mm+0mm/-0.5mm
- 表面取向 4°偏向±0.5°
- 主参考边长度 Notch
- 主参考面取向 /
- Notch取向 ±1°
- Notch角度 90°+5°/-1°
- Notch深度 距边1mm+0.25mm/-0mm
- 副参考边 无
- 厚度 350/500.0um士25.0um
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基本信息 12英寸 - 直径 300.0mm+0mm/-0.5mm
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- 主参考边 Notch
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- Notch取向 ±5°
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和传统材料相比，碳化硅具有优异的物理性能，可以帮助分立器件以及模块、甚至是整机系统减小体积和重量，提高效率。 SiC Si（silicon）+C（carbon）=SiC 碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。 是一种极具发展潜力的半导体材料，同时也属高硬脆性材料。制备工艺复杂，加工难度大。 SiC的特点 优异的物理性能 禁带宽度（耐高温） 1高临界击穿电场（耐高压） 2高热导率（散热性） 3饱和电子漂移速率（高开关速度） 4 | | 4H-SiC | Si | GaAs | GaN | | 禁带宽度（eV）1 | 3.26 | 1.12 | 1.42 | 3.42 | | 临界击穿场强（MV/cm）2 | 2.8 | 0.3 | 0.4 | 3 | | 热导率（W/cmK）3 | 4.9 | 1.5 | 0.46 | 1.3 | | 饱和电子漂移速率（1E7 cm/s）4 | 2.7 | 1 | 2 | 2.7 | 1.更大的禁带宽度，可以保证材料在高温下，电子不易发生跃迁，本征激发弱，从而可以耐受更高的工作温度。
碳化硅的禁带宽度是硅的约3倍，理论工作温度可达400℃以上。
2.临界击穿场强指材料发生电击穿的电场强度，一旦超过该数值，材料将失去绝缘性能，进而决定了材料的耐压性能。
碳化硅的临界击穿场强是硅的约10倍，能够耐受更高的电压，更适用于高电压器件。
3.高温是影响器件寿命的主要原因之一，热导率代表了材料的导热能力，碳化硅的高热导率可以有效传导热量，降低器件温度，维持其正常工作。
4.饱和电子漂移速率指电子在半导体材料中的最大定向移动速度，该数值的高低决定了器件的开关频率。
碳化硅的饱和电子漂移速率是硅的两倍，有助于提高工作频率，将器件小型化。 碳化硅应用场景 电力电子 碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响。 主要应用领域有电动汽车、充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。 微波通讯 碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施为主。 碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。 ', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 10, 'created_at' => '1641518302', 'updated_at' => '1668399788', 'background_image' => '/upload/image/oovz9TcKdN2WiFtn2MlS0sS5zVn8nPL40oy7N0zU.jpeg', 'href' => '/product3.html', 'title' => '什么是碳化硅'), array('id' => 22, 'name' => '公司治理', 'lan' => '', 'en_name' => 'cwxx', 'path' => ',10,', 'p_id' => 10, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'control', 'detail_template' => 'cwxx', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '/upload/image/xzpsBJuV9mlW1STPwudzpgByebp47qeelW41lmWl.jpeg', 'summary' => 'Financial Information', 'detail_content' => ' 董事及高级管理人员 Directors and Senior Management 执行董事 -
宗艳民先生 宗艳民先生，62岁，为本公司的董事长、执行董事兼总经理，于2010年11月2日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 宗先生在半导体材料的技术研发与产业化、工程以及企业管理领域拥有逾35年经验。在本集团成立之前，于2002年10月，宗先生创立了济南天业工程机械有限公司，于2002年10月至2020年10月期间担任该公司的董事长兼总经理，并自2020年10月起担任董事长。 于2010年11月，宗先生创立了本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司，并于2010年11月至2020年11月期间历任董事长、执行董事及总经理。自2020年11月起，宗先生一直担任本公司董事长、董事兼总经理。宗先生是本公司员工持股平台上海麦明及上海铸傲的普通合伙人及执行事务合伙人，目前还在本公司多家子公司担任董事及╱或总经理。 宗先生于1987年7月在中国山东轻工业学院（现称齐鲁工业大学）取得硅酸盐工程专业学士学位。宗先生于2020年3月获山东省工程技术职务资格高级评审委员会认可为正高级工程师。 -
高超先生 高超先生，39岁，为本公司执行董事兼首席技术官。其于2019年8月15日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 高先生于半导体材料技术研发及产业化领域拥有逾十年经验。于2014年7月至2020年11月期间，其先后在本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司担任研发工程师、研发中心主任、董事兼研发中心主任。自2020年11月起，高先生一直担任本公司的董事兼首席技术官。 高先生于2009年6月在中国山东科技大学取得无机非金属材料专业学士学位，并于2014年6月在中国浙江大学取得材料物理与化学专业博士学位。高先生于2018年5月获山东省工程技术职务高级评审委员会认可为正高级工程师。 非执行董事 -
邱宇峰先生 邱宇峰先生，66岁，于2024年2月29日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为非执行董事。邱先生于2020年11月至2021年1月期间担任本公司独立董事。 邱先生在电力及半导体技术研发领域拥有逾30年经验。于1994年6月至1999年11月期间，其先后在中国电力科学研究院电力系统研究所担任继电保护室主任及副所长；于1999年11月至2006年12月期间，其在中国电力科学研究院输配电及节电技术国家工程研究中心担任常务副主任；于2006年12月至2012年2月期间，其在中国电力科学研究院担任副院长。邱先生于2012年2月至2020年2月期间，先后在全球能源互联网研究院有限公司（前称国网智能电网研究院）担任多个职位，包括副院长、院长、顾问及其他职位。邱先生现任厦门大学讲座教授，以及自2022年4月起担任博测锐创半导体科技（苏州）有限公司董事长兼总经理，自2022年5月起担任北京博测半导体科技有限公司执行董事兼总经理，自2023年6月起担任思源电气股份有限公司（一家于深圳证券交易所上市的公司（股票代码：002028））的独立董事，并自2023年9月起担任北京顺德盛企业管理合伙企业（有限合伙）的执行事务合伙人。邱先生未参与本公司及上述公司的日常管理及营运工作。 邱先生为中国电机工程学会会士。其于2018年10月获中国电机工程学会授予中国电力科学技术杰出贡献奖，并于2018年12月获北京科技协作中心认定为首都科技盛典人物。 邱先生于1982年8月在中国华北电力学院（现称华北电力大学）取得电力系统继电保护及自动化专业学士学位，并于2003年10月在中国中欧国际工商学院取得工商管理硕士学位。邱先生于2003年11月获电力工业部京内科研单位高工（提高待遇）评审委员会评定具备正研级高级工程师资格。 -
