太阳成集团tyc33455cc官网

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私たちSICC （山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司・中国山東省济南市）は２０１０年に単結晶炭化ケイ素基板（SiCウェーハ）メーカーとして設立されました。

２０２２年現在では導電型（N-Type）、半絶縁型（Semi-insulating）ともに６インチ基板一貫生産の量産体制を構えています。更なる生産体制の拡充と、大口径化など品質向上の開発を進めており、２０２２年には本社工場に加えて、上海新工場が完成致します。

創業から、第一に品質を重視し、全てに最先端を志向することを通して、未来にコミットメントすることが出来る持続的な企業体を経営理念として事業を展開して参りました。

２０２１年創業１０年を経て、SiCウェーハのグローバルエコシステムにおいて一定の立場を確立し、半絶縁型SiCウェーハ市場（２０２０FY）ではグローバルTOP３のシェアを得ることが出来ました。さらに２０２１年には上海・科創板市場（STAR MARKET）において株式上場を実現し、更なる事業拡大の新たなステージに進むことになりました。

次の１０年も、品質基軸と最先端、持続的という経営理念を通して、より競争力のある製品開発を実現し、豊かな未来を結晶化＝具現化させる企業を目指して引き続き尽力して参ります。

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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
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4H N型 SiCウェーハは、導電型の単結晶炭化ケイ素基板です
ホモエピタキシー用基板として使用されており
転移欠陥の改善や高い清浄度、高精度の加工技術を日々追求しています
直径150mmの量産体制を拡充しており、直径200mmの開発を進めています

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

＞ お問い合せ

基本仕様

N型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 150
  • オフ角（°） 4
  • 厚み（μm） 350
  • 表面 Epi-ready
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取締役、監督者および上級管理職
Directors, Supervisors and Senior Management
董事

  • 宗艳民先生

    宗艳民先生，61岁，本科学历，为本公司的董事长、执行董事兼总经理，于2010年11月2日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。
    宗先生在半导体材料的技术研发与产业化、工程以及企业管理领域拥有逾35年经验。2010年11月，宗先生创立了本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司，并于2010年11月至2020年11月期间历任董事会主席、执行董事及总经理。自2020年11月起，宗先生一直担任本公司董事长、董事兼总经理。

  • 高超先生

    高超先生，38岁，博士学历，为本公司执行董事兼首席技术官。彼于2019年8月15日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。
    高先生于半导体材料技术研发及产业化领域拥有逾十年经验。于2014年7月至2020年11月期间，彼先后在本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司担任研发工程师、研发中心主任、董事兼研发中心主任。自2020年11月起，高先生一直担任本公司的董事兼首席技术官。

  • 王俊国先生

    王俊国先生，47岁，于2025年7月2日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为执行董事。
    王先生在财务管理领域拥有丰富经验。彼于2016年8月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司财务总监，并自2020年11月起担任本公司财务总监，并自2024年8月起担任我们的证券事务代表。

  • 邱宇峰先生

    邱宇峰先生，65岁，硕士学历，于2024年2月29日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为非执行董事。邱先生于2020年11月至2021年1月期间担任本公司独立董事。
    邱先生在电力及半导体技术研发领域拥有逾30年经验。于1994年6月至1999年11月期间，彼先后在中国电力科学研究院电力系统研究所担任继电保护室主任及副所长；于1999年11月至2006年12月期间，彼在中国电力科学研究院输配电及节电 技术国家工程研究中心担任常务副主任；于2006年12月至2012年2月期间，彼在中国电力科学研究院担任副院长。邱先生于2012年2月至2020年2月期间，先后在全球能源互联网研究院有限公司（前称国网智能电网研究院）担任多个职位，包括副院长、院长、顾问及其他职位。邱先生现任厦门大学讲座教授，以及自2022年4月起担任博测锐创半导体科技（苏州）有限公司董事会主席兼总经理，自2022年5月起担任北京博测半导体科技有限公司执行董事兼总经理，自2023年6月起担任思源电气股份有限公司（一家于深圳证券交易所上市的公司（股票代码：002028））的独立董事，并自2023年9月起担任北京顺德盛企业管理合伙企业（有限合伙）的执行事务合伙人。

  • 李婉越女士

    李婉越女士，54岁，硕士学历，于2025年2月19日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为非执行董事。
    李女士在会计及融资领域拥有30年经验。彼于1994年7月至1999年7月期间任职于北京新型建筑材料总厂，离职前为助理会计师。 于1999年10月至2020年12月期间，李女士先后在北新建材（集团）有限公司担任多个职位，包括财务部会计、财务部经理及其他职位。自2022年12月起，彼一直担任中建材联合投资有限公司的总会计师。

  • 方伟先生

    方伟先生，50岁，硕士学历，于2024年2月29日获委任为董事，并于2025年2月19日获重新委任为非执行董事。
    方先生在无线产品工程及企业管理领域拥有逾25年经验。自1999年2月起，彼任职于一家从事ICT（信息与通信）基础设施和智能终端提供商业务的全球性企业，现任第五轨道外派董事。自2023年12月起，彼亦担任苏州东微半导体股份有限公司（一家于上海证券交易所上市的公司（股票代码：688261））董事。

  • 李洪辉先生

    李洪辉先生，61岁，博士学历，于2024年2月29日获委任为独立董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为独立非执行董事。
    李先生在财务管理领域拥有丰富的经验。彼任职于中华人民共和国财政部至2014年8月，最后职位为投资评审中心副主任。彼亦于2014年8月至2018年7月期间担任中国信达资产管理股份有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：1359））董事。李先生于2018年担任中华人民共和国财政部预算评审中心副主任。彼亦担任中海外科技开发有限公司董事长至2019年11月。自2022年6月起至2024年1月期间，彼担任北京中财宝信管理咨询有限公司执行董事。李先生自2023年6月起，担任中润辉铭（海南）投资有限公司执行董事、总经理兼财务总监；自2023年10月起， 担任华大卓越（北京）投资管理有限公司（前称北京百家信诚投资管理有限公司）执行董事、总经理兼财务总监；自2024年8月起，担任吉林省北药科技有限公司总经理；并自2024年10月起，担任辽宁北药金吉科技发展有限公司监事。

  • 刘华女士

    刘华女士，56岁，本科学历，于2024年2月29日获委任为独立董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为独立非执行董事。 刘女士在法律、监管及合规治理领域拥有丰富经验。彼于1992年7月至2002年3月期间在山东三联集团有限责任公司任职。于2002年7月至2007年2月及2007年2月至2008年7月，刘女士分别担任山东康桥律师事务所及北京天驰君泰律师事务所律师。于2008年8月至2019年10月期间，彼担任山东森信律师事务所合伙人及律师。自2019年11月起，刘女士担任北京天驰君泰（济南）律师事务所合伙人及律师。

  • 黎国鸿先生

    黎国鸿先生，61岁，硕士学历，于2025年2月19日获委任为独立董事，并于同日获调整董事角色为独立非执行董事。 黎先生在企业管治以及财务咨询及管理领域拥有丰富经验。彼于1989年7月至1996年8月期间前后在德勤·关黄陈方会计师行担任会计专员、高级会计师及经理。于1997年4月至2006年12月期间，黎先生就职于冠亚商业集团有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0104）），彼担任的最后职务为公司秘书兼财务总监。于2007年1月至2013年4月期间，黎先生在德祥地产集团有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0199））担任财务总监及在德祥企业集团有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0372））担任首席财务官兼公司秘书。自2013年8月起，黎先生在盛洋投资（控股）有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0174）） 担任执行董事及董事会投资委员会成员，并自2020年12月起兼任首席执行官。自2017年2月起，彼在桦欣控股有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：1657））担任独立非执行董事。
监事

  • 张红岩女士

    张红岩女士，38岁，硕士学历，于2020年11月7日获委任为监事兼监事会主席。 张女士在技术工程领域拥有丰富经验。彼先后于2012年4月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司质量部技术员、技术中心主管、销售技术支持及质量部经理。自2020年11月起，彼担任本公司质量部负责人及监事。

  • 宋建先生

    宋建先生，38岁，于2020年11月7日获委任为监事。 宋先生在碳化硅研发领域拥有丰富经验。彼先后于2011年8月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司碳化硅事业部技术员及负责人、技术中心主管及设备动力部经理。自2020年11月起，彼担任本公司工程部负责人及监事。

  • 窦文涛先生

    窦文涛先生，42岁，于2024年8月22日获委任为监事。 窦先生在项目管理及企业管治领域拥有丰富经验。窦先生先后于2010年10月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司项目经理、销售部经理、执行董事（代）及董事长助理。自2020年11月起，彼担任本公司董事长助理。
高级管理人员

  • 宗艳民先生

    宗艳民先生，61岁，本科学历，为本公司的董事长、执行董事兼总经理，于2010年11月2日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 宗先生在半导体材料的技术研发与产业化、工程以及企业管理领域拥有逾35年经验。2010年11月，宗先生创立了本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司，并于2010年11月至2020年11月期间历任董事会主席、执行董事及总经理。自2020年11月起，宗先生一直担任本公司董事长、董事兼总经理。

  • 高超先生

    高超先生，38岁，博士学历，为本公司执行董事兼首席技术官。彼于2019年8月15日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 高先生于半导体材料技术研发及产业化领域拥有逾十年经验。于2014年7月至2020年11月期间，彼先后在本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司担任研发工程师、研发中心主任、董事兼研发中心主任。自2020年11月起，高先生一直担任本公司的董事兼首席技术官。

  • 钟文庆先生

    钟文庆先生，57岁，自2022年8月起担任本公司董事会秘书。钟先生于2018年12月加入本集团，并先后于2018年12月至2019年8月期间担任本公司首席财务官，于2019年8月至2023年4月期间担任董事兼首席财务官，并于2023年4月至2024年2月期间担任董事。钟先生目前还在本公司的若干子公司中担任董事及╱或监事职务。 钟先生在会计与财务管理、资本市场及企业管治领域拥有逾25年经验。在加入本集团之前，彼于1998年1月至1999年2月期间在通用磨坊（中国）投资有限公司的品食乐大中华区担任财务经理。在美国施乐中国有限公司工作期间，钟先生担任财务总监及市场总监。其后彼于2003年12月至2005年4月在西门子工业软件（上海）有限公司担任财务分析高级经理。钟先生于2005年6月加入沃尔沃建筑设备（中国）有限公司并担任沃尔沃建筑设备公司中国区首席财务官。钟先生于2011年1月至2018年11月期间担任瑞迈国际有限公司总裁。

  • 游樱女士

    游樱女士，50岁，自2024年9月起担任本公司首席财务官。游女士自2024年4月加入本集团起一直担任上海太阳成集团tyc33455cc的财务总监。 游女士在会计与财务管理领域拥有逾25年经验。在加入本集团之前，彼于1998年7月至2004年12月期间在山东干聚有限责任会计师事务所担任审计经理。游女士于2004年12月至2024年3月期间在上汽通用东岳汽车有限公司担任高级财务经理。
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はたらく社員の全てに充実した待遇とキャリア形成の機会が等しく提供されること
(equal opportunity)を通して、株主様の利益を最大化できる企業であり続けます。
私たちは、より良い未来社会の一翼を担う会社であることを目指します。";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:1;s:8:"listsize";i:12;s:10:"created_at";s:10:"1641609945";s:10:"updated_at";s:10:"1642755251";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/viEdey6Vd6ICLLZspEUTSPGVw6jvYWWG9m0mkTt3.jpeg";s:4:"href";s:16:"/japan/qysm.html";s:5:"title";s:12:"企業使命";}i:10;a:26:{s:2:"id";i:39;s:4:"name";s:15:"投資者関係";s:3:"lan";s:5:"japan";s:7:"en_name";s:6:"tzzgx1";s:4:"path";s:4:",31,";s:4:"p_id";i:31;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:7:"contact";s:15:"detail_template";s:7:"contact";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:7:"summary";s:8:"Invetors";s:14:"detail_content";s:752:"

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SICC  GLOBAL株式会社
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投資者関係

担当：株主総会事務所
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Fax：＋86-531-85978212
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住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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半絶縁型SiCウェーハは、ワイドギャップ半導体材料であり、
且つ高周波動作に対応することが出来る材料です。
パワーデバイス領域と同様にその優れた物理特性が高周波デバイスにおいても有用であり、
５G通信技術等の発展に大きな役割が期待されています。

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

> お問い合せ

基本仕様

半絶縁型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 100 & 150
  • オフ角（°） 0
  • 厚み（μm） 500
  • 表面 Epi-ready
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経営理念
キーワード：品質的 先進的 持続的
品質的
お客様からの信頼の基本は、高品質であることと考え
品質の向上と安定を通して、企業価値の最大化を目指します
先進的
全てに先進的で最先端を志向し
最先端の開発体制、生産体制、マネージメント体制を通して、最先端の製品を実現します
持続的
持続的であることを価値観とし
すべてのステークスホルダーと持続的関係にあり続けることを目指します。
ビジョン
半導体材料のグローバルカンパニー
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未来の半導体を支える材料

単結晶SiCはこれまでの半導体材料と比べて、物性が大変優れたより高性能で高効率な新材料です。
高強度で耐熱性に優れ、熱伝導性が高いなどさまざまな特長を持っているため、
次世代の半導体材料として大いに期待されています。

SiCってどんな材料？

Si(シリコン) +C(カーボン)
SiC(シリコンカーバイド・炭化ケイ素)は、Si(シリコン):50at%とC(カーボン):50at%との組成を有する
Ⅳ-Ⅳ族の化合物半導体で、ダイヤモンドに次ぐとても硬度の高い材料です。

SiCの特徴は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはSiとCの原子間距離が短く(0.189)、結合エネルギーが高い(≠4.5eV)ため、以下の優れた特徴を持っています。
広い禁制帯幅（ワイドバンドギャップ）1
高い絶縁破壊電界強度2
高い熱伝導率（熱的安定性）3
電子飽和ドリフト速度（高スイッチング速度）4
4H-SiC Si GaAs GaN
禁制帯幅（eV）1 3.26 1.12 1.42 3.42
絶縁破壊電界強度（MV/cm）2 2.8 0.3 0.4 3
熱伝導率（W/cmK）3 4.9 1.5 0.46 1.3
電子飽和ドリフト速度（1E7 cm/s）4 2.7 1 2 2.7
1.バンドギャップ(禁制帯幅)の値が大きいことによって、より高い電圧、温度、周波数での動作が可能となります。

2.絶縁破壊電界強度とは、絶縁体に電界を加えたときに絶縁破壊をおこし絶縁体としての機能を失う限界値で、
値が大きいほど物質が壊れにくくなります。

3.高い熱伝導率によって放熱効果があり、熱的安定性に優れています。

4.飽和ドリフト速度とは、高い電界での電荷キャリアの最大速度をさします。
SiCはSiの約2倍の飽和ドリフト速度を有しているので、デバイスの高速スイッチング特性を得ることが期待できます。

SiCの半導体としての可能性は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはその高い熱的安定性と広いワイドバンドギャップで、
高温条件下での動作を求められるデバイスに適しています。


電力用パワーデバイス

電力用パワーデバイスとは、電気自動車(EV)や鉄道・産業機器、太陽光発電等のインバータ／コンバータに使われる半導体で、
電気自動車へ進む社会で大きな需要拡大が見込まれています。
現在のパワーデバイスはSi(シリコン)を用いることがほとんどです。SiCは、Siと比べると約10倍の絶縁破壊電界強度があり、
Siと比べて大幅にエネルギー効率の良い高性能なパワーデバイスの製作が可能です。
SiCのパワーデバイスへの採用はまだまだ少数ですが、Siの理論限界をゆうに超える可能性を持つSiCの高性能パワーデバイスが
様々な製品に搭載されるようになれば、社会に莫大な省電力化を実現できる、と言って良いと思います。

高周波(RF)デバイス

高周波(RF)デバイスとは、無線通信や光通信を支える半導体で、IoTやAlなど情報化社会のインフラに欠かせない半導体です。
携帯電話基地局のキーデバイスとして送信用増幅器があります。現在(2020年)整備が進められている第5世代基地局(5G基地局)の
送信用増幅器では、GaN-HEMT(窒化ガリウムHEMT)という高周波デバイスが規格化され搭載されております。
SiCは、このGaN-HEMT基板を生産する上での重要な下地基板として採用されており、これをGaN on SiC基板といいます。
5G(GaN-HEMT)を支える材料として、すでに広く社会に実装されています。
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私たちSICCのロゴタイプは、分節された「SIC」と「C」で構成されています。
私たちが単結晶炭化ケイ素ウェーハの専業ベンダーであることの象徴を意図して、
単結晶炭化ケイ素(SiCウェーハ)のSIC、CorporateのCとして意味づけています。

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単結晶SiCウェーハ製造方法

SICCではSiCパウダー合成から結晶成長、Waferingの一貫生産ラインを保有し、
エピレディの単結晶SiCウェーハを生産しています。

炭化ケイ素単結晶（SiC）は地球上において天然には存在しない物質なので、すべて人工的に製造されます。
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術でSiC単結晶を生産しています。
結晶成長中は2000度を超えるプロセスとなるので、成長途中の観察が困難なため、複雑なパラメーターと計算技術をもって
生産を管理しており、近年ではAI技術を導入するなど、最先端の成長技術に取り組んでいます。

昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、
単結晶SiCウェーハとなります。
完成した単結晶SiCウェーハは、エピタキシャル工程へ進み半導体デバイス製作のプロセスに入っていきますが、
これをエピレディウェーハといいます。

1.

