太阳成集团tyc33455cc官网

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私たちSICC （山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司・中国山東省济南市）は２０１０年に単結晶炭化ケイ素基板（SiCウェーハ）メーカーとして設立されました。

２０２２年現在では導電型（N-Type）、半絶縁型（Semi-insulating）ともに６インチ基板一貫生産の量産体制を構えています。更なる生産体制の拡充と、大口径化など品質向上の開発を進めており、２０２２年には本社工場に加えて、上海新工場が完成致します。

創業から、第一に品質を重視し、全てに最先端を志向することを通して、未来にコミットメントすることが出来る持続的な企業体を経営理念として事業を展開して参りました。

２０２１年創業１０年を経て、SiCウェーハのグローバルエコシステムにおいて一定の立場を確立し、半絶縁型SiCウェーハ市場（２０２０FY）ではグローバルTOP３のシェアを得ることが出来ました。さらに２０２１年には上海・科創板市場（STAR MARKET）において株式上場を実現し、更なる事業拡大の新たなステージに進むことになりました。

次の１０年も、品質基軸と最先端、持続的という経営理念を通して、より競争力のある製品開発を実現し、豊かな未来を結晶化＝具現化させる企業を目指して引き続き尽力して参ります。

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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
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4H N型 SiCウェーハは、導電型の単結晶炭化ケイ素基板です
主にパワ-デバイスむけにホモエピタキシ-用基板として使用されており、転移欠陥の改善や高い清浄度、高精度の加工技術を日々追求しています
直径150/200mmを量産しており、300mmのサンプル出荷を開始しています

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

＞ お問い合せ

基本仕様

N型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 150
  • オフ角（°） 4
  • 厚み（μm） 350
  • 表面 Epi-ready
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役員・組織
Directors, Supervisors and Senior Management
取締役会

  • 取締役会長 兼 代表取締役社長　宗艶民（ゾン・イエンミン）

    職歴
    2002年10月 済南天業機械工程有限公司 設立、取締役会長兼社長
    2010年11月 山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司（当社前身）設立、取締役会長・業務執行取締役兼社長
    2020年11月 当社 取締役会長 兼 社長（現任）
    2025年2月 当社 業務執行取締役（現任）

  • 業務執行取締役 兼 最高技術責任者（CTO）　高超（ガオ・チャオ）

    職歴
    2014年7月入社～2020年11月 研究開発センター長、取締役兼研究開発センター長 歴任
    2020年11月 取締役 兼 CTO（現任）
    2025年2月 当社 業務執行取締役（現任）

  • 非業務執行取締役　邱宇峰（チウ・ユーフォン）

    職歴
    1994年6月 中国電力科学研究院 電力系統研究所 継電保護室長・副所長
    1999年11月 同院 送配電・省エネ技術国家工程研究中心 常務副所長
    2006年12月 中国電力科学研究院 副院長
    2012年2月 全球能源互聯網研究院有限公司 副院長、院長、顧問 歴任
    2022年4月 博測瑞創半導体科技（蘇州）有限公司 取締役会長兼社長（現任）
    2024年2月 当社 取締役
    2025年2月 当社 非業務執行取締役（現任）

  • 非業務執行取締役　李婉越（リー・ワンユエ）

    職歴
    1994年7月 北京新型建築材料総工場 勤務
    1999年10月~2022年12月 北新建材（集団）有限公司 財務部会計、財務部経理 歴任
    2022年12月 中建材連合投資有限公司 総会計師（現任）
    2023年7月 中建材私募基金管理（北京）有限公司 財務責任者（現任）
    2025年2月 当社 取締役 就任、非業務執行取締役（現任）

  • 独立非業務執行取締役　李洪輝（リー・ホンフェイ）

    職歴
    2014年8月迄 中華人民共和国財政部 投資審査センター副センター長
    2014年8月 中国信達資産管理股份有限公司（香港上場） 取締役
    2019年11月迄 中海外科技開発有限公司 取締役会長
    2023年6月 中潤輝銘（海南）投資有限公司 執行取締役・社長兼最高財務責任者
    2023年10月 華大卓越（北京）投資管理有限公司 取締役会長・社長兼最高財務責任者（現任）
    2024年2月 当社 独立役員
    2025年2月 当社 独立非業務執行取締役（現任）

  • 独立非業務執行取締役　劉華（リウ・ファ）

    職歴
    1992年7月 山東三聯集団有限責任公司 勤務
    2002年7月 山東康橋法律事務所 弁護士
    2007年2月 北京天馳君泰法律事務所 弁護士
    2008年8月 山東森信法律事務所 パートナー弁護士
    2019年11月 北京天馳君泰（済南）法律事務所 パートナー弁護士（現任）
    2024年2月 当社 独立取締役
    2025年2月 当社 独立非業務執行取締役（現任）