李婉越女士 李婉越女士，55岁，于2025年2月19日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为非执行董事。 李女士在会计及融资领域拥有30年经验。其于1994年7月至1999年7月期间任职于北京新型建筑材料总厂，离职前为助理会计师。于1999年10月至2020年12月期间，李女士先后在北新建材（集团）有限公司担任多个职位，包括财务部会计、财务部经理及其他职位。自2022年12月起，其一直担任中建材联合投资有限公司的总会计师，并自2023年7月至今，兼任中建材私募基金管理（北京）有限公司财务负责人。 李女士于1994年7月获得中国北京农学院农业经济管理学士学位，并于2005年6月获得中国人民大学会计学硕士学位。李女士于2005年12月获中国建筑材料集团公司（现称中国建材集团有限公司）评定具备高级会计师资格。 独立非执行董事 职工代表董事 -
王俊国先生 王俊国先生，48岁，于2025年7月2日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为执行董事，于上市后生效。王先生于2025年10月30日获委任为职工代表董事。 王先生在财务管理领域拥有丰富经验。王先生曾于2016年8月至2020年11月担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司的财务总监，并自2020年11月至2024年8月出任本公司财务总监及财务业务合伙人，自2024年8月起担任本公司证券事务代表，且自2025年6月起兼任本公司联席公司秘书。王先生于2025年7月2日至2025年10月30日期间获委任为本公司执行董事。王先生现任上海太阳成集团tyc33455cc半导体材料有限公司及上海越联峰科技有限公司的财务负责人。王先生于1996年8月开启职业生涯，在加入本公司及其子公司（「本集团」）前，曾先后任职于济南恒舜制衣有限公司、济南伊科金属制品有限公司及山东九天贡阿胶制品有限公司。 王先生于2001年12月透过远距教育方式毕业于中国山东省山东经济学院（现为山东财经大学），取得会计专业学位；并于2019年1月透过网络教育方式毕业于中国山东省中国石油大学（华东），取得会计专业学位。王先生于2003年9月获中华人民共和国财政部授予中级会计师资格。 高级管理层 ', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 10, 'created_at' => '1641522598', 'updated_at' => '1778479341', 'background_image' => '/upload/image/YrGOtTL3sd4vY0Zq4rDmtDJLzzRoyPQ2YwMj9vjH.jpeg', 'href' => '/cwxx.html', 'title' => '公司治理'), array('id' => 78, 'name' => '企业动态', 'lan' => '', 'en_name' => 'news', 'path' => ',3,', 'p_id' => 3, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'listnew', 'detail_template' => 'news', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '', 'summary' => 'News', 'detail_content' => '', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 12, 'created_at' => '1658815596', 'updated_at' => '1666074153', 'background_image' => '', 'href' => '/news.html', 'title' => '企业动态'), array('id' => 89, 'name' => 'A股公告', 'lan' => '', 'en_name' => 'dzgga', 'path' => ',10,23,', 'p_id' => 23, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'dzgg', 'detail_template' => 'dzgg', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '', 'summary' => '', 'detail_content' => '', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 10, 'created_at' => '1751947525', 'updated_at' => '1751954515', 'background_image' => '', 'href' => '/dzgga.html', 'title' => 'A股公告'), array('id' => 92, 'name' => 'A股定期报告', 'lan' => '', 'en_name' => 'regulara', 'path' => ',10,91,', 'p_id' => 91, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'regular', 'detail_template' => 'regular', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '', 'summary' => '', 'detail_content' => '', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 10, 'created_at' => '1751947695', 'updated_at' => '1751954418', 'background_image' => '', 'href' => '/regulara.html', 'title' => 'A股定期报告'), array('id' => 104, 'name' => '2024年企业社会责任报告', 'lan' => '', 'en_name' => 'qyshzr2024', 'path' => ',11,', 'p_id' => 11, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'qyshzr', 'detail_template' => 'qyshzr', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '', 'summary' => '', 'detail_content' => ' ', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 10, 'created_at' => '1778313304', 'updated_at' => '1779091346', 