パウダー合成

Si+C=SiCパウダー
SiとCを1:1の割合で合成し、SiCパウダーを製造します。
結晶成長における不純物混入を避けるため、
高純度プロセスで金属残留を出来るだけ防ぎます(0.5ppm以内)。
2.

種結晶

SiCパウダーをSiCの種結晶表面に蒸着させ、薄膜を形成しながら
インゴットを生成します。
3.

結晶成長

昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術で
単結晶SiCのインゴットを生産しています。
4.

スライス

昇華法でできたインゴットをスライスし、SiCウェーハの素地を作成。
5.

研削研磨

MP·CMP
スライスされたSiCウェーハ素地を化学機械研磨
(CMP=Chemical Mechanical Polish)で鏡面加工します。
6.

洗浄・検査

加工が終わったSiCウェーハを洗浄で清浄度を確認し、
その後厳しい検査を経てお客様の元に出荷します。（エピレディ基板）
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2021
上海・科創板市場 株式上場 認可
上海・新工場建設開始
2020
政府からユニコーン企業認定を得る
日本法人 SICC GLOBAL 設立
日本市場への体制拡充とグローバル市場拠点として再定義しSICC JAPANから変更）
2019
政府から最高レベルの技術大賞を受賞
2018
6インチ大口径プロセス技術確立
6インチ量産開始
日本法人SICC JAPAN設立
2017
本社工場の生産能力拡大投資
2015
本社新工場が竣工 生産能力拡充
2014
4インチプロセス技術で地方政府から最高賞を受賞
2013
4インチ大口径化プロセス技術確立
4インチ量産開始
2010
代表者より創立 資本金RMB6000万
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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F

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投資者関係

担当：株主総会事務所
Tel：＋86-531-69900616（中国語のみ）
Fax：＋86-531-85978212
E-Mail：dmo@sicc.cc
住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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ご挨拶


SICC GLOBALは、2018年設立のSICC JAPANを前身とするSICC（山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司）の日本法人で、日本市場への長期的なコミットメントの一環として2020年に設立された企業でございます。

私たちは日本の商習慣を踏まえた細やかさと、お客様へのダイレクトで迅速な対応を大切に、SICCの販売窓口・技術サービスセンターとして活動しております。

SICCは設立10年の節目に上海市場での株式上場を果たし、これから垂直的な成長を実現して参ります。日本法人SICC GLOBALはこれまで以上に日本のお客様の側に立って考え、お客様の生産性向上の一助となれるよう努力して参る所存です。

SICCが日本の皆様の愛される存在であることが出来るよう努めて参りますので、今後ともご指導ご鞭撻頂けますよう、どうぞ宜しくお願い致します。


会社概要

商号 ＳＩＣＣ ＧＬＯＢＡＬ 株式会社
(英文名 SICC GLOBAL CO.,LTD)
代表者 代表取締役 上山恭弘
資本金  11億円
設立 2020年6月8日
事業 SICC CO.,LTD 日本市場サービスセンター
SICC CO.,LTD 社製 単結晶炭化ケイ素基板(SiC) 販売
所在地 541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
株主 山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司(100%)

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私たちSICC （山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司・中国山東省济南市）は２０１０年に単結晶炭化ケイ素基板（SiCウェーハ）メーカーとして設立されました。

２０２２年現在では導電型（N-Type）、半絶縁型（Semi-insulating）ともに６インチ基板一貫生産の量産体制を構えています。更なる生産体制の拡充と、大口径化など品質向上の開発を進めており、２０２２年には本社工場に加えて、上海新工場が完成致します。

創業から、第一に品質を重視し、全てに最先端を志向することを通して、未来にコミットメントすることが出来る持続的な企業体を経営理念として事業を展開して参りました。

２０２１年創業１０年を経て、SiCウェーハのグローバルエコシステムにおいて一定の立場を確立し、半絶縁型SiCウェーハ市場（２０２０FY）ではグローバルTOP３のシェアを得ることが出来ました。さらに２０２１年には上海・科創板市場（STAR MARKET）において株式上場を実現し、更なる事業拡大の新たなステージに進むことになりました。

次の１０年も、品質基軸と最先端、持続的という経営理念を通して、より競争力のある製品開発を実現し、豊かな未来を結晶化＝具現化させる企業を目指して引き続き尽力して参ります。

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SICC  GLOBAL株式会社
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4H N型 SiCウェーハは、導電型の単結晶炭化ケイ素基板です
ホモエピタキシー用基板として使用されており
転移欠陥の改善や高い清浄度、高精度の加工技術を日々追求しています
直径150mmの量産体制を拡充しており、直径200mmの開発を進めています

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

＞ お問い合せ

基本仕様

N型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 150
  • オフ角（°） 4
  • 厚み（μm） 350
  • 表面 Epi-ready
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取締役、監督者および上級管理職
Directors, Supervisors and Senior Management
董事

  • 宗艳民先生

    宗艳民先生，61岁，本科学历，为本公司的董事长、执行董事兼总经理，于2010年11月2日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。
    宗先生在半导体材料的技术研发与产业化、工程以及企业管理领域拥有逾35年经验。2010年11月，宗先生创立了本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司，并于2010年11月至2020年11月期间历任董事会主席、执行董事及总经理。自2020年11月起，宗先生一直担任本公司董事长、董事兼总经理。

  • 高超先生

    高超先生，38岁，博士学历，为本公司执行董事兼首席技术官。彼于2019年8月15日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。
    高先生于半导体材料技术研发及产业化领域拥有逾十年经验。于2014年7月至2020年11月期间，彼先后在本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司担任研发工程师、研发中心主任、董事兼研发中心主任。自2020年11月起，高先生一直担任本公司的董事兼首席技术官。

  • 王俊国先生

    王俊国先生，47岁，于2025年7月2日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为执行董事。
    王先生在财务管理领域拥有丰富经验。彼于2016年8月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司财务总监，并自2020年11月起担任本公司财务总监，并自2024年8月起担任我们的证券事务代表。

  • 邱宇峰先生

    邱宇峰先生，65岁，硕士学历，于2024年2月29日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为非执行董事。邱先生于2020年11月至2021年1月期间担任本公司独立董事。
    邱先生在电力及半导体技术研发领域拥有逾30年经验。于1994年6月至1999年11月期间，彼先后在中国电力科学研究院电力系统研究所担任继电保护室主任及副所长；于1999年11月至2006年12月期间，彼在中国电力科学研究院输配电及节电 技术国家工程研究中心担任常务副主任；于2006年12月至2012年2月期间，彼在中国电力科学研究院担任副院长。邱先生于2012年2月至2020年2月期间，先后在全球能源互联网研究院有限公司（前称国网智能电网研究院）担任多个职位，包括副院长、院长、顾问及其他职位。邱先生现任厦门大学讲座教授，以及自2022年4月起担任博测锐创半导体科技（苏州）有限公司董事会主席兼总经理，自2022年5月起担任北京博测半导体科技有限公司执行董事兼总经理，自2023年6月起担任思源电气股份有限公司（一家于深圳证券交易所上市的公司（股票代码：002028））的独立董事，并自2023年9月起担任北京顺德盛企业管理合伙企业（有限合伙）的执行事务合伙人。

  • 李婉越女士

    李婉越女士，54岁，硕士学历，于2025年2月19日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为非执行董事。
    李女士在会计及融资领域拥有30年经验。彼于1994年7月至1999年7月期间任职于北京新型建筑材料总厂，离职前为助理会计师。 于1999年10月至2020年12月期间，李女士先后在北新建材（集团）有限公司担任多个职位，包括财务部会计、财务部经理及其他职位。自2022年12月起，彼一直担任中建材联合投资有限公司的总会计师。

  • 方伟先生

    方伟先生，50岁，硕士学历，于2024年2月29日获委任为董事，并于2025年2月19日获重新委任为非执行董事。
    方先生在无线产品工程及企业管理领域拥有逾25年经验。自1999年2月起，彼任职于一家从事ICT（信息与通信）基础设施和智能终端提供商业务的全球性企业，现任第五轨道外派董事。自2023年12月起，彼亦担任苏州东微半导体股份有限公司（一家于上海证券交易所上市的公司（股票代码：688261））董事。

  • 李洪辉先生

    李洪辉先生，61岁，博士学历，于2024年2月29日获委任为独立董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为独立非执行董事。
    李先生在财务管理领域拥有丰富的经验。彼任职于中华人民共和国财政部至2014年8月，最后职位为投资评审中心副主任。彼亦于2014年8月至2018年7月期间担任中国信达资产管理股份有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：1359））董事。李先生于2018年担任中华人民共和国财政部预算评审中心副主任。彼亦担任中海外科技开发有限公司董事长至2019年11月。自2022年6月起至2024年1月期间，彼担任北京中财宝信管理咨询有限公司执行董事。李先生自2023年6月起，担任中润辉铭（海南）投资有限公司执行董事、总经理兼财务总监；自2023年10月起， 担任华大卓越（北京）投资管理有限公司（前称北京百家信诚投资管理有限公司）执行董事、总经理兼财务总监；自2024年8月起，担任吉林省北药科技有限公司总经理；并自2024年10月起，担任辽宁北药金吉科技发展有限公司监事。

  • 刘华女士

    刘华女士，56岁，本科学历，于2024年2月29日获委任为独立董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为独立非执行董事。 刘女士在法律、监管及合规治理领域拥有丰富经验。彼于1992年7月至2002年3月期间在山东三联集团有限责任公司任职。于2002年7月至2007年2月及2007年2月至2008年7月，刘女士分别担任山东康桥律师事务所及北京天驰君泰律师事务所律师。于2008年8月至2019年10月期间，彼担任山东森信律师事务所合伙人及律师。自2019年11月起，刘女士担任北京天驰君泰（济南）律师事务所合伙人及律师。

  • 黎国鸿先生

    黎国鸿先生，61岁，硕士学历，于2025年2月19日获委任为独立董事，并于同日获调整董事角色为独立非执行董事。 黎先生在企业管治以及财务咨询及管理领域拥有丰富经验。彼于1989年7月至1996年8月期间前后在德勤·关黄陈方会计师行担任会计专员、高级会计师及经理。于1997年4月至2006年12月期间，黎先生就职于冠亚商业集团有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0104）），彼担任的最后职务为公司秘书兼财务总监。于2007年1月至2013年4月期间，黎先生在德祥地产集团有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0199））担任财务总监及在德祥企业集团有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0372））担任首席财务官兼公司秘书。自2013年8月起，黎先生在盛洋投资（控股）有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0174）） 担任执行董事及董事会投资委员会成员，并自2020年12月起兼任首席执行官。自2017年2月起，彼在桦欣控股有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：1657））担任独立非执行董事。
监事

  • 张红岩女士

    张红岩女士，38岁，硕士学历，于2020年11月7日获委任为监事兼监事会主席。 张女士在技术工程领域拥有丰富经验。彼先后于2012年4月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司质量部技术员、技术中心主管、销售技术支持及质量部经理。自2020年11月起，彼担任本公司质量部负责人及监事。

  • 宋建先生

    宋建先生，38岁，于2020年11月7日获委任为监事。 宋先生在碳化硅研发领域拥有丰富经验。彼先后于2011年8月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司碳化硅事业部技术员及负责人、技术中心主管及设备动力部经理。自2020年11月起，彼担任本公司工程部负责人及监事。

  • 窦文涛先生

    窦文涛先生，42岁，于2024年8月22日获委任为监事。 窦先生在项目管理及企业管治领域拥有丰富经验。窦先生先后于2010年10月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司项目经理、销售部经理、执行董事（代）及董事长助理。自2020年11月起，彼担任本公司董事长助理。
高级管理人员

  • 宗艳民先生

    宗艳民先生，61岁，本科学历，为本公司的董事长、执行董事兼总经理，于2010年11月2日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 宗先生在半导体材料的技术研发与产业化、工程以及企业管理领域拥有逾35年经验。2010年11月，宗先生创立了本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司，并于2010年11月至2020年11月期间历任董事会主席、执行董事及总经理。自2020年11月起，宗先生一直担任本公司董事长、董事兼总经理。

  • 高超先生

    高超先生，38岁，博士学历，为本公司执行董事兼首席技术官。彼于2019年8月15日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 高先生于半导体材料技术研发及产业化领域拥有逾十年经验。于2014年7月至2020年11月期间，彼先后在本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司担任研发工程师、研发中心主任、董事兼研发中心主任。自2020年11月起，高先生一直担任本公司的董事兼首席技术官。

  • 钟文庆先生

    钟文庆先生，57岁，自2022年8月起担任本公司董事会秘书。钟先生于2018年12月加入本集团，并先后于2018年12月至2019年8月期间担任本公司首席财务官，于2019年8月至2023年4月期间担任董事兼首席财务官，并于2023年4月至2024年2月期间担任董事。钟先生目前还在本公司的若干子公司中担任董事及╱或监事职务。 钟先生在会计与财务管理、资本市场及企业管治领域拥有逾25年经验。在加入本集团之前，彼于1998年1月至1999年2月期间在通用磨坊（中国）投资有限公司的品食乐大中华区担任财务经理。在美国施乐中国有限公司工作期间，钟先生担任财务总监及市场总监。其后彼于2003年12月至2005年4月在西门子工业软件（上海）有限公司担任财务分析高级经理。钟先生于2005年6月加入沃尔沃建筑设备（中国）有限公司并担任沃尔沃建筑设备公司中国区首席财务官。钟先生于2011年1月至2018年11月期间担任瑞迈国际有限公司总裁。

  • 游樱女士

    游樱女士，50岁，自2024年9月起担任本公司首席财务官。游女士自2024年4月加入本集团起一直担任上海太阳成集团tyc33455cc的财务总监。 游女士在会计与财务管理领域拥有逾25年经验。在加入本集团之前，彼于1998年7月至2004年12月期间在山东干聚有限责任会计师事务所担任审计经理。游女士于2004年12月至2024年3月期间在上汽通用东岳汽车有限公司担任高级财务经理。
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はたらく社員の全てに充実した待遇とキャリア形成の機会が等しく提供されること
(equal opportunity)を通して、株主様の利益を最大化できる企業であり続けます。
私たちは、より良い未来社会の一翼を担う会社であることを目指します。";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:1;s:8:"listsize";i:12;s:10:"created_at";s:10:"1641609945";s:10:"updated_at";s:10:"1642755251";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/viEdey6Vd6ICLLZspEUTSPGVw6jvYWWG9m0mkTt3.jpeg";s:4:"href";s:16:"/japan/qysm.html";s:5:"title";s:12:"企業使命";}i:10;a:26:{s:2:"id";i:39;s:4:"name";s:15:"投資者関係";s:3:"lan";s:5:"japan";s:7:"en_name";s:6:"tzzgx1";s:4:"path";s:4:",31,";s:4:"p_id";i:31;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:7:"contact";s:15:"detail_template";s:7:"contact";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:7:"summary";s:8:"Invetors";s:14:"detail_content";s:752:"

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半絶縁型SiCウェーハは、ワイドギャップ半導体材料であり、
且つ高周波動作に対応することが出来る材料です。
パワーデバイス領域と同様にその優れた物理特性が高周波デバイスにおいても有用であり、
５G通信技術等の発展に大きな役割が期待されています。

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

> お問い合せ

基本仕様

半絶縁型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 100 & 150
  • オフ角（°） 0
  • 厚み（μm） 500
  • 表面 Epi-ready
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経営理念
キーワード：品質的 先進的 持続的
品質的
お客様からの信頼の基本は、高品質であることと考え
品質の向上と安定を通して、企業価値の最大化を目指します
先進的
全てに先進的で最先端を志向し
最先端の開発体制、生産体制、マネージメント体制を通して、最先端の製品を実現します
持続的
持続的であることを価値観とし
すべてのステークスホルダーと持続的関係にあり続けることを目指します。
ビジョン
半導体材料のグローバルカンパニー
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未来の半導体を支える材料

単結晶SiCはこれまでの半導体材料と比べて、物性が大変優れたより高性能で高効率な新材料です。
高強度で耐熱性に優れ、熱伝導性が高いなどさまざまな特長を持っているため、
次世代の半導体材料として大いに期待されています。

SiCってどんな材料？

Si(シリコン) +C(カーボン)
SiC(シリコンカーバイド・炭化ケイ素)は、Si(シリコン):50at%とC(カーボン):50at%との組成を有する
Ⅳ-Ⅳ族の化合物半導体で、ダイヤモンドに次ぐとても硬度の高い材料です。

SiCの特徴は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはSiとCの原子間距離が短く(0.189)、結合エネルギーが高い(≠4.5eV)ため、以下の優れた特徴を持っています。
広い禁制帯幅（ワイドバンドギャップ）1
高い絶縁破壊電界強度2
高い熱伝導率（熱的安定性）3
電子飽和ドリフト速度（高スイッチング速度）4
4H-SiC Si GaAs GaN
禁制帯幅（eV）1 3.26 1.12 1.42 3.42
絶縁破壊電界強度（MV/cm）2 2.8 0.3 0.4 3
熱伝導率（W/cmK）3 4.9 1.5 0.46 1.3
電子飽和ドリフト速度（1E7 cm/s）4 2.7 1 2 2.7
1.バンドギャップ(禁制帯幅)の値が大きいことによって、より高い電圧、温度、周波数での動作が可能となります。

2.絶縁破壊電界強度とは、絶縁体に電界を加えたときに絶縁破壊をおこし絶縁体としての機能を失う限界値で、
値が大きいほど物質が壊れにくくなります。

3.高い熱伝導率によって放熱効果があり、熱的安定性に優れています。

4.飽和ドリフト速度とは、高い電界での電荷キャリアの最大速度をさします。
SiCはSiの約2倍の飽和ドリフト速度を有しているので、デバイスの高速スイッチング特性を得ることが期待できます。

SiCの半導体としての可能性は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはその高い熱的安定性と広いワイドバンドギャップで、
高温条件下での動作を求められるデバイスに適しています。


電力用パワーデバイス

電力用パワーデバイスとは、電気自動車(EV)や鉄道・産業機器、太陽光発電等のインバータ／コンバータに使われる半導体で、
電気自動車へ進む社会で大きな需要拡大が見込まれています。
現在のパワーデバイスはSi(シリコン)を用いることがほとんどです。SiCは、Siと比べると約10倍の絶縁破壊電界強度があり、
Siと比べて大幅にエネルギー効率の良い高性能なパワーデバイスの製作が可能です。
SiCのパワーデバイスへの採用はまだまだ少数ですが、Siの理論限界をゆうに超える可能性を持つSiCの高性能パワーデバイスが
様々な製品に搭載されるようになれば、社会に莫大な省電力化を実現できる、と言って良いと思います。

高周波(RF)デバイス

高周波(RF)デバイスとは、無線通信や光通信を支える半導体で、IoTやAlなど情報化社会のインフラに欠かせない半導体です。
携帯電話基地局のキーデバイスとして送信用増幅器があります。現在(2020年)整備が進められている第5世代基地局(5G基地局)の
送信用増幅器では、GaN-HEMT(窒化ガリウムHEMT)という高周波デバイスが規格化され搭載されております。
SiCは、このGaN-HEMT基板を生産する上での重要な下地基板として採用されており、これをGaN on SiC基板といいます。
5G(GaN-HEMT)を支える材料として、すでに広く社会に実装されています。
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私たちSICCのロゴタイプは、分節された「SIC」と「C」で構成されています。
私たちが単結晶炭化ケイ素ウェーハの専業ベンダーであることの象徴を意図して、
単結晶炭化ケイ素(SiCウェーハ)のSIC、CorporateのCとして意味づけています。

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単結晶SiCウェーハ製造方法

SICCではSiCパウダー合成から結晶成長、Waferingの一貫生産ラインを保有し、
エピレディの単結晶SiCウェーハを生産しています。

炭化ケイ素単結晶（SiC）は地球上において天然には存在しない物質なので、すべて人工的に製造されます。
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術でSiC単結晶を生産しています。
結晶成長中は2000度を超えるプロセスとなるので、成長途中の観察が困難なため、複雑なパラメーターと計算技術をもって
生産を管理しており、近年ではAI技術を導入するなど、最先端の成長技術に取り組んでいます。

昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、
単結晶SiCウェーハとなります。
完成した単結晶SiCウェーハは、エピタキシャル工程へ進み半導体デバイス製作のプロセスに入っていきますが、
これをエピレディウェーハといいます。

1.

パウダー合成

Si+C=SiCパウダー
SiとCを1:1の割合で合成し、SiCパウダーを製造します。
結晶成長における不純物混入を避けるため、
高純度プロセスで金属残留を出来るだけ防ぎます(0.5ppm以内)。
2.

種結晶

SiCパウダーをSiCの種結晶表面に蒸着させ、薄膜を形成しながら
インゴットを生成します。
3.

結晶成長

昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術で
単結晶SiCのインゴットを生産しています。
4.

スライス

昇華法でできたインゴットをスライスし、SiCウェーハの素地を作成。
5.

研削研磨

MP·CMP
スライスされたSiCウェーハ素地を化学機械研磨
(CMP=Chemical Mechanical Polish)で鏡面加工します。
6.

洗浄・検査

加工が終わったSiCウェーハを洗浄で清浄度を確認し、
その後厳しい検査を経てお客様の元に出荷します。（エピレディ基板）
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2021
上海・科創板市場 株式上場 認可
上海・新工場建設開始
2020
政府からユニコーン企業認定を得る
日本法人 SICC GLOBAL 設立
日本市場への体制拡充とグローバル市場拠点として再定義しSICC JAPANから変更）
2019
政府から最高レベルの技術大賞を受賞
2018
6インチ大口径プロセス技術確立
6インチ量産開始
日本法人SICC JAPAN設立
2017
本社工場の生産能力拡大投資
2015
本社新工場が竣工 生産能力拡充
2014
4インチプロセス技術で地方政府から最高賞を受賞
2013
4インチ大口径化プロセス技術確立
4インチ量産開始
2010
代表者より創立 資本金RMB6000万
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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F

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投資者関係

担当：株主総会事務所
Tel：＋86-531-69900616（中国語のみ）
Fax：＋86-531-85978212
E-Mail：dmo@sicc.cc
住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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ご挨拶


SICC GLOBALは、2018年設立のSICC JAPANを前身とするSICC（山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司）の日本法人で、日本市場への長期的なコミットメントの一環として2020年に設立された企業でございます。

私たちは日本の商習慣を踏まえた細やかさと、お客様へのダイレクトで迅速な対応を大切に、SICCの販売窓口・技術サービスセンターとして活動しております。

SICCは設立10年の節目に上海市場での株式上場を果たし、これから垂直的な成長を実現して参ります。日本法人SICC GLOBALはこれまで以上に日本のお客様の側に立って考え、お客様の生産性向上の一助となれるよう努力して参る所存です。

SICCが日本の皆様の愛される存在であることが出来るよう努めて参りますので、今後ともご指導ご鞭撻頂けますよう、どうぞ宜しくお願い致します。


会社概要

商号 ＳＩＣＣ ＧＬＯＢＡＬ 株式会社
(英文名 SICC GLOBAL CO.,LTD)
代表者 代表取締役 上山恭弘
資本金  11億円
設立 2020年6月8日
事業 SICC CO.,LTD 日本市場サービスセンター
SICC CO.,LTD 社製 単結晶炭化ケイ素基板(SiC) 販売
所在地 541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
株主 山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司(100%)

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私たちSICC （山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司・中国山東省济南市）は２０１０年に単結晶炭化ケイ素基板（SiCウェーハ）メーカーとして設立されました。

２０２２年現在では導電型（N-Type）、半絶縁型（Semi-insulating）ともに６インチ基板一貫生産の量産体制を構えています。更なる生産体制の拡充と、大口径化など品質向上の開発を進めており、２０２２年には本社工場に加えて、上海新工場が完成致します。

創業から、第一に品質を重視し、全てに最先端を志向することを通して、未来にコミットメントすることが出来る持続的な企業体を経営理念として事業を展開して参りました。

２０２１年創業１０年を経て、SiCウェーハのグローバルエコシステムにおいて一定の立場を確立し、半絶縁型SiCウェーハ市場（２０２０FY）ではグローバルTOP３のシェアを得ることが出来ました。さらに２０２１年には上海・科創板市場（STAR MARKET）において株式上場を実現し、更なる事業拡大の新たなステージに進むことになりました。

次の１０年も、品質基軸と最先端、持続的という経営理念を通して、より競争力のある製品開発を実現し、豊かな未来を結晶化＝具現化させる企業を目指して引き続き尽力して参ります。

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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
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4H N型 SiCウェーハは、導電型の単結晶炭化ケイ素基板です
ホモエピタキシー用基板として使用されており
転移欠陥の改善や高い清浄度、高精度の加工技術を日々追求しています
直径150mmの量産体制を拡充しており、直径200mmの開発を進めています

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

＞ お問い合せ

基本仕様

N型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 150
  • オフ角（°） 4
  • 厚み（μm） 350
  • 表面 Epi-ready
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取締役、監督者および上級管理職
Directors, Supervisors and Senior Management
董事

  • 宗艳民先生

    宗艳民先生，61岁，本科学历，为本公司的董事长、执行董事兼总经理，于2010年11月2日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。
    宗先生在半导体材料的技术研发与产业化、工程以及企业管理领域拥有逾35年经验。2010年11月，宗先生创立了本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司，并于2010年11月至2020年11月期间历任董事会主席、执行董事及总经理。自2020年11月起，宗先生一直担任本公司董事长、董事兼总经理。

  • 高超先生

    高超先生，38岁，博士学历，为本公司执行董事兼首席技术官。彼于2019年8月15日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。
    高先生于半导体材料技术研发及产业化领域拥有逾十年经验。于2014年7月至2020年11月期间，彼先后在本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司担任研发工程师、研发中心主任、董事兼研发中心主任。自2020年11月起，高先生一直担任本公司的董事兼首席技术官。

  • 王俊国先生

    王俊国先生，47岁，于2025年7月2日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为执行董事。
    王先生在财务管理领域拥有丰富经验。彼于2016年8月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司财务总监，并自2020年11月起担任本公司财务总监，并自2024年8月起担任我们的证券事务代表。

  • 邱宇峰先生

    邱宇峰先生，65岁，硕士学历，于2024年2月29日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为非执行董事。邱先生于2020年11月至2021年1月期间担任本公司独立董事。
    邱先生在电力及半导体技术研发领域拥有逾30年经验。于1994年6月至1999年11月期间，彼先后在中国电力科学研究院电力系统研究所担任继电保护室主任及副所长；于1999年11月至2006年12月期间，彼在中国电力科学研究院输配电及节电 技术国家工程研究中心担任常务副主任；于2006年12月至2012年2月期间，彼在中国电力科学研究院担任副院长。邱先生于2012年2月至2020年2月期间，先后在全球能源互联网研究院有限公司（前称国网智能电网研究院）担任多个职位，包括副院长、院长、顾问及其他职位。邱先生现任厦门大学讲座教授，以及自2022年4月起担任博测锐创半导体科技（苏州）有限公司董事会主席兼总经理，自2022年5月起担任北京博测半导体科技有限公司执行董事兼总经理，自2023年6月起担任思源电气股份有限公司（一家于深圳证券交易所上市的公司（股票代码：002028））的独立董事，并自2023年9月起担任北京顺德盛企业管理合伙企业（有限合伙）的执行事务合伙人。

  • 李婉越女士

    李婉越女士，54岁，硕士学历，于2025年2月19日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为非执行董事。
    李女士在会计及融资领域拥有30年经验。彼于1994年7月至1999年7月期间任职于北京新型建筑材料总厂，离职前为助理会计师。 于1999年10月至2020年12月期间，李女士先后在北新建材（集团）有限公司担任多个职位，包括财务部会计、财务部经理及其他职位。自2022年12月起，彼一直担任中建材联合投资有限公司的总会计师。

  • 方伟先生

    方伟先生，50岁，硕士学历，于2024年2月29日获委任为董事，并于2025年2月19日获重新委任为非执行董事。
    方先生在无线产品工程及企业管理领域拥有逾25年经验。自1999年2月起，彼任职于一家从事ICT（信息与通信）基础设施和智能终端提供商业务的全球性企业，现任第五轨道外派董事。自2023年12月起，彼亦担任苏州东微半导体股份有限公司（一家于上海证券交易所上市的公司（股票代码：688261））董事。