'background_image' => '', 'href' => '/qyshzr2024.html', 'title' => '2024年企业社会责任报告'), array('id' => 4, 'name' => '产品信息', 'lan' => '', 'en_name' => 'product', 'path' => '', 'p_id' => 0, 'type' => 'article', 'flag' => 'product', 'status' => 'open', 'list_template' => 'product', 'detail_template' => 'product', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '/upload/image/C1VVdLX2bcKhUPhNpuekTAjxSKOrkD1PFLWaXXA6.jpeg', 'summary' => 'Product', 'detail_content' => '', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 1, 'listsize' => 10, 'created_at' => '1641454085', 'updated_at' => '1668137608', 'background_image' => '', 'href' => '/product.html', 'title' => '产品信息'), array('id' => 5, 'name' => '企业使命', 'lan' => '', 'en_name' => 'qysm', 'path' => ',1,', 'p_id' => 1, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'qysm', 'detail_template' => 'qysm', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '/upload/image/uJfqAsuITfp7qERwEIhErDIAlcJNAN7WFeHCLlC9.jpeg', 'summary' => 'Enterprise Mission', 'detail_content' => '为客户创造最大价值
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良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势,广泛应用于5G基站等新一代通信领域。
半绝缘型碳化硅衬底材料还具备优良的光学性能,12英寸衬底在AR眼镜等光学和穿戴电子领域有着广阔的应用前景。 基本信息 6英寸 - 直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
- 表面取向 {0001}±0.2°
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- 主参考边长度 Notch
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太阳成集团tyc33455cc官网自主掌握了从粉料合成到晶体生长、加工的完整全工艺过程。 1. 粉料合成 Si+C=SiC粉料 Si和C按1:1比例合成SiC多晶颗粒
粉料是晶体生长的原料来源，其粒度、纯度都会直接影响晶体质量
特别是半绝缘衬底的制备过程中，对于粉料的纯度要求极高
（杂质含量低于0.5ppm） 2. 籽晶 晶格稳定 作为晶体生长的基底，为晶体生长提供基础晶格结构
同样也是决定晶体质量的核心原料 3. 晶体生长 Physical Vapor Transport（PVT） 物理气相升华法（简称PVT）
对原料进行加热，通过气相升华和温场控制
使升华的组分在籽晶表面再结晶 4. 切割 衬底加工 将生长出的晶体切成片状
由于碳化硅的硬度仅次于金刚石，属于高硬脆性材料
因此切割过程耗时久，易裂片 5. 研磨·抛光 MP·CMP 研磨抛光是将衬底表面加工至原子级光滑平面
衬底的表面状态，例如表面粗糙度，厚度均匀性都会直接影响外延工艺的质量 6. 清洗·检测 颗粒·杂质控制 用于去除加工过程中残留的颗粒物以及金属杂质
最终检测可以获取衬底表面、面型、晶体质量等全面的质量信息
帮助下游工艺进行追溯
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在自然界中，晶体不胜枚举，其分布及应用都十分广泛。例如日常生活中随处可见的盐、糖、钻石、雪花都是晶体；此外，半导体晶体、激光晶体、闪烁晶体、超硬晶体等晶体材料在工业、医疗、半导体及众多科研领域也发挥着重要的作用。 不同晶体材料之间的结构、性能以及制备方法不尽相同，但其共通特点是晶体中的原子排列规则有序，在三维空间中通过周期性堆垛，组成特定结构的晶格，因此晶体材料的外观通常会呈现出整齐规则的几何形状。 碳化硅单晶衬底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下简称SiC衬底）也是晶体材料的一种，属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势，是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的基础性材料。 SiC的晶体结构 SiC单晶是由Si和C两种元素按照1:1化学计量比组成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。 C原子和Si原子都有4个价电子，可以形成4个共价键，组成SiC基本结构单元——Si-C四面体，Si原子和C原子的配位数都是4，即每个C原子周围都有4个Si原子，每个Si原子周围都有4个C原子。 SiC衬底作为一种晶体材料，也具有原子层周期性堆垛的特性。Si-C双原子层沿着[0001]方向进行堆垛，由于层与层之间的键能差异小，原子层之间容易产生不同的连接方式，这就导致SiC具有较多种类的晶型。常见晶型有2H-SiC、3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC等，其中，按照“ABCB”顺序进行堆垛的结构称为4H晶型。虽然不同晶型的SiC晶体具有相同的化学成分，但是它们的物理性质，特别是禁带宽度、载流子迁移率等特性有较大的差别。其中，4H晶型各方面的性能更适合半导体领域的应用。 生长温度、压力等多种因素都会影响SiC衬底的晶型稳定性，因此想要获得高质量、晶型均一的单晶材料，在制备过程中必须精确控制如生长温度、生长压力、生长速度等多种工艺参数。 SiC制备方法：物理气相升华法（PVT法） 目前SiC晶体的生长方法主要有物理气相传输法(Physical Vapor Transport Method, PVT法)、高温化学气相沉积法(High Temperature Chemical Vapor Deposition, HTCVD法)、液相法(Liquid Phase Method)等。其中，PVT法是已发展较为成熟，更适用于产业化批量生产的方法。 所谓PVT法，是指将SiC籽晶放置在坩埚顶部，将SiC粉料作为原料放置在坩埚底部，在高温低压的密闭环境下，SiC粉料升华，并在温度梯度和浓度差的作用下向上传输至籽晶附近，达到过饱和状态后再结晶的一种方法。该方法可以实现SiC晶体尺寸和特定晶型的可控生长。 然而，使用PVT法生长SiC晶体需要在长时间的生长过程中，始终维持适宜的生长条件，否则会导致晶格紊乱，从而影响晶体的质量。但SiC晶体的生长是在密闭空间内完成的，有效的监控手段少，变量多，因此工艺控制的难度较高。 单一晶型稳定生长的主要机制：台阶流动生长模式（Step Flow Growth） 在PVT法生长SiC晶体的过程中，台阶流动生长模式（Step Flow Growth）被认为是单一晶型稳定生长的主要机制。