  • 李洪辉先生

    李洪辉先生，61岁，博士学历，于2024年2月29日获委任为独立董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为独立非执行董事。
    李先生在财务管理领域拥有丰富的经验。彼任职于中华人民共和国财政部至2014年8月，最后职位为投资评审中心副主任。彼亦于2014年8月至2018年7月期间担任中国信达资产管理股份有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：1359））董事。李先生于2018年担任中华人民共和国财政部预算评审中心副主任。彼亦担任中海外科技开发有限公司董事长至2019年11月。自2022年6月起至2024年1月期间，彼担任北京中财宝信管理咨询有限公司执行董事。李先生自2023年6月起，担任中润辉铭（海南）投资有限公司执行董事、总经理兼财务总监；自2023年10月起， 担任华大卓越（北京）投资管理有限公司（前称北京百家信诚投资管理有限公司）执行董事、总经理兼财务总监；自2024年8月起，担任吉林省北药科技有限公司总经理；并自2024年10月起，担任辽宁北药金吉科技发展有限公司监事。

  • 刘华女士

    刘华女士，56岁，本科学历，于2024年2月29日获委任为独立董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为独立非执行董事。 刘女士在法律、监管及合规治理领域拥有丰富经验。彼于1992年7月至2002年3月期间在山东三联集团有限责任公司任职。于2002年7月至2007年2月及2007年2月至2008年7月，刘女士分别担任山东康桥律师事务所及北京天驰君泰律师事务所律师。于2008年8月至2019年10月期间，彼担任山东森信律师事务所合伙人及律师。自2019年11月起，刘女士担任北京天驰君泰（济南）律师事务所合伙人及律师。

  • 黎国鸿先生

    黎国鸿先生，61岁，硕士学历，于2025年2月19日获委任为独立董事，并于同日获调整董事角色为独立非执行董事。 黎先生在企业管治以及财务咨询及管理领域拥有丰富经验。彼于1989年7月至1996年8月期间前后在德勤·关黄陈方会计师行担任会计专员、高级会计师及经理。于1997年4月至2006年12月期间，黎先生就职于冠亚商业集团有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0104）），彼担任的最后职务为公司秘书兼财务总监。于2007年1月至2013年4月期间，黎先生在德祥地产集团有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0199））担任财务总监及在德祥企业集团有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0372））担任首席财务官兼公司秘书。自2013年8月起，黎先生在盛洋投资（控股）有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0174）） 担任执行董事及董事会投资委员会成员，并自2020年12月起兼任首席执行官。自2017年2月起，彼在桦欣控股有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：1657））担任独立非执行董事。
监事

  • 张红岩女士

    张红岩女士，38岁，硕士学历，于2020年11月7日获委任为监事兼监事会主席。 张女士在技术工程领域拥有丰富经验。彼先后于2012年4月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司质量部技术员、技术中心主管、销售技术支持及质量部经理。自2020年11月起，彼担任本公司质量部负责人及监事。

  • 宋建先生

    宋建先生，38岁，于2020年11月7日获委任为监事。 宋先生在碳化硅研发领域拥有丰富经验。彼先后于2011年8月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司碳化硅事业部技术员及负责人、技术中心主管及设备动力部经理。自2020年11月起，彼担任本公司工程部负责人及监事。

  • 窦文涛先生

    窦文涛先生，42岁，于2024年8月22日获委任为监事。 窦先生在项目管理及企业管治领域拥有丰富经验。窦先生先后于2010年10月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司项目经理、销售部经理、执行董事（代）及董事长助理。自2020年11月起，彼担任本公司董事长助理。
高级管理人员

  • 宗艳民先生

    宗艳民先生，61岁，本科学历，为本公司的董事长、执行董事兼总经理，于2010年11月2日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 宗先生在半导体材料的技术研发与产业化、工程以及企业管理领域拥有逾35年经验。2010年11月，宗先生创立了本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司，并于2010年11月至2020年11月期间历任董事会主席、执行董事及总经理。自2020年11月起，宗先生一直担任本公司董事长、董事兼总经理。

  • 高超先生

    高超先生，38岁，博士学历，为本公司执行董事兼首席技术官。彼于2019年8月15日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 高先生于半导体材料技术研发及产业化领域拥有逾十年经验。于2014年7月至2020年11月期间，彼先后在本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司担任研发工程师、研发中心主任、董事兼研发中心主任。自2020年11月起，高先生一直担任本公司的董事兼首席技术官。

  • 钟文庆先生

    钟文庆先生，57岁，自2022年8月起担任本公司董事会秘书。钟先生于2018年12月加入本集团，并先后于2018年12月至2019年8月期间担任本公司首席财务官，于2019年8月至2023年4月期间担任董事兼首席财务官，并于2023年4月至2024年2月期间担任董事。钟先生目前还在本公司的若干子公司中担任董事及╱或监事职务。 钟先生在会计与财务管理、资本市场及企业管治领域拥有逾25年经验。在加入本集团之前，彼于1998年1月至1999年2月期间在通用磨坊（中国）投资有限公司的品食乐大中华区担任财务经理。在美国施乐中国有限公司工作期间，钟先生担任财务总监及市场总监。其后彼于2003年12月至2005年4月在西门子工业软件（上海）有限公司担任财务分析高级经理。钟先生于2005年6月加入沃尔沃建筑设备（中国）有限公司并担任沃尔沃建筑设备公司中国区首席财务官。钟先生于2011年1月至2018年11月期间担任瑞迈国际有限公司总裁。

  • 游樱女士

    游樱女士，50岁，自2024年9月起担任本公司首席财务官。游女士自2024年4月加入本集团起一直担任上海太阳成集团tyc33455cc的财务总监。 游女士在会计与财务管理领域拥有逾25年经验。在加入本集团之前，彼于1998年7月至2004年12月期间在山东干聚有限责任会计师事务所担任审计经理。游女士于2004年12月至2024年3月期间在上汽通用东岳汽车有限公司担任高级财务经理。
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(equal opportunity)を通して、株主様の利益を最大化できる企業であり続けます。
私たちは、より良い未来社会の一翼を担う会社であることを目指します。";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:1;s:8:"listsize";i:12;s:10:"created_at";s:10:"1641609945";s:10:"updated_at";s:10:"1642755251";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/viEdey6Vd6ICLLZspEUTSPGVw6jvYWWG9m0mkTt3.jpeg";s:4:"href";s:16:"/japan/qysm.html";s:5:"title";s:12:"企業使命";}i:10;a:26:{s:2:"id";i:39;s:4:"name";s:15:"投資者関係";s:3:"lan";s:5:"japan";s:7:"en_name";s:6:"tzzgx1";s:4:"path";s:4:",31,";s:4:"p_id";i:31;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:7:"contact";s:15:"detail_template";s:7:"contact";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:7:"summary";s:8:"Invetors";s:14:"detail_content";s:752:"

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半絶縁型SiCウェーハは、ワイドギャップ半導体材料であり、
且つ高周波動作に対応することが出来る材料です。
パワーデバイス領域と同様にその優れた物理特性が高周波デバイスにおいても有用であり、
５G通信技術等の発展に大きな役割が期待されています。

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

> お問い合せ

基本仕様

半絶縁型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 100 & 150
  • オフ角（°） 0
  • 厚み（μm） 500
  • 表面 Epi-ready
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経営理念
キーワード：品質的 先進的 持続的
品質的
お客様からの信頼の基本は、高品質であることと考え
品質の向上と安定を通して、企業価値の最大化を目指します
先進的
全てに先進的で最先端を志向し
最先端の開発体制、生産体制、マネージメント体制を通して、最先端の製品を実現します
持続的
持続的であることを価値観とし
すべてのステークスホルダーと持続的関係にあり続けることを目指します。
ビジョン
半導体材料のグローバルカンパニー
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未来の半導体を支える材料

単結晶SiCはこれまでの半導体材料と比べて、物性が大変優れたより高性能で高効率な新材料です。
高強度で耐熱性に優れ、熱伝導性が高いなどさまざまな特長を持っているため、
次世代の半導体材料として大いに期待されています。

SiCってどんな材料？

Si(シリコン) +C(カーボン)
SiC(シリコンカーバイド・炭化ケイ素)は、Si(シリコン):50at%とC(カーボン):50at%との組成を有する
Ⅳ-Ⅳ族の化合物半導体で、ダイヤモンドに次ぐとても硬度の高い材料です。

SiCの特徴は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはSiとCの原子間距離が短く(0.189)、結合エネルギーが高い(≠4.5eV)ため、以下の優れた特徴を持っています。
広い禁制帯幅（ワイドバンドギャップ）1
高い絶縁破壊電界強度2
高い熱伝導率（熱的安定性）3
電子飽和ドリフト速度（高スイッチング速度）4
4H-SiC Si GaAs GaN
禁制帯幅（eV）1 3.26 1.12 1.42 3.42
絶縁破壊電界強度（MV/cm）2 2.8 0.3 0.4 3
熱伝導率（W/cmK）3 4.9 1.5 0.46 1.3
電子飽和ドリフト速度（1E7 cm/s）4 2.7 1 2 2.7
1.バンドギャップ(禁制帯幅)の値が大きいことによって、より高い電圧、温度、周波数での動作が可能となります。

2.絶縁破壊電界強度とは、絶縁体に電界を加えたときに絶縁破壊をおこし絶縁体としての機能を失う限界値で、
値が大きいほど物質が壊れにくくなります。

3.高い熱伝導率によって放熱効果があり、熱的安定性に優れています。

4.飽和ドリフト速度とは、高い電界での電荷キャリアの最大速度をさします。
SiCはSiの約2倍の飽和ドリフト速度を有しているので、デバイスの高速スイッチング特性を得ることが期待できます。

SiCの半導体としての可能性は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはその高い熱的安定性と広いワイドバンドギャップで、
高温条件下での動作を求められるデバイスに適しています。


電力用パワーデバイス

電力用パワーデバイスとは、電気自動車(EV)や鉄道・産業機器、太陽光発電等のインバータ／コンバータに使われる半導体で、
電気自動車へ進む社会で大きな需要拡大が見込まれています。
現在のパワーデバイスはSi(シリコン)を用いることがほとんどです。SiCは、Siと比べると約10倍の絶縁破壊電界強度があり、
Siと比べて大幅にエネルギー効率の良い高性能なパワーデバイスの製作が可能です。
SiCのパワーデバイスへの採用はまだまだ少数ですが、Siの理論限界をゆうに超える可能性を持つSiCの高性能パワーデバイスが
様々な製品に搭載されるようになれば、社会に莫大な省電力化を実現できる、と言って良いと思います。

高周波(RF)デバイス

高周波(RF)デバイスとは、無線通信や光通信を支える半導体で、IoTやAlなど情報化社会のインフラに欠かせない半導体です。
携帯電話基地局のキーデバイスとして送信用増幅器があります。現在(2020年)整備が進められている第5世代基地局(5G基地局)の
送信用増幅器では、GaN-HEMT(窒化ガリウムHEMT)という高周波デバイスが規格化され搭載されております。
SiCは、このGaN-HEMT基板を生産する上での重要な下地基板として採用されており、これをGaN on SiC基板といいます。
5G(GaN-HEMT)を支える材料として、すでに広く社会に実装されています。
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私たちSICCのロゴタイプは、分節された「SIC」と「C」で構成されています。
私たちが単結晶炭化ケイ素ウェーハの専業ベンダーであることの象徴を意図して、
単結晶炭化ケイ素(SiCウェーハ)のSIC、CorporateのCとして意味づけています。

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単結晶SiCウェーハ製造方法

SICCではSiCパウダー合成から結晶成長、Waferingの一貫生産ラインを保有し、
エピレディの単結晶SiCウェーハを生産しています。

炭化ケイ素単結晶（SiC）は地球上において天然には存在しない物質なので、すべて人工的に製造されます。
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術でSiC単結晶を生産しています。
結晶成長中は2000度を超えるプロセスとなるので、成長途中の観察が困難なため、複雑なパラメーターと計算技術をもって
生産を管理しており、近年ではAI技術を導入するなど、最先端の成長技術に取り組んでいます。

昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、
単結晶SiCウェーハとなります。
完成した単結晶SiCウェーハは、エピタキシャル工程へ進み半導体デバイス製作のプロセスに入っていきますが、
これをエピレディウェーハといいます。

1.

パウダー合成

Si+C=SiCパウダー
SiとCを1:1の割合で合成し、SiCパウダーを製造します。
結晶成長における不純物混入を避けるため、
高純度プロセスで金属残留を出来るだけ防ぎます(0.5ppm以内)。
2.

種結晶

SiCパウダーをSiCの種結晶表面に蒸着させ、薄膜を形成しながら
インゴットを生成します。
3.

結晶成長

昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術で
単結晶SiCのインゴットを生産しています。
4.

スライス

昇華法でできたインゴットをスライスし、SiCウェーハの素地を作成。
5.

研削研磨

MP·CMP
スライスされたSiCウェーハ素地を化学機械研磨
(CMP=Chemical Mechanical Polish)で鏡面加工します。
6.

洗浄・検査

加工が終わったSiCウェーハを洗浄で清浄度を確認し、
その後厳しい検査を経てお客様の元に出荷します。（エピレディ基板）
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2021
上海・科創板市場 株式上場 認可
上海・新工場建設開始
2020
政府からユニコーン企業認定を得る
日本法人 SICC GLOBAL 設立
日本市場への体制拡充とグローバル市場拠点として再定義しSICC JAPANから変更）
2019
政府から最高レベルの技術大賞を受賞
2018
6インチ大口径プロセス技術確立
6インチ量産開始
日本法人SICC JAPAN設立
2017
本社工場の生産能力拡大投資
2015
本社新工場が竣工 生産能力拡充
2014
4インチプロセス技術で地方政府から最高賞を受賞
2013
4インチ大口径化プロセス技術確立
4インチ量産開始
2010
代表者より創立 資本金RMB6000万
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SICC  GLOBAL株式会社
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投資者関係

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住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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ご挨拶


SICC GLOBALは、2018年設立のSICC JAPANを前身とするSICC（山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司）の日本法人で、日本市場への長期的なコミットメントの一環として2020年に設立された企業でございます。

私たちは日本の商習慣を踏まえた細やかさと、お客様へのダイレクトで迅速な対応を大切に、SICCの販売窓口・技術サービスセンターとして活動しております。

SICCは設立10年の節目に上海市場での株式上場を果たし、これから垂直的な成長を実現して参ります。日本法人SICC GLOBALはこれまで以上に日本のお客様の側に立って考え、お客様の生産性向上の一助となれるよう努力して参る所存です。

SICCが日本の皆様の愛される存在であることが出来るよう努めて参りますので、今後ともご指導ご鞭撻頂けますよう、どうぞ宜しくお願い致します。


会社概要

商号 ＳＩＣＣ ＧＬＯＢＡＬ 株式会社
(英文名 SICC GLOBAL CO.,LTD)
代表者 代表取締役 上山恭弘
資本金  11億円
設立 2020年6月8日
事業 SICC CO.,LTD 日本市場サービスセンター
SICC CO.,LTD 社製 単結晶炭化ケイ素基板(SiC) 販売
所在地 541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
株主 山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司(100%)

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私たちSICC （山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司・中国山東省济南市）は２０１０年に単結晶炭化ケイ素基板（SiCウェーハ）メーカーとして設立されました。

２０２２年現在では導電型（N-Type）、半絶縁型（Semi-insulating）ともに６インチ基板一貫生産の量産体制を構えています。更なる生産体制の拡充と、大口径化など品質向上の開発を進めており、２０２２年には本社工場に加えて、上海新工場が完成致します。

創業から、第一に品質を重視し、全てに最先端を志向することを通して、未来にコミットメントすることが出来る持続的な企業体を経営理念として事業を展開して参りました。

２０２１年創業１０年を経て、SiCウェーハのグローバルエコシステムにおいて一定の立場を確立し、半絶縁型SiCウェーハ市場（２０２０FY）ではグローバルTOP３のシェアを得ることが出来ました。さらに２０２１年には上海・科創板市場（STAR MARKET）において株式上場を実現し、更なる事業拡大の新たなステージに進むことになりました。

次の１０年も、品質基軸と最先端、持続的という経営理念を通して、より競争力のある製品開発を実現し、豊かな未来を結晶化＝具現化させる企業を目指して引き続き尽力して参ります。

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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
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4H N型 SiCウェーハは、導電型の単結晶炭化ケイ素基板です
ホモエピタキシー用基板として使用されており
転移欠陥の改善や高い清浄度、高精度の加工技術を日々追求しています
直径150mmの量産体制を拡充しており、直径200mmの開発を進めています

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

＞ お問い合せ

基本仕様

N型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 150
  • オフ角（°） 4
  • 厚み（μm） 350
  • 表面 Epi-ready
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取締役、監督者および上級管理職
Directors, Supervisors and Senior Management
董事

  • 宗艳民先生

    宗艳民先生，61岁，本科学历，为本公司的董事长、执行董事兼总经理，于2010年11月2日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。
    宗先生在半导体材料的技术研发与产业化、工程以及企业管理领域拥有逾35年经验。2010年11月，宗先生创立了本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司，并于2010年11月至2020年11月期间历任董事会主席、执行董事及总经理。自2020年11月起，宗先生一直担任本公司董事长、董事兼总经理。

  • 高超先生

    高超先生，38岁，博士学历，为本公司执行董事兼首席技术官。彼于2019年8月15日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。
    高先生于半导体材料技术研发及产业化领域拥有逾十年经验。于2014年7月至2020年11月期间，彼先后在本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司担任研发工程师、研发中心主任、董事兼研发中心主任。自2020年11月起，高先生一直担任本公司的董事兼首席技术官。

  • 王俊国先生

    王俊国先生，47岁，于2025年7月2日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为执行董事。
    王先生在财务管理领域拥有丰富经验。彼于2016年8月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司财务总监，并自2020年11月起担任本公司财务总监，并自2024年8月起担任我们的证券事务代表。

  • 邱宇峰先生

    邱宇峰先生，65岁，硕士学历，于2024年2月29日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为非执行董事。邱先生于2020年11月至2021年1月期间担任本公司独立董事。
    邱先生在电力及半导体技术研发领域拥有逾30年经验。于1994年6月至1999年11月期间，彼先后在中国电力科学研究院电力系统研究所担任继电保护室主任及副所长；于1999年11月至2006年12月期间，彼在中国电力科学研究院输配电及节电 技术国家工程研究中心担任常务副主任；于2006年12月至2012年2月期间，彼在中国电力科学研究院担任副院长。邱先生于2012年2月至2020年2月期间，先后在全球能源互联网研究院有限公司（前称国网智能电网研究院）担任多个职位，包括副院长、院长、顾问及其他职位。邱先生现任厦门大学讲座教授，以及自2022年4月起担任博测锐创半导体科技（苏州）有限公司董事会主席兼总经理，自2022年5月起担任北京博测半导体科技有限公司执行董事兼总经理，自2023年6月起担任思源电气股份有限公司（一家于深圳证券交易所上市的公司（股票代码：002028））的独立董事，并自2023年9月起担任北京顺德盛企业管理合伙企业（有限合伙）的执行事务合伙人。

  • 李婉越女士

    李婉越女士，54岁，硕士学历，于2025年2月19日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为非执行董事。
    李女士在会计及融资领域拥有30年经验。彼于1994年7月至1999年7月期间任职于北京新型建筑材料总厂，离职前为助理会计师。 于1999年10月至2020年12月期间，李女士先后在北新建材（集团）有限公司担任多个职位，包括财务部会计、财务部经理及其他职位。自2022年12月起，彼一直担任中建材联合投资有限公司的总会计师。

  • 方伟先生

    方伟先生，50岁，硕士学历，于2024年2月29日获委任为董事，并于2025年2月19日获重新委任为非执行董事。
    方先生在无线产品工程及企业管理领域拥有逾25年经验。自1999年2月起，彼任职于一家从事ICT（信息与通信）基础设施和智能终端提供商业务的全球性企业，现任第五轨道外派董事。自2023年12月起，彼亦担任苏州东微半导体股份有限公司（一家于上海证券交易所上市的公司（股票代码：688261））董事。

  • 李洪辉先生

    李洪辉先生，61岁，博士学历，于2024年2月29日获委任为独立董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为独立非执行董事。
    李先生在财务管理领域拥有丰富的经验。彼任职于中华人民共和国财政部至2014年8月，最后职位为投资评审中心副主任。彼亦于2014年8月至2018年7月期间担任中国信达资产管理股份有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：1359））董事。李先生于2018年担任中华人民共和国财政部预算评审中心副主任。彼亦担任中海外科技开发有限公司董事长至2019年11月。自2022年6月起至2024年1月期间，彼担任北京中财宝信管理咨询有限公司执行董事。李先生自2023年6月起，担任中润辉铭（海南）投资有限公司执行董事、总经理兼财务总监；自2023年10月起， 担任华大卓越（北京）投资管理有限公司（前称北京百家信诚投资管理有限公司）执行董事、总经理兼财务总监；自2024年8月起，担任吉林省北药科技有限公司总经理；并自2024年10月起，担任辽宁北药金吉科技发展有限公司监事。

  • 刘华女士

    刘华女士，56岁，本科学历，于2024年2月29日获委任为独立董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为独立非执行董事。 刘女士在法律、监管及合规治理领域拥有丰富经验。彼于1992年7月至2002年3月期间在山东三联集团有限责任公司任职。于2002年7月至2007年2月及2007年2月至2008年7月，刘女士分别担任山东康桥律师事务所及北京天驰君泰律师事务所律师。于2008年8月至2019年10月期间，彼担任山东森信律师事务所合伙人及律师。自2019年11月起，刘女士担任北京天驰君泰（济南）律师事务所合伙人及律师。

  • 黎国鸿先生

    黎国鸿先生，61岁，硕士学历，于2025年2月19日获委任为独立董事，并于同日获调整董事角色为独立非执行董事。 黎先生在企业管治以及财务咨询及管理领域拥有丰富经验。彼于1989年7月至1996年8月期间前后在德勤·关黄陈方会计师行担任会计专员、高级会计师及经理。于1997年4月至2006年12月期间，黎先生就职于冠亚商业集团有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0104）），彼担任的最后职务为公司秘书兼财务总监。于2007年1月至2013年4月期间，黎先生在德祥地产集团有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0199））担任财务总监及在德祥企业集团有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0372））担任首席财务官兼公司秘书。自2013年8月起，黎先生在盛洋投资（控股）有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0174）） 担任执行董事及董事会投资委员会成员，并自2020年12月起兼任首席执行官。自2017年2月起，彼在桦欣控股有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：1657））担任独立非执行董事。
监事

  • 张红岩女士

    张红岩女士，38岁，硕士学历，于2020年11月7日获委任为监事兼监事会主席。 张女士在技术工程领域拥有丰富经验。彼先后于2012年4月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司质量部技术员、技术中心主管、销售技术支持及质量部经理。自2020年11月起，彼担任本公司质量部负责人及监事。

  • 宋建先生

    宋建先生，38岁，于2020年11月7日获委任为监事。 宋先生在碳化硅研发领域拥有丰富经验。彼先后于2011年8月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司碳化硅事业部技术员及负责人、技术中心主管及设备动力部经理。自2020年11月起，彼担任本公司工程部负责人及监事。

  • 窦文涛先生

    窦文涛先生，42岁，于2024年8月22日获委任为监事。 窦先生在项目管理及企业管治领域拥有丰富经验。窦先生先后于2010年10月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司项目经理、销售部经理、执行董事（代）及董事长助理。自2020年11月起，彼担任本公司董事长助理。
高级管理人员

  • 宗艳民先生

    宗艳民先生，61岁，本科学历，为本公司的董事长、执行董事兼总经理，于2010年11月2日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 宗先生在半导体材料的技术研发与产业化、工程以及企业管理领域拥有逾35年经验。2010年11月，宗先生创立了本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司，并于2010年11月至2020年11月期间历任董事会主席、执行董事及总经理。自2020年11月起，宗先生一直担任本公司董事长、董事兼总经理。

  • 高超先生

    高超先生，38岁，博士学历，为本公司执行董事兼首席技术官。彼于2019年8月15日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 高先生于半导体材料技术研发及产业化领域拥有逾十年经验。于2014年7月至2020年11月期间，彼先后在本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司担任研发工程师、研发中心主任、董事兼研发中心主任。自2020年11月起，高先生一直担任本公司的董事兼首席技术官。

  • 钟文庆先生

    钟文庆先生，57岁，自2022年8月起担任本公司董事会秘书。钟先生于2018年12月加入本集团，并先后于2018年12月至2019年8月期间担任本公司首席财务官，于2019年8月至2023年4月期间担任董事兼首席财务官，并于2023年4月至2024年2月期间担任董事。钟先生目前还在本公司的若干子公司中担任董事及╱或监事职务。 钟先生在会计与财务管理、资本市场及企业管治领域拥有逾25年经验。在加入本集团之前，彼于1998年1月至1999年2月期间在通用磨坊（中国）投资有限公司的品食乐大中华区担任财务经理。在美国施乐中国有限公司工作期间，钟先生担任财务总监及市场总监。其后彼于2003年12月至2005年4月在西门子工业软件（上海）有限公司担任财务分析高级经理。钟先生于2005年6月加入沃尔沃建筑设备（中国）有限公司并担任沃尔沃建筑设备公司中国区首席财务官。钟先生于2011年1月至2018年11月期间担任瑞迈国际有限公司总裁。

  • 游樱女士

    游樱女士，50岁，自2024年9月起担任本公司首席财务官。游女士自2024年4月加入本集团起一直担任上海太阳成集团tyc33455cc的财务总监。 游女士在会计与财务管理领域拥有逾25年经验。在加入本集团之前，彼于1998年7月至2004年12月期间在山东干聚有限责任会计师事务所担任审计经理。游女士于2004年12月至2024年3月期间在上汽通用东岳汽车有限公司担任高级财务经理。
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私たちは、より良い未来社会の一翼を担う会社であることを目指します。', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 1, 'listsize' => 12, 'created_at' => '1641609945', 'updated_at' => '1642755251', 'background_image' => '/upload/image/viEdey6Vd6ICLLZspEUTSPGVw6jvYWWG9m0mkTt3.jpeg', 'href' => '/japan/qysm.html', 'title' => '企業使命'), array('id' => 39, 'name' => '投資者関係', 'lan' => 'japan', 'en_name' => 'tzzgx1', 'path' => ',31,', 'p_id' => 31, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'contact', 'detail_template' => 'contact', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '', 'summary' => 'Invetors', 'detail_content' => '

製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F

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投資者関係

担当：株主総会事務所
Tel：＋86-531-69900616（中国語のみ）
Fax：＋86-531-85978212
E-Mail：dmo@sicc.cc
住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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半絶縁型SiCウェーハは、ワイドギャップ半導体材料であり、
且つ高周波動作に対応することが出来る材料です。
パワーデバイス領域と同様にその優れた物理特性が高周波デバイスにおいても有用であり、
５G通信技術等の発展に大きな役割が期待されています。

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

> お問い合せ

基本仕様

半絶縁型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 100 & 150
  • オフ角（°） 0
  • 厚み（μm） 500
  • 表面 Epi-ready
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経営理念
キーワード：品質的 先進的 持続的
品質的
お客様からの信頼の基本は、高品質であることと考え
品質の向上と安定を通して、企業価値の最大化を目指します
先進的
全てに先進的で最先端を志向し
最先端の開発体制、生産体制、マネージメント体制を通して、最先端の製品を実現します
持続的
持続的であることを価値観とし
すべてのステークスホルダーと持続的関係にあり続けることを目指します。
ビジョン
半導体材料のグローバルカンパニー
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未来の半導体を支える材料

単結晶SiCはこれまでの半導体材料と比べて、物性が大変優れたより高性能で高効率な新材料です。
高強度で耐熱性に優れ、熱伝導性が高いなどさまざまな特長を持っているため、
次世代の半導体材料として大いに期待されています。

SiCってどんな材料？

Si(シリコン) +C(カーボン)
SiC(シリコンカーバイド・炭化ケイ素)は、Si(シリコン):50at%とC(カーボン):50at%との組成を有する
Ⅳ-Ⅳ族の化合物半導体で、ダイヤモンドに次ぐとても硬度の高い材料です。

SiCの特徴は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはSiとCの原子間距離が短く(0.189)、結合エネルギーが高い(≠4.5eV)ため、以下の優れた特徴を持っています。
広い禁制帯幅（ワイドバンドギャップ）1
高い絶縁破壊電界強度2
高い熱伝導率（熱的安定性）3
電子飽和ドリフト速度（高スイッチング速度）4
4H-SiC Si GaAs GaN
禁制帯幅（eV）1 3.26 1.12 1.42 3.42
絶縁破壊電界強度（MV/cm）2 2.8 0.3 0.4 3
熱伝導率（W/cmK）3 4.9 1.5 0.46 1.3
電子飽和ドリフト速度（1E7 cm/s）4 2.7 1 2 2.7
1.バンドギャップ(禁制帯幅)の値が大きいことによって、より高い電圧、温度、周波数での動作が可能となります。

2.絶縁破壊電界強度とは、絶縁体に電界を加えたときに絶縁破壊をおこし絶縁体としての機能を失う限界値で、
値が大きいほど物質が壊れにくくなります。

3.高い熱伝導率によって放熱効果があり、熱的安定性に優れています。

4.飽和ドリフト速度とは、高い電界での電荷キャリアの最大速度をさします。
SiCはSiの約2倍の飽和ドリフト速度を有しているので、デバイスの高速スイッチング特性を得ることが期待できます。

SiCの半導体としての可能性は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはその高い熱的安定性と広いワイドバンドギャップで、
高温条件下での動作を求められるデバイスに適しています。


電力用パワーデバイス

電力用パワーデバイスとは、電気自動車(EV)や鉄道・産業機器、太陽光発電等のインバータ／コンバータに使われる半導体で、
電気自動車へ進む社会で大きな需要拡大が見込まれています。
現在のパワーデバイスはSi(シリコン)を用いることがほとんどです。SiCは、Siと比べると約10倍の絶縁破壊電界強度があり、
Siと比べて大幅にエネルギー効率の良い高性能なパワーデバイスの製作が可能です。
SiCのパワーデバイスへの採用はまだまだ少数ですが、Siの理論限界をゆうに超える可能性を持つSiCの高性能パワーデバイスが
様々な製品に搭載されるようになれば、社会に莫大な省電力化を実現できる、と言って良いと思います。

高周波(RF)デバイス

高周波(RF)デバイスとは、無線通信や光通信を支える半導体で、IoTやAlなど情報化社会のインフラに欠かせない半導体です。
携帯電話基地局のキーデバイスとして送信用増幅器があります。現在(2020年)整備が進められている第5世代基地局(5G基地局)の
送信用増幅器では、GaN-HEMT(窒化ガリウムHEMT)という高周波デバイスが規格化され搭載されております。
SiCは、このGaN-HEMT基板を生産する上での重要な下地基板として採用されており、これをGaN on SiC基板といいます。
5G(GaN-HEMT)を支える材料として、すでに広く社会に実装されています。
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私たちSICCのロゴタイプは、分節された「SIC」と「C」で構成されています。
私たちが単結晶炭化ケイ素ウェーハの専業ベンダーであることの象徴を意図して、
単結晶炭化ケイ素(SiCウェーハ)のSIC、CorporateのCとして意味づけています。

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単結晶SiCウェーハ製造方法

SICCではSiCパウダー合成から結晶成長、Waferingの一貫生産ラインを保有し、
エピレディの単結晶SiCウェーハを生産しています。

炭化ケイ素単結晶（SiC）は地球上において天然には存在しない物質なので、すべて人工的に製造されます。
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術でSiC単結晶を生産しています。
結晶成長中は2000度を超えるプロセスとなるので、成長途中の観察が困難なため、複雑なパラメーターと計算技術をもって
生産を管理しており、近年ではAI技術を導入するなど、最先端の成長技術に取り組んでいます。

昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、
単結晶SiCウェーハとなります。
完成した単結晶SiCウェーハは、エピタキシャル工程へ進み半導体デバイス製作のプロセスに入っていきますが、
これをエピレディウェーハといいます。

1.