气化后的Si原子和C原子会优先在kink点位置与晶体表面原子成键，在此处成核生长，从而使得各个台阶平行向前流动。当晶体表面产生台阶宽度远远超过吸附原子的扩散自由程时，大量吸附原子就可能发生团聚，形成的二维岛状生长模式会破坏台阶流动生长模式，导致4H晶型结构信息丢失，从而产生多型缺陷。因此，工艺参数的调节要实现对表面台阶结构的调控，以此抑制多型缺陷的产生，达到获得单一晶型的目的，最终制备出高品质的晶体。 当然，制备高品质的SiC衬底，晶体生长只是第一步，产品最终达到使用要求前，还需要经过切割、研磨、倒角、抛光、清洗、检测等一系列工序。SiC单晶作为一种硬脆材料，对于加工环节的技术要求也很高，各生产环节中产生的损伤都有可能具备一定的遗传性，传递到下一道工序，最终影响产品质量，因此高效加工SiC衬底的技术也备受产业、学术界关注。 ', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 2, 'listsize' => 5, 'created_at' => '1667268089', 'updated_at' => '1668399788', 'background_image' => '/upload/image/1W5LwSGBgYhAlJDycH6YVpCQyVqi1iDG8Lf9uzod.jpeg', 'href' => 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'detail_title' => '', 'thumbnail' => '/upload/image/AY8JgB05GOpXH2XzcVAs8bAAIYk3UlrsnN386ITf.png', 'summary' => '', 'detail_content' => ' P型碳化硅衬底材料多用于同质外延，制备特高压功率半导体器件，
在以特高压输电为代表的智能电网及轨道交通、工业大功率电源领域广泛应用。 基本信息 6英寸 - 直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
- 表面取向 4°偏向<1120>±0.5°
- 主参考边长度 47.5mm±1.5mm
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- 导电类型 p-type
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SIC代表公司的主营业务碳化硅衬底，C是“公司”的简称
表明公司是一家专注碳化硅衬底研发与生产的专业碳化硅材料公司
同时，字母的立体切角设计强调晶体元素和立体感
代表公司追求高品质先进性和持续发展的经营理念
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全球首发全产品系列12英寸碳化硅衬底
荣获半导体国际金奖（电子材料领域）
碳化硅衬底材料市场占有率世界第一 2024 全球首推12英寸碳化硅衬底
发布液相法P型碳化硅衬底 2022 登录A股科创板上市(股票代码688234)
具备8英寸衬底生产能力
获评国家知识产权示范企业 2021 评为国家制造业单项冠军示范企业
评为国家专精特新企业
上海工厂开工建设 2019 获国家科学技术进步一等奖
济宁工厂竣工投产 2017 获济南市科技进步一等奖
6英寸导电型衬底产品鉴定验收 2015 济南新工厂竣工投产
4英寸半绝缘型衬底产品鉴定验收 ', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 4, 'listsize' => 50, 'created_at' => '1641455096', 'updated_at' => '1785378281', 'background_image' => '/upload/image/khzxjYJeuVUzwa1HikzksdJaZYgU51SXztF6oeRN.jpeg', 'href' => '/fzlc.html', 'title' => '发展历程'), array('id' => 11, 'name' => '企业社会责任', 'lan' => '', 'en_name' => 'qyshzr', 'path' => '', 'p_id' => 0, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'qyshzr', 'detail_template' => 'qyshzr', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '/upload/image/5I6yCMdfxx7hc9qDxywQ2zsio4QmdKorewleeFZD.jpeg', 'summary' => 'Sustainability', 'detail_content' => '
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Fax：0531-85978212
邮箱：sales@sicc.cc
地址：山东省济南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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at Repository->forever('menu', array(array('id' => 1, 'name' => '关于太阳成集团tyc33455cc官网', 'lan' => '', 'en_name' => 'about', 'path' => '', 'p_id' => 0, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'about', 'detail_template' => 'about', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '/upload/image/4bbDY17rax9pOSjFELW9QPNIzLbOwaUQWScrfcMY.jpeg', 'summary' => 'About us', 'detail_content' => '', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 11, 'created_at' => '1641453110', 'updated_at' => '1785754970', 'background_image' => '/upload/image/lviNyPW1twAt5a1kUEqPE3ft8npVCm1BrgBoiajW.png', 'href' => '/about.html', 'title' => '关于太阳成集团tyc33455cc官网'), array('id' => 2, 'name' => '概况', 'lan' => '', 'en_name' => 'about1', 'path' => ',1,', 'p_id' => 1, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'about1', 'detail_template' => 'about1', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '/upload/image/it4DS9XStSkNbeFcqI92ITdii0IKPSDHxQPT5knV.png', 'summary' => 'About SICC', 'detail_content' => ' 太阳成集团tyc33455cc官网 太阳成集团tyc33455cc官网（SICC）成立于2010年，是世界碳化硅衬底行业领军企业。