パウダー合成

Si+C=SiCパウダー
SiとCを1:1の割合で合成し、SiCパウダーを製造します。
結晶成長における不純物混入を避けるため、
高純度プロセスで金属残留を出来るだけ防ぎます(0.5ppm以内)。
2.

種結晶

SiCパウダーをSiCの種結晶表面に蒸着させ、薄膜を形成しながら
インゴットを生成します。
3.

結晶成長

昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術で
単結晶SiCのインゴットを生産しています。
4.

スライス

昇華法でできたインゴットをスライスし、SiCウェーハの素地を作成。
5.

研削研磨

MP·CMP
スライスされたSiCウェーハ素地を化学機械研磨
(CMP=Chemical Mechanical Polish)で鏡面加工します。
6.

洗浄・検査

加工が終わったSiCウェーハを洗浄で清浄度を確認し、
その後厳しい検査を経てお客様の元に出荷します。（エピレディ基板）
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2021
上海・科創板市場 株式上場 認可
上海・新工場建設開始
2020
政府からユニコーン企業認定を得る
日本法人 SICC GLOBAL 設立
日本市場への体制拡充とグローバル市場拠点として再定義しSICC JAPANから変更）
2019
政府から最高レベルの技術大賞を受賞
2018
6インチ大口径プロセス技術確立
6インチ量産開始
日本法人SICC JAPAN設立
2017
本社工場の生産能力拡大投資
2015
本社新工場が竣工 生産能力拡充
2014
4インチプロセス技術で地方政府から最高賞を受賞
2013
4インチ大口径化プロセス技術確立
4インチ量産開始
2010
代表者より創立 資本金RMB6000万
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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F

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投資者関係

担当：株主総会事務所
Tel：＋86-531-69900616（中国語のみ）
Fax：＋86-531-85978212
E-Mail：dmo@sicc.cc
住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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ご挨拶


SICC GLOBALは、2018年設立のSICC JAPANを前身とするSICC（山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司）の日本法人で、日本市場への長期的なコミットメントの一環として2020年に設立された企業でございます。

私たちは日本の商習慣を踏まえた細やかさと、お客様へのダイレクトで迅速な対応を大切に、SICCの販売窓口・技術サービスセンターとして活動しております。

SICCは設立10年の節目に上海市場での株式上場を果たし、これから垂直的な成長を実現して参ります。日本法人SICC GLOBALはこれまで以上に日本のお客様の側に立って考え、お客様の生産性向上の一助となれるよう努力して参る所存です。

SICCが日本の皆様の愛される存在であることが出来るよう努めて参りますので、今後ともご指導ご鞭撻頂けますよう、どうぞ宜しくお願い致します。


会社概要

商号 ＳＩＣＣ ＧＬＯＢＡＬ 株式会社
(英文名 SICC GLOBAL CO.,LTD)
代表者 代表取締役 上山恭弘
資本金  11億円
設立 2020年6月8日
事業 SICC CO.,LTD 日本市場サービスセンター
SICC CO.,LTD 社製 単結晶炭化ケイ素基板(SiC) 販売
所在地 541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
株主 山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司(100%)

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私たちSICC （山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司・中国山東省济南市）は２０１０年に単結晶炭化ケイ素基板（SiCウェーハ）メーカーとして設立されました。

２０２２年現在では導電型（N-Type）、半絶縁型（Semi-insulating）ともに６インチ基板一貫生産の量産体制を構えています。更なる生産体制の拡充と、大口径化など品質向上の開発を進めており、２０２２年には本社工場に加えて、上海新工場が完成致します。

創業から、第一に品質を重視し、全てに最先端を志向することを通して、未来にコミットメントすることが出来る持続的な企業体を経営理念として事業を展開して参りました。

２０２１年創業１０年を経て、SiCウェーハのグローバルエコシステムにおいて一定の立場を確立し、半絶縁型SiCウェーハ市場（２０２０FY）ではグローバルTOP３のシェアを得ることが出来ました。さらに２０２１年には上海・科創板市場（STAR MARKET）において株式上場を実現し、更なる事業拡大の新たなステージに進むことになりました。

次の１０年も、品質基軸と最先端、持続的という経営理念を通して、より競争力のある製品開発を実現し、豊かな未来を結晶化＝具現化させる企業を目指して引き続き尽力して参ります。

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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
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4H N型 SiCウェーハは、導電型の単結晶炭化ケイ素基板です
ホモエピタキシー用基板として使用されており
転移欠陥の改善や高い清浄度、高精度の加工技術を日々追求しています
直径150mmの量産体制を拡充しており、直径200mmの開発を進めています

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

＞ お問い合せ

基本仕様

N型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 150
  • オフ角（°） 4
  • 厚み（μm） 350
  • 表面 Epi-ready
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取締役、監督者および上級管理職
Directors, Supervisors and Senior Management
董事

  • 宗艳民先生

    宗艳民先生，61岁，本科学历，为本公司的董事长、执行董事兼总经理，于2010年11月2日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。
    宗先生在半导体材料的技术研发与产业化、工程以及企业管理领域拥有逾35年经验。2010年11月，宗先生创立了本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司，并于2010年11月至2020年11月期间历任董事会主席、执行董事及总经理。自2020年11月起，宗先生一直担任本公司董事长、董事兼总经理。

  • 高超先生

    高超先生，38岁，博士学历，为本公司执行董事兼首席技术官。彼于2019年8月15日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。
    高先生于半导体材料技术研发及产业化领域拥有逾十年经验。于2014年7月至2020年11月期间，彼先后在本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司担任研发工程师、研发中心主任、董事兼研发中心主任。自2020年11月起，高先生一直担任本公司的董事兼首席技术官。

  • 王俊国先生

    王俊国先生，47岁，于2025年7月2日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为执行董事。
    王先生在财务管理领域拥有丰富经验。彼于2016年8月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司财务总监，并自2020年11月起担任本公司财务总监，并自2024年8月起担任我们的证券事务代表。

  • 邱宇峰先生

    邱宇峰先生，65岁，硕士学历，于2024年2月29日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为非执行董事。邱先生于2020年11月至2021年1月期间担任本公司独立董事。
    邱先生在电力及半导体技术研发领域拥有逾30年经验。于1994年6月至1999年11月期间，彼先后在中国电力科学研究院电力系统研究所担任继电保护室主任及副所长；于1999年11月至2006年12月期间，彼在中国电力科学研究院输配电及节电 技术国家工程研究中心担任常务副主任；于2006年12月至2012年2月期间，彼在中国电力科学研究院担任副院长。邱先生于2012年2月至2020年2月期间，先后在全球能源互联网研究院有限公司（前称国网智能电网研究院）担任多个职位，包括副院长、院长、顾问及其他职位。邱先生现任厦门大学讲座教授，以及自2022年4月起担任博测锐创半导体科技（苏州）有限公司董事会主席兼总经理，自2022年5月起担任北京博测半导体科技有限公司执行董事兼总经理，自2023年6月起担任思源电气股份有限公司（一家于深圳证券交易所上市的公司（股票代码：002028））的独立董事，并自2023年9月起担任北京顺德盛企业管理合伙企业（有限合伙）的执行事务合伙人。

  • 李婉越女士

    李婉越女士，54岁，硕士学历，于2025年2月19日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为非执行董事。
    李女士在会计及融资领域拥有30年经验。彼于1994年7月至1999年7月期间任职于北京新型建筑材料总厂，离职前为助理会计师。 于1999年10月至2020年12月期间，李女士先后在北新建材（集团）有限公司担任多个职位，包括财务部会计、财务部经理及其他职位。自2022年12月起，彼一直担任中建材联合投资有限公司的总会计师。

  • 方伟先生

    方伟先生，50岁，硕士学历，于2024年2月29日获委任为董事，并于2025年2月19日获重新委任为非执行董事。
    方先生在无线产品工程及企业管理领域拥有逾25年经验。自1999年2月起，彼任职于一家从事ICT（信息与通信）基础设施和智能终端提供商业务的全球性企业，现任第五轨道外派董事。自2023年12月起，彼亦担任苏州东微半导体股份有限公司（一家于上海证券交易所上市的公司（股票代码：688261））董事。

  • 李洪辉先生

    李洪辉先生，61岁，博士学历，于2024年2月29日获委任为独立董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为独立非执行董事。
    李先生在财务管理领域拥有丰富的经验。彼任职于中华人民共和国财政部至2014年8月，最后职位为投资评审中心副主任。彼亦于2014年8月至2018年7月期间担任中国信达资产管理股份有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：1359））董事。李先生于2018年担任中华人民共和国财政部预算评审中心副主任。彼亦担任中海外科技开发有限公司董事长至2019年11月。自2022年6月起至2024年1月期间，彼担任北京中财宝信管理咨询有限公司执行董事。李先生自2023年6月起，担任中润辉铭（海南）投资有限公司执行董事、总经理兼财务总监；自2023年10月起， 担任华大卓越（北京）投资管理有限公司（前称北京百家信诚投资管理有限公司）执行董事、总经理兼财务总监；自2024年8月起，担任吉林省北药科技有限公司总经理；并自2024年10月起，担任辽宁北药金吉科技发展有限公司监事。

  • 刘华女士

    刘华女士，56岁，本科学历，于2024年2月29日获委任为独立董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为独立非执行董事。 刘女士在法律、监管及合规治理领域拥有丰富经验。彼于1992年7月至2002年3月期间在山东三联集团有限责任公司任职。于2002年7月至2007年2月及2007年2月至2008年7月，刘女士分别担任山东康桥律师事务所及北京天驰君泰律师事务所律师。于2008年8月至2019年10月期间，彼担任山东森信律师事务所合伙人及律师。自2019年11月起，刘女士担任北京天驰君泰（济南）律师事务所合伙人及律师。

  • 黎国鸿先生

    黎国鸿先生，61岁，硕士学历，于2025年2月19日获委任为独立董事，并于同日获调整董事角色为独立非执行董事。 黎先生在企业管治以及财务咨询及管理领域拥有丰富经验。彼于1989年7月至1996年8月期间前后在德勤·关黄陈方会计师行担任会计专员、高级会计师及经理。于1997年4月至2006年12月期间，黎先生就职于冠亚商业集团有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0104）），彼担任的最后职务为公司秘书兼财务总监。于2007年1月至2013年4月期间，黎先生在德祥地产集团有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0199））担任财务总监及在德祥企业集团有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0372））担任首席财务官兼公司秘书。自2013年8月起，黎先生在盛洋投资（控股）有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0174）） 担任执行董事及董事会投资委员会成员，并自2020年12月起兼任首席执行官。自2017年2月起，彼在桦欣控股有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：1657））担任独立非执行董事。
监事

  • 张红岩女士

    张红岩女士，38岁，硕士学历，于2020年11月7日获委任为监事兼监事会主席。 张女士在技术工程领域拥有丰富经验。彼先后于2012年4月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司质量部技术员、技术中心主管、销售技术支持及质量部经理。自2020年11月起，彼担任本公司质量部负责人及监事。

  • 宋建先生

    宋建先生，38岁，于2020年11月7日获委任为监事。 宋先生在碳化硅研发领域拥有丰富经验。彼先后于2011年8月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司碳化硅事业部技术员及负责人、技术中心主管及设备动力部经理。自2020年11月起，彼担任本公司工程部负责人及监事。

  • 窦文涛先生

    窦文涛先生，42岁，于2024年8月22日获委任为监事。 窦先生在项目管理及企业管治领域拥有丰富经验。窦先生先后于2010年10月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司项目经理、销售部经理、执行董事（代）及董事长助理。自2020年11月起，彼担任本公司董事长助理。
高级管理人员

  • 宗艳民先生

    宗艳民先生，61岁，本科学历，为本公司的董事长、执行董事兼总经理，于2010年11月2日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 宗先生在半导体材料的技术研发与产业化、工程以及企业管理领域拥有逾35年经验。2010年11月，宗先生创立了本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司，并于2010年11月至2020年11月期间历任董事会主席、执行董事及总经理。自2020年11月起，宗先生一直担任本公司董事长、董事兼总经理。

  • 高超先生

    高超先生，38岁，博士学历，为本公司执行董事兼首席技术官。彼于2019年8月15日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 高先生于半导体材料技术研发及产业化领域拥有逾十年经验。于2014年7月至2020年11月期间，彼先后在本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司担任研发工程师、研发中心主任、董事兼研发中心主任。自2020年11月起，高先生一直担任本公司的董事兼首席技术官。

  • 钟文庆先生

    钟文庆先生，57岁，自2022年8月起担任本公司董事会秘书。钟先生于2018年12月加入本集团，并先后于2018年12月至2019年8月期间担任本公司首席财务官，于2019年8月至2023年4月期间担任董事兼首席财务官，并于2023年4月至2024年2月期间担任董事。钟先生目前还在本公司的若干子公司中担任董事及╱或监事职务。 钟先生在会计与财务管理、资本市场及企业管治领域拥有逾25年经验。在加入本集团之前，彼于1998年1月至1999年2月期间在通用磨坊（中国）投资有限公司的品食乐大中华区担任财务经理。在美国施乐中国有限公司工作期间，钟先生担任财务总监及市场总监。其后彼于2003年12月至2005年4月在西门子工业软件（上海）有限公司担任财务分析高级经理。钟先生于2005年6月加入沃尔沃建筑设备（中国）有限公司并担任沃尔沃建筑设备公司中国区首席财务官。钟先生于2011年1月至2018年11月期间担任瑞迈国际有限公司总裁。

  • 游樱女士

    游樱女士，50岁，自2024年9月起担任本公司首席财务官。游女士自2024年4月加入本集团起一直担任上海太阳成集团tyc33455cc的财务总监。 游女士在会计与财务管理领域拥有逾25年经验。在加入本集团之前，彼于1998年7月至2004年12月期间在山东干聚有限责任会计师事务所担任审计经理。游女士于2004年12月至2024年3月期间在上汽通用东岳汽车有限公司担任高级财务经理。
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はたらく社員の全てに充実した待遇とキャリア形成の機会が等しく提供されること
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私たちは、より良い未来社会の一翼を担う会社であることを目指します。', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 1, 'listsize' => 12, 'created_at' => '1641609945', 'updated_at' => '1642755251', 'background_image' => '/upload/image/viEdey6Vd6ICLLZspEUTSPGVw6jvYWWG9m0mkTt3.jpeg', 'href' => '/japan/qysm.html', 'title' => '企業使命'), array('id' => 39, 'name' => '投資者関係', 'lan' => 'japan', 'en_name' => 'tzzgx1', 'path' => ',31,', 'p_id' => 31, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'contact', 'detail_template' => 'contact', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '', 'summary' => 'Invetors', 'detail_content' => '

製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F

オンラインフォームはこちら


投資者関係

担当：株主総会事務所
Tel：＋86-531-69900616（中国語のみ）
Fax：＋86-531-85978212
E-Mail：dmo@sicc.cc
住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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半絶縁型SiCウェーハは、ワイドギャップ半導体材料であり、
且つ高周波動作に対応することが出来る材料です。
パワーデバイス領域と同様にその優れた物理特性が高周波デバイスにおいても有用であり、
５G通信技術等の発展に大きな役割が期待されています。

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

> お問い合せ

基本仕様

半絶縁型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 100 & 150
  • オフ角（°） 0
  • 厚み（μm） 500
  • 表面 Epi-ready
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経営理念
キーワード：品質的 先進的 持続的
品質的
お客様からの信頼の基本は、高品質であることと考え
品質の向上と安定を通して、企業価値の最大化を目指します
先進的
全てに先進的で最先端を志向し
最先端の開発体制、生産体制、マネージメント体制を通して、最先端の製品を実現します
持続的
持続的であることを価値観とし
すべてのステークスホルダーと持続的関係にあり続けることを目指します。
ビジョン
半導体材料のグローバルカンパニー
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未来の半導体を支える材料

単結晶SiCはこれまでの半導体材料と比べて、物性が大変優れたより高性能で高効率な新材料です。
高強度で耐熱性に優れ、熱伝導性が高いなどさまざまな特長を持っているため、
次世代の半導体材料として大いに期待されています。

SiCってどんな材料？

Si(シリコン) +C(カーボン)
SiC(シリコンカーバイド・炭化ケイ素)は、Si(シリコン):50at%とC(カーボン):50at%との組成を有する
Ⅳ-Ⅳ族の化合物半導体で、ダイヤモンドに次ぐとても硬度の高い材料です。

SiCの特徴は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはSiとCの原子間距離が短く(0.189)、結合エネルギーが高い(≠4.5eV)ため、以下の優れた特徴を持っています。
広い禁制帯幅（ワイドバンドギャップ）1
高い絶縁破壊電界強度2
高い熱伝導率（熱的安定性）3
電子飽和ドリフト速度（高スイッチング速度）4
4H-SiC Si GaAs GaN
禁制帯幅（eV）1 3.26 1.12 1.42 3.42
絶縁破壊電界強度（MV/cm）2 2.8 0.3 0.4 3
熱伝導率（W/cmK）3 4.9 1.5 0.46 1.3
電子飽和ドリフト速度（1E7 cm/s）4 2.7 1 2 2.7
1.バンドギャップ(禁制帯幅)の値が大きいことによって、より高い電圧、温度、周波数での動作が可能となります。

2.絶縁破壊電界強度とは、絶縁体に電界を加えたときに絶縁破壊をおこし絶縁体としての機能を失う限界値で、
値が大きいほど物質が壊れにくくなります。

3.高い熱伝導率によって放熱効果があり、熱的安定性に優れています。

4.飽和ドリフト速度とは、高い電界での電荷キャリアの最大速度をさします。
SiCはSiの約2倍の飽和ドリフト速度を有しているので、デバイスの高速スイッチング特性を得ることが期待できます。

SiCの半導体としての可能性は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはその高い熱的安定性と広いワイドバンドギャップで、
高温条件下での動作を求められるデバイスに適しています。


電力用パワーデバイス

電力用パワーデバイスとは、電気自動車(EV)や鉄道・産業機器、太陽光発電等のインバータ／コンバータに使われる半導体で、
電気自動車へ進む社会で大きな需要拡大が見込まれています。
現在のパワーデバイスはSi(シリコン)を用いることがほとんどです。SiCは、Siと比べると約10倍の絶縁破壊電界強度があり、
Siと比べて大幅にエネルギー効率の良い高性能なパワーデバイスの製作が可能です。
SiCのパワーデバイスへの採用はまだまだ少数ですが、Siの理論限界をゆうに超える可能性を持つSiCの高性能パワーデバイスが
様々な製品に搭載されるようになれば、社会に莫大な省電力化を実現できる、と言って良いと思います。

高周波(RF)デバイス

高周波(RF)デバイスとは、無線通信や光通信を支える半導体で、IoTやAlなど情報化社会のインフラに欠かせない半導体です。
携帯電話基地局のキーデバイスとして送信用増幅器があります。現在(2020年)整備が進められている第5世代基地局(5G基地局)の
送信用増幅器では、GaN-HEMT(窒化ガリウムHEMT)という高周波デバイスが規格化され搭載されております。
SiCは、このGaN-HEMT基板を生産する上での重要な下地基板として採用されており、これをGaN on SiC基板といいます。
5G(GaN-HEMT)を支える材料として、すでに広く社会に実装されています。
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私たちSICCのロゴタイプは、分節された「SIC」と「C」で構成されています。
私たちが単結晶炭化ケイ素ウェーハの専業ベンダーであることの象徴を意図して、
単結晶炭化ケイ素(SiCウェーハ)のSIC、CorporateのCとして意味づけています。

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単結晶SiCウェーハ製造方法

SICCではSiCパウダー合成から結晶成長、Waferingの一貫生産ラインを保有し、
エピレディの単結晶SiCウェーハを生産しています。

炭化ケイ素単結晶（SiC）は地球上において天然には存在しない物質なので、すべて人工的に製造されます。
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術でSiC単結晶を生産しています。
結晶成長中は2000度を超えるプロセスとなるので、成長途中の観察が困難なため、複雑なパラメーターと計算技術をもって
生産を管理しており、近年ではAI技術を導入するなど、最先端の成長技術に取り組んでいます。

昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、
単結晶SiCウェーハとなります。
完成した単結晶SiCウェーハは、エピタキシャル工程へ進み半導体デバイス製作のプロセスに入っていきますが、
これをエピレディウェーハといいます。

1.

パウダー合成

Si+C=SiCパウダー
SiとCを1:1の割合で合成し、SiCパウダーを製造します。
結晶成長における不純物混入を避けるため、
高純度プロセスで金属残留を出来るだけ防ぎます(0.5ppm以内)。
2.

種結晶

SiCパウダーをSiCの種結晶表面に蒸着させ、薄膜を形成しながら
インゴットを生成します。
3.

結晶成長

昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術で
単結晶SiCのインゴットを生産しています。
4.

スライス

昇華法でできたインゴットをスライスし、SiCウェーハの素地を作成。
5.

研削研磨

MP·CMP
スライスされたSiCウェーハ素地を化学機械研磨
(CMP=Chemical Mechanical Polish)で鏡面加工します。
6.

洗浄・検査

加工が終わったSiCウェーハを洗浄で清浄度を確認し、
その後厳しい検査を経てお客様の元に出荷します。（エピレディ基板）
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2021
上海・科創板市場 株式上場 認可
上海・新工場建設開始
2020
政府からユニコーン企業認定を得る
日本法人 SICC GLOBAL 設立
日本市場への体制拡充とグローバル市場拠点として再定義しSICC JAPANから変更）
2019
政府から最高レベルの技術大賞を受賞
2018
6インチ大口径プロセス技術確立
6インチ量産開始
日本法人SICC JAPAN設立
2017
本社工場の生産能力拡大投資
2015
本社新工場が竣工 生産能力拡充
2014
4インチプロセス技術で地方政府から最高賞を受賞
2013
4インチ大口径化プロセス技術確立
4インチ量産開始
2010
代表者より創立 資本金RMB6000万
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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F

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投資者関係

担当：株主総会事務所
Tel：＋86-531-69900616（中国語のみ）
Fax：＋86-531-85978212
E-Mail：dmo@sicc.cc
住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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ご挨拶


SICC GLOBALは、2018年設立のSICC JAPANを前身とするSICC（山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司）の日本法人で、日本市場への長期的なコミットメントの一環として2020年に設立された企業でございます。

私たちは日本の商習慣を踏まえた細やかさと、お客様へのダイレクトで迅速な対応を大切に、SICCの販売窓口・技術サービスセンターとして活動しております。

SICCは設立10年の節目に上海市場での株式上場を果たし、これから垂直的な成長を実現して参ります。日本法人SICC GLOBALはこれまで以上に日本のお客様の側に立って考え、お客様の生産性向上の一助となれるよう努力して参る所存です。

SICCが日本の皆様の愛される存在であることが出来るよう努めて参りますので、今後ともご指導ご鞭撻頂けますよう、どうぞ宜しくお願い致します。


会社概要

商号 ＳＩＣＣ ＧＬＯＢＡＬ 株式会社
(英文名 SICC GLOBAL CO.,LTD)
代表者 代表取締役 上山恭弘
資本金  11億円
設立 2020年6月8日
事業 SICC CO.,LTD 日本市場サービスセンター
SICC CO.,LTD 社製 単結晶炭化ケイ素基板(SiC) 販売
所在地 541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
株主 山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司(100%)

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私たちSICC （山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司・中国山東省济南市）は２０１０年に単結晶炭化ケイ素基板（SiCウェーハ）メーカーとして設立されました。

２０２２年現在では導電型（N-Type）、半絶縁型（Semi-insulating）ともに６インチ基板一貫生産の量産体制を構えています。更なる生産体制の拡充と、大口径化など品質向上の開発を進めており、２０２２年には本社工場に加えて、上海新工場が完成致します。

創業から、第一に品質を重視し、全てに最先端を志向することを通して、未来にコミットメントすることが出来る持続的な企業体を経営理念として事業を展開して参りました。

２０２１年創業１０年を経て、SiCウェーハのグローバルエコシステムにおいて一定の立場を確立し、半絶縁型SiCウェーハ市場（２０２０FY）ではグローバルTOP３のシェアを得ることが出来ました。さらに２０２１年には上海・科創板市場（STAR MARKET）において株式上場を実現し、更なる事業拡大の新たなステージに進むことになりました。

次の１０年も、品質基軸と最先端、持続的という経営理念を通して、より競争力のある製品開発を実現し、豊かな未来を結晶化＝具現化させる企業を目指して引き続き尽力して参ります。

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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
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4H N型 SiCウェーハは、導電型の単結晶炭化ケイ素基板です
ホモエピタキシー用基板として使用されており
転移欠陥の改善や高い清浄度、高精度の加工技術を日々追求しています
直径150mmの量産体制を拡充しており、直径200mmの開発を進めています

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

＞ お問い合せ

基本仕様

N型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 150
  • オフ角（°） 4
  • 厚み（μm） 350
  • 表面 Epi-ready
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取締役、監督者および上級管理職
Directors, Supervisors and Senior Management
董事

  • 宗艳民先生

    宗艳民先生，61岁，本科学历，为本公司的董事长、执行董事兼总经理，于2010年11月2日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。
    宗先生在半导体材料的技术研发与产业化、工程以及企业管理领域拥有逾35年经验。2010年11月，宗先生创立了本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司，并于2010年11月至2020年11月期间历任董事会主席、执行董事及总经理。自2020年11月起，宗先生一直担任本公司董事长、董事兼总经理。

  • 高超先生

    高超先生，38岁，博士学历，为本公司执行董事兼首席技术官。彼于2019年8月15日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。
    高先生于半导体材料技术研发及产业化领域拥有逾十年经验。于2014年7月至2020年11月期间，彼先后在本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司担任研发工程师、研发中心主任、董事兼研发中心主任。自2020年11月起，高先生一直担任本公司的董事兼首席技术官。

  • 王俊国先生

    王俊国先生，47岁，于2025年7月2日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为执行董事。
    王先生在财务管理领域拥有丰富经验。彼于2016年8月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司财务总监，并自2020年11月起担任本公司财务总监，并自2024年8月起担任我们的证券事务代表。

  • 邱宇峰先生

    邱宇峰先生，65岁，硕士学历，于2024年2月29日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为非执行董事。邱先生于2020年11月至2021年1月期间担任本公司独立董事。
    邱先生在电力及半导体技术研发领域拥有逾30年经验。于1994年6月至1999年11月期间，彼先后在中国电力科学研究院电力系统研究所担任继电保护室主任及副所长；于1999年11月至2006年12月期间，彼在中国电力科学研究院输配电及节电 技术国家工程研究中心担任常务副主任；于2006年12月至2012年2月期间，彼在中国电力科学研究院担任副院长。邱先生于2012年2月至2020年2月期间，先后在全球能源互联网研究院有限公司（前称国网智能电网研究院）担任多个职位，包括副院长、院长、顾问及其他职位。邱先生现任厦门大学讲座教授，以及自2022年4月起担任博测锐创半导体科技（苏州）有限公司董事会主席兼总经理，自2022年5月起担任北京博测半导体科技有限公司执行董事兼总经理，自2023年6月起担任思源电气股份有限公司（一家于深圳证券交易所上市的公司（股票代码：002028））的独立董事，并自2023年9月起担任北京顺德盛企业管理合伙企业（有限合伙）的执行事务合伙人。

  • 李婉越女士

    李婉越女士，54岁，硕士学历，于2025年2月19日获委任为董事，并于同日获调整董事角色为非执行董事。
    李女士在会计及融资领域拥有30年经验。彼于1994年7月至1999年7月期间任职于北京新型建筑材料总厂，离职前为助理会计师。 于1999年10月至2020年12月期间，李女士先后在北新建材（集团）有限公司担任多个职位，包括财务部会计、财务部经理及其他职位。自2022年12月起，彼一直担任中建材联合投资有限公司的总会计师。

  • 方伟先生

    方伟先生，50岁，硕士学历，于2024年2月29日获委任为董事，并于2025年2月19日获重新委任为非执行董事。
    方先生在无线产品工程及企业管理领域拥有逾25年经验。自1999年2月起，彼任职于一家从事ICT（信息与通信）基础设施和智能终端提供商业务的全球性企业，现任第五轨道外派董事。自2023年12月起，彼亦担任苏州东微半导体股份有限公司（一家于上海证券交易所上市的公司（股票代码：688261））董事。