已于2022年、2025年先后登陆上交所科创板和香港交易所主板上市，成为两市首家且唯一实现"A+H"上市的碳化硅衬底公司。 公司秉承“先进·品质·持续”的经营理念，自成立以来，承担多项国家级研发与产业化项目，荣获2025年国际半导体行业电子材料部门金奖、国家科技进步一等奖、山东省技术发明一等奖、山东省科技进步特等奖、国家级单项冠军和国家级专精特新小巨人等国际及国家级荣誉。 作为“国家知识产权示范企业”，太阳成集团tyc33455cc官网已拥有全球前五碳化硅衬底领域知识产权数量。目前，已实现世界最大尺寸12英寸碳化硅衬底的全球首发，并在业内率先实现高品质8英寸碳化硅衬底的大规模交付，于2025年实现碳化硅衬底产品市场占有率全球第一。 太阳成集团tyc33455cc官网依托持续精进的产品品质、多元规格尺寸、优异材料性能、规模化产能保障与全周期专业服务，多维度引领行业发展，矢志打造全球领先的先进材料研发创新与智能制造平台。 ', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 10, 'created_at' => '1641453154', 'updated_at' => '1785754738', 'background_image' => '/upload/image/E22KpLq1KzMyJvl0pWb27iZtomNE6o6FfEJNTTDi.jpeg', 'href' => '/about1.html', 'title' => '概况'), array('id' => 14, 'name' => '产品咨询', 'lan' => '', 'en_name' => 'cpzx', 'path' => ',12,', 'p_id' => 12, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'cpzx', 'detail_template' => 'contact', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '/upload/image/bZkz4zpbFnLNjTTxwlvL9xX0M3dgCmi7j0H25axJ.jpeg', 'summary' => 'Product consultation', 'detail_content' => ' 产品咨询联系人：销售部
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投资者关系联系人：董事会办公室
Tel：0531-69900616
Fax：0531-85978212
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目前公司的6&8英寸产品稳定交付全球量产级客户,同时具备12英寸衬底产品的生产能力。 基本信息 6英寸 - 直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
- 表面取向 4°偏向±0.5°
- 主参考边长度 47.5 mm ±1.5 mm
- 主参考面取向 ±1.0°
- Notch取向 /
- Notch角度 /
- Notch深度 /
- 副参考边 无
- 厚度 350.0um士25.0um
- 晶型 4H
- 导电类型 n-type
基本信息 8英寸 - 直径 200.0mm+0mm/-0.5mm
- 表面取向 4°偏向±0.5°
- 主参考边长度 Notch
- 主参考面取向 /
- Notch取向 ±1°
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基本信息 12英寸 - 直径 300.0mm+0mm/-0.5mm
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和传统材料相比，碳化硅具有优异的物理性能，可以帮助分立器件以及模块、甚至是整机系统减小体积和重量，提高效率。 SiC Si（silicon）+C（carbon）=SiC 碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。 是一种极具发展潜力的半导体材料，同时也属高硬脆性材料。制备工艺复杂，加工难度大。 SiC的特点 优异的物理性能 禁带宽度（耐高温） 1高临界击穿电场（耐高压） 2高热导率（散热性） 3饱和电子漂移速率（高开关速度） 4 | | 4H-SiC | Si | GaAs | GaN | | 禁带宽度（eV）1 | 3.26 | 1.12 | 1.42 | 3.42 | | 临界击穿场强（MV/cm）2 | 2.8 | 0.3 | 0.4 | 3 | | 热导率（W/cmK）3 | 4.9 | 1.5 | 0.46 | 1.3 | | 饱和电子漂移速率（1E7 cm/s）4 | 2.7 | 1 | 2 | 2.7 | 1.更大的禁带宽度，可以保证材料在高温下，电子不易发生跃迁，本征激发弱，从而可以耐受更高的工作温度。
碳化硅的禁带宽度是硅的约3倍，理论工作温度可达400℃以上。
2.临界击穿场强指材料发生电击穿的电场强度，一旦超过该数值，材料将失去绝缘性能，进而决定了材料的耐压性能。
碳化硅的临界击穿场强是硅的约10倍，能够耐受更高的电压，更适用于高电压器件。
3.高温是影响器件寿命的主要原因之一，热导率代表了材料的导热能力，碳化硅的高热导率可以有效传导热量，降低器件温度，维持其正常工作。
4.饱和电子漂移速率指电子在半导体材料中的最大定向移动速度，该数值的高低决定了器件的开关频率。
碳化硅的饱和电子漂移速率是硅的两倍，有助于提高工作频率，将器件小型化。 碳化硅应用场景 电力电子 碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响。 主要应用领域有电动汽车、充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。 微波通讯 碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施为主。 碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。 ', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 10, 'created_at' => '1641518302', 'updated_at' => '1668399788', 'background_image' => '/upload/image/oovz9TcKdN2WiFtn2MlS0sS5zVn8nPL40oy7N0zU.jpeg', 'href' => '/product3.html', 'title' => '什么是碳化硅'), array('id' => 22, 'name' => '公司治理', 'lan' => '', 'en_name' => 'cwxx', 'path' => ',10,', 'p_id' => 10, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'control', 'detail_template' => 'cwxx', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '/upload/image/xzpsBJuV9mlW1STPwudzpgByebp47qeelW41lmWl.jpeg', 'summary' => 'Financial Information', 'detail_content' => ' 董事及高级管理人员 Directors and Senior Management 执行董事 -
宗艳民先生 宗艳民先生，62岁，为本公司的董事长、执行董事兼总经理，于2010年11月2日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 宗先生在半导体材料的技术研发与产业化、工程以及企业管理领域拥有逾35年经验。在本集团成立之前，于2002年10月，宗先生创立了济南天业工程机械有限公司，于2002年10月至2020年10月期间担任该公司的董事长兼总经理，并自2020年10月起担任董事长。 于2010年11月，宗先生创立了本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司，并于2010年11月至2020年11月期间历任董事长、执行董事及总经理。自2020年11月起，宗先生一直担任本公司董事长、董事兼总经理。宗先生是本公司员工持股平台上海麦明及上海铸傲的普通合伙人及执行事务合伙人，目前还在本公司多家子公司担任董事及╱或总经理。 宗先生于1987年7月在中国山东轻工业学院（现称齐鲁工业大学）取得硅酸盐工程专业学士学位。宗先生于2020年3月获山东省工程技术职务资格高级评审委员会认可为正高级工程师。 -
高超先生 高超先生，39岁，为本公司执行董事兼首席技术官。其于2019年8月15日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 高先生于半导体材料技术研发及产业化领域拥有逾十年经验。于2014年7月至2020年11月期间，其先后在本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司担任研发工程师、研发中心主任、董事兼研发中心主任。自2020年11月起，高先生一直担任本公司的董事兼首席技术官。 高先生于2009年6月在中国山东科技大学取得无机非金属材料专业学士学位，并于2014年6月在中国浙江大学取得材料物理与化学专业博士学位。高先生于2018年5月获山东省工程技术职务高级评审委员会认可为正高级工程师。 非执行董事 -
邱宇峰先生 邱宇峰先生，66岁，于2024年2月29日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为非执行董事。邱先生于2020年11月至2021年1月期间担任本公司独立董事。 邱先生在电力及半导体技术研发领域拥有逾30年经验。于1994年6月至1999年11月期间，其先后在中国电力科学研究院电力系统研究所担任继电保护室主任及副所长；于1999年11月至2006年12月期间，其在中国电力科学研究院输配电及节电技术国家工程研究中心担任常务副主任；于2006年12月至2012年2月期间，其在中国电力科学研究院担任副院长。邱先生于2012年2月至2020年2月期间，先后在全球能源互联网研究院有限公司（前称国网智能电网研究院）担任多个职位，包括副院长、院长、顾问及其他职位。邱先生现任厦门大学讲座教授，以及自2022年4月起担任博测锐创半导体科技（苏州）有限公司董事长兼总经理，自2022年5月起担任北京博测半导体科技有限公司执行董事兼总经理，自2023年6月起担任思源电气股份有限公司（一家于深圳证券交易所上市的公司（股票代码：002028））的独立董事，并自2023年9月起担任北京顺德盛企业管理合伙企业（有限合伙）的执行事务合伙人。邱先生未参与本公司及上述公司的日常管理及营运工作。 邱先生为中国电机工程学会会士。其于2018年10月获中国电机工程学会授予中国电力科学技术杰出贡献奖，并于2018年12月获北京科技协作中心认定为首都科技盛典人物。 邱先生于1982年8月在中国华北电力学院（现称华北电力大学）取得电力系统继电保护及自动化专业学士学位，并于2003年10月在中国中欧国际工商学院取得工商管理硕士学位。邱先生于2003年11月获电力工业部京内科研单位高工（提高待遇）评审委员会评定具备正研级高级工程师资格。 -
李婉越女士 李婉越女士，55岁，于2025年2月19日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为非执行董事。 李女士在会计及融资领域拥有30年经验。其于1994年7月至1999年7月期间任职于北京新型建筑材料总厂，离职前为助理会计师。于1999年10月至2020年12月期间，李女士先后在北新建材（集团）有限公司担任多个职位，包括财务部会计、财务部经理及其他职位。自2022年12月起，其一直担任中建材联合投资有限公司的总会计师，并自2023年7月至今，兼任中建材私募基金管理（北京）有限公司财务负责人。 李女士于1994年7月获得中国北京农学院农业经济管理学士学位，并于2005年6月获得中国人民大学会计学硕士学位。李女士于2005年12月获中国建筑材料集团公司（现称中国建材集团有限公司）评定具备高级会计师资格。 独立非执行董事 职工代表董事 -
王俊国先生 王俊国先生，48岁，于2025年7月2日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为执行董事，于上市后生效。王先生于2025年10月30日获委任为职工代表董事。 王先生在财务管理领域拥有丰富经验。王先生曾于2016年8月至2020年11月担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司的财务总监，并自2020年11月至2024年8月出任本公司财务总监及财务业务合伙人，自2024年8月起担任本公司证券事务代表，且自2025年6月起兼任本公司联席公司秘书。王先生于2025年7月2日至2025年10月30日期间获委任为本公司执行董事。王先生现任上海太阳成集团tyc33455cc半导体材料有限公司及上海越联峰科技有限公司的财务负责人。王先生于1996年8月开启职业生涯，在加入本公司及其子公司（「本集团」）前，曾先后任职于济南恒舜制衣有限公司、济南伊科金属制品有限公司及山东九天贡阿胶制品有限公司。 王先生于2001年12月透过远距教育方式毕业于中国山东省山东经济学院（现为山东财经大学），取得会计专业学位；并于2019年1月透过网络教育方式毕业于中国山东省中国石油大学（华东），取得会计专业学位。王先生于2003年9月获中华人民共和国财政部授予中级会计师资格。 高级管理层 ', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 10, 'created_at' => '1641522598', 'updated_at' => '1778479341', 'background_image' => '/upload/image/YrGOtTL3sd4vY0Zq4rDmtDJLzzRoyPQ2YwMj9vjH.jpeg', 'href' => '/cwxx.html', 'title' => '公司治理'), array('id' => 78, 'name' => '企业动态', 'lan' => '', 'en_name' => 'news', 'path' => ',3,', 'p_id' => 3, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'listnew', 'detail_template' => 'news', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '', 'summary' => 'News', 'detail_content' => '', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 12, 'created_at' => '1658815596', 'updated_at' => '1666074153', 'background_image' => '', 'href' => '/news.html', 'title' => '企业动态'), array('id' => 89, 'name' => 'A股公告', 'lan' => '', 'en_name' => 'dzgga', 'path' => ',10,23,', 'p_id' => 23, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'dzgg', 