  • 李洪辉先生

    李洪辉先生，61岁，博士学历，于2024年2月29日获委任为独立董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为独立非执行董事。
    李先生在财务管理领域拥有丰富的经验。彼任职于中华人民共和国财政部至2014年8月，最后职位为投资评审中心副主任。彼亦于2014年8月至2018年7月期间担任中国信达资产管理股份有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：1359））董事。李先生于2018年担任中华人民共和国财政部预算评审中心副主任。彼亦担任中海外科技开发有限公司董事长至2019年11月。自2022年6月起至2024年1月期间，彼担任北京中财宝信管理咨询有限公司执行董事。李先生自2023年6月起，担任中润辉铭（海南）投资有限公司执行董事、总经理兼财务总监；自2023年10月起， 担任华大卓越（北京）投资管理有限公司（前称北京百家信诚投资管理有限公司）执行董事、总经理兼财务总监；自2024年8月起，担任吉林省北药科技有限公司总经理；并自2024年10月起，担任辽宁北药金吉科技发展有限公司监事。

  • 刘华女士

    刘华女士，56岁，本科学历，于2024年2月29日获委任为独立董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为独立非执行董事。 刘女士在法律、监管及合规治理领域拥有丰富经验。彼于1992年7月至2002年3月期间在山东三联集团有限责任公司任职。于2002年7月至2007年2月及2007年2月至2008年7月，刘女士分别担任山东康桥律师事务所及北京天驰君泰律师事务所律师。于2008年8月至2019年10月期间，彼担任山东森信律师事务所合伙人及律师。自2019年11月起，刘女士担任北京天驰君泰（济南）律师事务所合伙人及律师。

  • 黎国鸿先生

    黎国鸿先生，61岁，硕士学历，于2025年2月19日获委任为独立董事，并于同日获调整董事角色为独立非执行董事。 黎先生在企业管治以及财务咨询及管理领域拥有丰富经验。彼于1989年7月至1996年8月期间前后在德勤·关黄陈方会计师行担任会计专员、高级会计师及经理。于1997年4月至2006年12月期间，黎先生就职于冠亚商业集团有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0104）），彼担任的最后职务为公司秘书兼财务总监。于2007年1月至2013年4月期间，黎先生在德祥地产集团有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0199））担任财务总监及在德祥企业集团有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0372））担任首席财务官兼公司秘书。自2013年8月起，黎先生在盛洋投资（控股）有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：0174）） 担任执行董事及董事会投资委员会成员，并自2020年12月起兼任首席执行官。自2017年2月起，彼在桦欣控股有限公司（一家于香港联交所上市的公司（股份代号：1657））担任独立非执行董事。
监事

  • 张红岩女士

    张红岩女士，38岁，硕士学历，于2020年11月7日获委任为监事兼监事会主席。 张女士在技术工程领域拥有丰富经验。彼先后于2012年4月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司质量部技术员、技术中心主管、销售技术支持及质量部经理。自2020年11月起，彼担任本公司质量部负责人及监事。

  • 宋建先生

    宋建先生，38岁，于2020年11月7日获委任为监事。 宋先生在碳化硅研发领域拥有丰富经验。彼先后于2011年8月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司碳化硅事业部技术员及负责人、技术中心主管及设备动力部经理。自2020年11月起，彼担任本公司工程部负责人及监事。

  • 窦文涛先生

    窦文涛先生，42岁，于2024年8月22日获委任为监事。 窦先生在项目管理及企业管治领域拥有丰富经验。窦先生先后于2010年10月至2020年11月期间担任本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司项目经理、销售部经理、执行董事（代）及董事长助理。自2020年11月起，彼担任本公司董事长助理。
高级管理人员

  • 宗艳民先生

    宗艳民先生，61岁，本科学历，为本公司的董事长、执行董事兼总经理，于2010年11月2日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 宗先生在半导体材料的技术研发与产业化、工程以及企业管理领域拥有逾35年经验。2010年11月，宗先生创立了本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司，并于2010年11月至2020年11月期间历任董事会主席、执行董事及总经理。自2020年11月起，宗先生一直担任本公司董事长、董事兼总经理。

  • 高超先生

    高超先生，38岁，博士学历，为本公司执行董事兼首席技术官。彼于2019年8月15日获委任为董事，并于2025年2月19日获调整董事角色为执行董事。 高先生于半导体材料技术研发及产业化领域拥有逾十年经验。于2014年7月至2020年11月期间，彼先后在本公司前身山东太阳成集团tyc33455cc官网材料科技有限公司担任研发工程师、研发中心主任、董事兼研发中心主任。自2020年11月起，高先生一直担任本公司的董事兼首席技术官。

  • 钟文庆先生

    钟文庆先生，57岁，自2022年8月起担任本公司董事会秘书。钟先生于2018年12月加入本集团，并先后于2018年12月至2019年8月期间担任本公司首席财务官，于2019年8月至2023年4月期间担任董事兼首席财务官，并于2023年4月至2024年2月期间担任董事。钟先生目前还在本公司的若干子公司中担任董事及╱或监事职务。 钟先生在会计与财务管理、资本市场及企业管治领域拥有逾25年经验。在加入本集团之前，彼于1998年1月至1999年2月期间在通用磨坊（中国）投资有限公司的品食乐大中华区担任财务经理。在美国施乐中国有限公司工作期间，钟先生担任财务总监及市场总监。其后彼于2003年12月至2005年4月在西门子工业软件（上海）有限公司担任财务分析高级经理。钟先生于2005年6月加入沃尔沃建筑设备（中国）有限公司并担任沃尔沃建筑设备公司中国区首席财务官。钟先生于2011年1月至2018年11月期间担任瑞迈国际有限公司总裁。

  • 游樱女士

    游樱女士，50岁，自2024年9月起担任本公司首席财务官。游女士自2024年4月加入本集团起一直担任上海太阳成集团tyc33455cc的财务总监。 游女士在会计与财务管理领域拥有逾25年经验。在加入本集团之前，彼于1998年7月至2004年12月期间在山东干聚有限责任会计师事务所担任审计经理。游女士于2004年12月至2024年3月期间在上汽通用东岳汽车有限公司担任高级财务经理。
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はたらく社員の全てに充実した待遇とキャリア形成の機会が等しく提供されること
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私たちは、より良い未来社会の一翼を担う会社であることを目指します。', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 1, 'listsize' => 12, 'created_at' => '1641609945', 'updated_at' => '1642755251', 'background_image' => '/upload/image/viEdey6Vd6ICLLZspEUTSPGVw6jvYWWG9m0mkTt3.jpeg', 'href' => '/japan/qysm.html', 'title' => '企業使命'), array('id' => 39, 'name' => '投資者関係', 'lan' => 'japan', 'en_name' => 'tzzgx1', 'path' => ',31,', 'p_id' => 31, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'contact', 'detail_template' => 'contact', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '', 'summary' => 'Invetors', 'detail_content' => '

製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F

オンラインフォームはこちら


投資者関係

担当：株主総会事務所
Tel：＋86-531-69900616（中国語のみ）
Fax：＋86-531-85978212
E-Mail：dmo@sicc.cc
住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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半絶縁型SiCウェーハは、ワイドギャップ半導体材料であり、
且つ高周波動作に対応することが出来る材料です。
パワーデバイス領域と同様にその優れた物理特性が高周波デバイスにおいても有用であり、
５G通信技術等の発展に大きな役割が期待されています。

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

> お問い合せ

基本仕様

半絶縁型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 100 & 150
  • オフ角（°） 0
  • 厚み（μm） 500
  • 表面 Epi-ready
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経営理念
キーワード：品質的 先進的 持続的
品質的
お客様からの信頼の基本は、高品質であることと考え
品質の向上と安定を通して、企業価値の最大化を目指します
先進的
全てに先進的で最先端を志向し
最先端の開発体制、生産体制、マネージメント体制を通して、最先端の製品を実現します
持続的
持続的であることを価値観とし
すべてのステークスホルダーと持続的関係にあり続けることを目指します。
ビジョン
半導体材料のグローバルカンパニー
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未来の半導体を支える材料

単結晶SiCはこれまでの半導体材料と比べて、物性が大変優れたより高性能で高効率な新材料です。
高強度で耐熱性に優れ、熱伝導性が高いなどさまざまな特長を持っているため、
次世代の半導体材料として大いに期待されています。

SiCってどんな材料？

Si(シリコン) +C(カーボン)
SiC(シリコンカーバイド・炭化ケイ素)は、Si(シリコン):50at%とC(カーボン):50at%との組成を有する
Ⅳ-Ⅳ族の化合物半導体で、ダイヤモンドに次ぐとても硬度の高い材料です。

SiCの特徴は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはSiとCの原子間距離が短く(0.189)、結合エネルギーが高い(≠4.5eV)ため、以下の優れた特徴を持っています。
広い禁制帯幅（ワイドバンドギャップ）1
高い絶縁破壊電界強度2
高い熱伝導率（熱的安定性）3
電子飽和ドリフト速度（高スイッチング速度）4
4H-SiC Si GaAs GaN
禁制帯幅（eV）1 3.26 1.12 1.42 3.42
絶縁破壊電界強度（MV/cm）2 2.8 0.3 0.4 3
熱伝導率（W/cmK）3 4.9 1.5 0.46 1.3
電子飽和ドリフト速度（1E7 cm/s）4 2.7 1 2 2.7
1.バンドギャップ(禁制帯幅)の値が大きいことによって、より高い電圧、温度、周波数での動作が可能となります。

2.絶縁破壊電界強度とは、絶縁体に電界を加えたときに絶縁破壊をおこし絶縁体としての機能を失う限界値で、
値が大きいほど物質が壊れにくくなります。

3.高い熱伝導率によって放熱効果があり、熱的安定性に優れています。

4.飽和ドリフト速度とは、高い電界での電荷キャリアの最大速度をさします。
SiCはSiの約2倍の飽和ドリフト速度を有しているので、デバイスの高速スイッチング特性を得ることが期待できます。

SiCの半導体としての可能性は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはその高い熱的安定性と広いワイドバンドギャップで、
高温条件下での動作を求められるデバイスに適しています。


電力用パワーデバイス

電力用パワーデバイスとは、電気自動車(EV)や鉄道・産業機器、太陽光発電等のインバータ／コンバータに使われる半導体で、
電気自動車へ進む社会で大きな需要拡大が見込まれています。
現在のパワーデバイスはSi(シリコン)を用いることがほとんどです。SiCは、Siと比べると約10倍の絶縁破壊電界強度があり、
Siと比べて大幅にエネルギー効率の良い高性能なパワーデバイスの製作が可能です。
SiCのパワーデバイスへの採用はまだまだ少数ですが、Siの理論限界をゆうに超える可能性を持つSiCの高性能パワーデバイスが
様々な製品に搭載されるようになれば、社会に莫大な省電力化を実現できる、と言って良いと思います。

高周波(RF)デバイス

高周波(RF)デバイスとは、無線通信や光通信を支える半導体で、IoTやAlなど情報化社会のインフラに欠かせない半導体です。
携帯電話基地局のキーデバイスとして送信用増幅器があります。現在(2020年)整備が進められている第5世代基地局(5G基地局)の
送信用増幅器では、GaN-HEMT(窒化ガリウムHEMT)という高周波デバイスが規格化され搭載されております。
SiCは、このGaN-HEMT基板を生産する上での重要な下地基板として採用されており、これをGaN on SiC基板といいます。
5G(GaN-HEMT)を支える材料として、すでに広く社会に実装されています。
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私たちSICCのロゴタイプは、分節された「SIC」と「C」で構成されています。
私たちが単結晶炭化ケイ素ウェーハの専業ベンダーであることの象徴を意図して、
単結晶炭化ケイ素(SiCウェーハ)のSIC、CorporateのCとして意味づけています。

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単結晶SiCウェーハ製造方法

SICCではSiCパウダー合成から結晶成長、Waferingの一貫生産ラインを保有し、
エピレディの単結晶SiCウェーハを生産しています。

炭化ケイ素単結晶（SiC）は地球上において天然には存在しない物質なので、すべて人工的に製造されます。
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術でSiC単結晶を生産しています。
結晶成長中は2000度を超えるプロセスとなるので、成長途中の観察が困難なため、複雑なパラメーターと計算技術をもって
生産を管理しており、近年ではAI技術を導入するなど、最先端の成長技術に取り組んでいます。

昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、
単結晶SiCウェーハとなります。
完成した単結晶SiCウェーハは、エピタキシャル工程へ進み半導体デバイス製作のプロセスに入っていきますが、
これをエピレディウェーハといいます。

1.

パウダー合成

Si+C=SiCパウダー
SiとCを1:1の割合で合成し、SiCパウダーを製造します。
結晶成長における不純物混入を避けるため、
高純度プロセスで金属残留を出来るだけ防ぎます(0.5ppm以内)。
2.

種結晶

SiCパウダーをSiCの種結晶表面に蒸着させ、薄膜を形成しながら
インゴットを生成します。
3.

結晶成長

昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術で
単結晶SiCのインゴットを生産しています。
4.

スライス

昇華法でできたインゴットをスライスし、SiCウェーハの素地を作成。
5.

研削研磨

MP·CMP
スライスされたSiCウェーハ素地を化学機械研磨
(CMP=Chemical Mechanical Polish)で鏡面加工します。
6.

洗浄・検査

加工が終わったSiCウェーハを洗浄で清浄度を確認し、
その後厳しい検査を経てお客様の元に出荷します。（エピレディ基板）
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2021
上海・科創板市場 株式上場 認可
上海・新工場建設開始
2020
政府からユニコーン企業認定を得る
日本法人 SICC GLOBAL 設立
日本市場への体制拡充とグローバル市場拠点として再定義しSICC JAPANから変更）
2019
政府から最高レベルの技術大賞を受賞
2018
6インチ大口径プロセス技術確立
6インチ量産開始
日本法人SICC JAPAN設立
2017
本社工場の生産能力拡大投資
2015
本社新工場が竣工 生産能力拡充
2014
4インチプロセス技術で地方政府から最高賞を受賞
2013
4インチ大口径化プロセス技術確立
4インチ量産開始
2010
代表者より創立 資本金RMB6000万
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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F

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投資者関係

担当：株主総会事務所
Tel：＋86-531-69900616（中国語のみ）
Fax：＋86-531-85978212
E-Mail：dmo@sicc.cc
住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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ご挨拶


SICC GLOBALは、2018年設立のSICC JAPANを前身とするSICC（山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司）の日本法人で、日本市場への長期的なコミットメントの一環として2020年に設立された企業でございます。

私たちは日本の商習慣を踏まえた細やかさと、お客様へのダイレクトで迅速な対応を大切に、SICCの販売窓口・技術サービスセンターとして活動しております。

SICCは設立10年の節目に上海市場での株式上場を果たし、これから垂直的な成長を実現して参ります。日本法人SICC GLOBALはこれまで以上に日本のお客様の側に立って考え、お客様の生産性向上の一助となれるよう努力して参る所存です。

SICCが日本の皆様の愛される存在であることが出来るよう努めて参りますので、今後ともご指導ご鞭撻頂けますよう、どうぞ宜しくお願い致します。


会社概要

商号 ＳＩＣＣ ＧＬＯＢＡＬ 株式会社
(英文名 SICC GLOBAL CO.,LTD)
代表者 代表取締役 上山恭弘
資本金  11億円
設立 2020年6月8日
事業 SICC CO.,LTD 日本市場サービスセンター
SICC CO.,LTD 社製 単結晶炭化ケイ素基板(SiC) 販売
所在地 541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
株主 山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司(100%)

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