'detail_template' => 'dzgg', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '', 'summary' => '', 'detail_content' => '', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 10, 'created_at' => '1751947525', 'updated_at' => '1751954515', 'background_image' => '', 'href' => '/dzgga.html', 'title' => 'A股公告'), array('id' => 92, 'name' => 'A股定期报告', 'lan' => '', 'en_name' => 'regulara', 'path' => ',10,91,', 'p_id' => 91, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'regular', 'detail_template' => 'regular', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '', 'summary' => '', 'detail_content' => '', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 10, 'created_at' => '1751947695', 'updated_at' => '1751954418', 'background_image' => '', 'href' => '/regulara.html', 'title' => 'A股定期报告'), array('id' => 104, 'name' => '2024年企业社会责任报告', 'lan' => '', 'en_name' => 'qyshzr2024', 'path' => ',11,', 'p_id' => 11, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'qyshzr', 'detail_template' => 'qyshzr', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '', 'summary' => '', 'detail_content' => ' ', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 0, 'listsize' => 10, 'created_at' => '1778313304', 'updated_at' => '1779091346', 'background_image' => '', 'href' => '/qyshzr2024.html', 'title' => '2024年企业社会责任报告'), array('id' => 4, 'name' => '产品信息', 'lan' => '', 'en_name' => 'product', 'path' => '', 'p_id' => 0, 'type' => 'article', 'flag' => 'product', 'status' => 'open', 'list_template' => 'product', 'detail_template' => 'product', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '/upload/image/C1VVdLX2bcKhUPhNpuekTAjxSKOrkD1PFLWaXXA6.jpeg', 'summary' => 'Product', 'detail_content' => '', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 1, 'listsize' => 10, 'created_at' => '1641454085', 'updated_at' => '1668137608', 'background_image' => '', 'href' => '/product.html', 'title' => '产品信息'), array('id' => 5, 'name' => '企业使命', 'lan' => '', 'en_name' => 'qysm', 'path' => ',1,', 'p_id' => 1, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'qysm', 'detail_template' => 'qysm', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '/upload/image/uJfqAsuITfp7qERwEIhErDIAlcJNAN7WFeHCLlC9.jpeg', 'summary' => 'Enterprise Mission', 'detail_content' => '为客户创造最大价值
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良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势,广泛应用于5G基站等新一代通信领域。
半绝缘型碳化硅衬底材料还具备优良的光学性能,12英寸衬底在AR眼镜等光学和穿戴电子领域有着广阔的应用前景。 基本信息 6英寸 - 直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
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- 导电类型 半绝缘
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太阳成集团tyc33455cc官网自主掌握了从粉料合成到晶体生长、加工的完整全工艺过程。 1. 粉料合成 Si+C=SiC粉料 Si和C按1:1比例合成SiC多晶颗粒
粉料是晶体生长的原料来源，其粒度、纯度都会直接影响晶体质量
特别是半绝缘衬底的制备过程中，对于粉料的纯度要求极高
（杂质含量低于0.5ppm） 2. 籽晶 晶格稳定 作为晶体生长的基底，为晶体生长提供基础晶格结构
同样也是决定晶体质量的核心原料 3. 晶体生长 Physical Vapor Transport（PVT） 物理气相升华法（简称PVT）
对原料进行加热，通过气相升华和温场控制
使升华的组分在籽晶表面再结晶 4. 切割 衬底加工 将生长出的晶体切成片状
由于碳化硅的硬度仅次于金刚石，属于高硬脆性材料
因此切割过程耗时久，易裂片 5. 研磨·抛光 MP·CMP 研磨抛光是将衬底表面加工至原子级光滑平面
衬底的表面状态，例如表面粗糙度，厚度均匀性都会直接影响外延工艺的质量 6. 清洗·检测 颗粒·杂质控制 用于去除加工过程中残留的颗粒物以及金属杂质
最终检测可以获取衬底表面、面型、晶体质量等全面的质量信息
帮助下游工艺进行追溯
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在自然界中，晶体不胜枚举，其分布及应用都十分广泛。例如日常生活中随处可见的盐、糖、钻石、雪花都是晶体；此外，半导体晶体、激光晶体、闪烁晶体、超硬晶体等晶体材料在工业、医疗、半导体及众多科研领域也发挥着重要的作用。 不同晶体材料之间的结构、性能以及制备方法不尽相同，但其共通特点是晶体中的原子排列规则有序，在三维空间中通过周期性堆垛，组成特定结构的晶格，因此晶体材料的外观通常会呈现出整齐规则的几何形状。 碳化硅单晶衬底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下简称SiC衬底）也是晶体材料的一种，属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势，是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的基础性材料。 SiC的晶体结构 SiC单晶是由Si和C两种元素按照1:1化学计量比组成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。 C原子和Si原子都有4个价电子，可以形成4个共价键，组成SiC基本结构单元——Si-C四面体，Si原子和C原子的配位数都是4，即每个C原子周围都有4个Si原子，每个Si原子周围都有4个C原子。 SiC衬底作为一种晶体材料，也具有原子层周期性堆垛的特性。Si-C双原子层沿着[0001]方向进行堆垛，由于层与层之间的键能差异小，原子层之间容易产生不同的连接方式，这就导致SiC具有较多种类的晶型。常见晶型有2H-SiC、3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC等，其中，按照“ABCB”顺序进行堆垛的结构称为4H晶型。虽然不同晶型的SiC晶体具有相同的化学成分，但是它们的物理性质，特别是禁带宽度、载流子迁移率等特性有较大的差别。其中，4H晶型各方面的性能更适合半导体领域的应用。 生长温度、压力等多种因素都会影响SiC衬底的晶型稳定性，因此想要获得高质量、晶型均一的单晶材料，在制备过程中必须精确控制如生长温度、生长压力、生长速度等多种工艺参数。 SiC制备方法：物理气相升华法（PVT法） 目前SiC晶体的生长方法主要有物理气相传输法(Physical Vapor Transport Method, PVT法)、高温化学气相沉积法(High Temperature Chemical Vapor Deposition, HTCVD法)、液相法(Liquid Phase Method)等。其中，PVT法是已发展较为成熟，更适用于产业化批量生产的方法。 所谓PVT法，是指将SiC籽晶放置在坩埚顶部，将SiC粉料作为原料放置在坩埚底部，在高温低压的密闭环境下，SiC粉料升华，并在温度梯度和浓度差的作用下向上传输至籽晶附近，达到过饱和状态后再结晶的一种方法。该方法可以实现SiC晶体尺寸和特定晶型的可控生长。 然而，使用PVT法生长SiC晶体需要在长时间的生长过程中，始终维持适宜的生长条件，否则会导致晶格紊乱，从而影响晶体的质量。但SiC晶体的生长是在密闭空间内完成的，有效的监控手段少，变量多，因此工艺控制的难度较高。 单一晶型稳定生长的主要机制：台阶流动生长模式（Step Flow Growth） 在PVT法生长SiC晶体的过程中，台阶流动生长模式（Step Flow Growth）被认为是单一晶型稳定生长的主要机制。气化后的Si原子和C原子会优先在kink点位置与晶体表面原子成键，在此处成核生长，从而使得各个台阶平行向前流动。当晶体表面产生台阶宽度远远超过吸附原子的扩散自由程时，大量吸附原子就可能发生团聚，形成的二维岛状生长模式会破坏台阶流动生长模式，导致4H晶型结构信息丢失，从而产生多型缺陷。因此，工艺参数的调节要实现对表面台阶结构的调控，以此抑制多型缺陷的产生，达到获得单一晶型的目的，最终制备出高品质的晶体。 当然，制备高品质的SiC衬底，晶体生长只是第一步，产品最终达到使用要求前，还需要经过切割、研磨、倒角、抛光、清洗、检测等一系列工序。SiC单晶作为一种硬脆材料，对于加工环节的技术要求也很高，各生产环节中产生的损伤都有可能具备一定的遗传性，传递到下一道工序，最终影响产品质量，因此高效加工SiC衬底的技术也备受产业、学术界关注。 ', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 2, 'listsize' => 5, 'created_at' => '1667268089', 'updated_at' => '1668399788', 'background_image' => '/upload/image/1W5LwSGBgYhAlJDycH6YVpCQyVqi1iDG8Lf9uzod.jpeg', 'href' => 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在以特高压输电为代表的智能电网及轨道交通、工业大功率电源领域广泛应用。 基本信息 6英寸 - 直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
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- 导电类型 p-type
基本信息 8英寸 - 直径 200.0mm+0mm/-0.2mm
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- 导电类型 p-type
基本信息 12英寸 - 直径 300.0mm+0mm/-0.5mm
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SIC代表公司的主营业务碳化硅衬底，C是“公司”的简称
表明公司是一家专注碳化硅衬底研发与生产的专业碳化硅材料公司
同时，字母的立体切角设计强调晶体元素和立体感
代表公司追求高品质先进性和持续发展的经营理念
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全球首发全产品系列12英寸碳化硅衬底
荣获半导体国际金奖（电子材料领域）
碳化硅衬底材料市场占有率世界第一 2024 全球首推12英寸碳化硅衬底
发布液相法P型碳化硅衬底 2022 登录A股科创板上市(股票代码688234)
具备8英寸衬底生产能力
获评国家知识产权示范企业 2021 评为国家制造业单项冠军示范企业
评为国家专精特新企业
上海工厂开工建设 2019 获国家科学技术进步一等奖
济宁工厂竣工投产 2017 获济南市科技进步一等奖
6英寸导电型衬底产品鉴定验收 2015 济南新工厂竣工投产
4英寸半绝缘型衬底产品鉴定验收 ', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 4, 'listsize' => 50, 'created_at' => '1641455096', 'updated_at' => '1785378281', 'background_image' => '/upload/image/khzxjYJeuVUzwa1HikzksdJaZYgU51SXztF6oeRN.jpeg', 'href' => '/fzlc.html', 'title' => '发展历程'), array('id' => 11, 'name' => '企业社会责任', 'lan' => '', 'en_name' => 'qyshzr', 'path' => '', 'p_id' => 0, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'qyshzr', 'detail_template' => 'qyshzr', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '/upload/image/5I6yCMdfxx7hc9qDxywQ2zsio4QmdKorewleeFZD.jpeg', 'summary' => 'Sustainability', 'detail_content' => '
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地址：山东省济南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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