  • 独立非業務執行取締役　ライ・クォック・ハン・アレックス（黎国鴻）

    職歴
    1989年7月 デロイト トウシュ トーマツ スタッフ会計士、上級会計士、マネージャー
    1997年4月 アジア・コマーシャル・ホールディングス（香港上場） 会社秘書兼財務管理責任者
    2007年1月 ITCプロパティーズグループ等 財務管理責任者、最高財務責任者兼会社秘書
    2013年8月 ジェミニ・インベストメンツ（香港上場） 執行取締役
    2020年12月 ジェミニ・インベストメンツ（香港上場） 執行取締役兼最高経営責任者（現任）
    2025年2月 当社 独立役員 就任、独立非業務執行取締役（現任）

  • 従業員代表取締役　王俊国（ワン・ジュングオ）

    職歴
    2016年8月 当社前身 山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司 財務部長
    2020年11月 当社 財務部長、財務業務パートナー
    2024年8月 当社 証券事務代表
    2025年6月 当社 共同会社秘書
    2025年7月 当社 業務執行取締役
    2025年10月 当社 従業員代表取締役（現任）
監査役

  • 張红岩女士

    張红岩女士，38歳、修士課程修了。2020年11月7日に監査役兼監査役会議長に就任。
    技術エンジニアリング分野に豊富な経験を有する。2012年4月～2020年11月、当社前身の山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司にて品質部技術員、技術センター主管、営業技術サポート及び品質部経理を歴任。2020年11月より当社品質部責任者及び監査役を務める。

  • 宋建先生

    宋建先生，38歳。2020年11月7日に監査役に就任。
    炭化ケイ素研究開発分野に豊富な経験を有する。2011年8月～2020年11月、当社前身の山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司にて炭化ケイ素事業部技術員・責任者、技術センター主管及び設備動力部経理を歴任。2020年11月より当社エンジニアリング部責任者及び監査役を務める。

  • 窦文涛先生

    窦文涛先生，42歳。2024年8月22日に監査役に就任。
    プロジェクト管理及び企業統治分野に豊富な経験を有する。2010年10月～2020年11月、当社前身の山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司にてプロジェクトマネージャー、営業部経理、業務執行取締役（代行）及び会長補佐を歴任。2020年11月より当社会長補佐を務める。
上級管理職

  • 取締役会秘書　鐘文慶（ジョン・ウェンチン）

    職歴
    1998年1月 ゼネラルミルズ（中国）投資、ゼロックス中国 財務・マーケティング部長
    2003年12月 シーメンス産業ソフトウェア（上海） 財務分析上級マネージャー
    2005年6月 ボルボ建機（中国） 中国地域最高財務責任者
    2011年1月 ノーマック国際有限公司 総裁
    2018年12月 当グループ入社、最高財務責任者、取締役 歴任
    2022年8月 当社 取締役会秘書（現任）

  • 最高財務責任者（CFO）　游櫻（ヨウ・イン）

    職歴
    1998年7月 山東乾聚有限責任会計士事務所 監査マネージャー
    2004年12月 上汽通用東岳汽車有限公司 上級財務マネージャー
    2024年4月 当グループ入社、上海太阳成集团tyc33455cc 財務部長
    2024年9月 当社 最高財務責任者（現任）
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はたらく社員の全てに充実した待遇とキャリア形成の機会が等しく提供されること
(equal opportunity)を通して、株主様の利益を最大化できる企業であり続けます。
私たちは、より良い未来社会の一翼を担う会社であることを目指します。";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:1;s:8:"listsize";i:12;s:10:"created_at";s:10:"1641609945";s:10:"updated_at";s:10:"1642755251";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/viEdey6Vd6ICLLZspEUTSPGVw6jvYWWG9m0mkTt3.jpeg";s:4:"href";s:16:"/japan/qysm.html";s:5:"title";s:12:"企業使命";}i:10;a:26:{s:2:"id";i:39;s:4:"name";s:15:"投資者関係";s:3:"lan";s:5:"japan";s:7:"en_name";s:6:"tzzgx1";s:4:"path";s:4:",31,";s:4:"p_id";i:31;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:7:"contact";s:15:"detail_template";s:7:"contact";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:7:"summary";s:8:"Invetors";s:14:"detail_content";s:752:"

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投資者関係

担当：株主総会事務所
Tel：＋86-531-69900616（中国語のみ）
Fax：＋86-531-85978212
E-Mail：dmo@sicc.cc
住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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半絶縁型SiCウェーハは、ワイドギャップ半導体材料であり且つ高周波動作に対応することが出来る材料です
主に5G基地局の高周波デバイスむけにGaN-HEMT on SiCの下地基板として採用され、広く世に実装されています
最近ではARグラスでの開発が進んでおり市場拡大が期待されています
直径100／150／200／300mmを量産しています

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

> お問い合せ

基本仕様

半絶縁型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 100 & 150
  • オフ角（°） 0
  • 厚み（μm） 500
  • 表面 Epi-ready
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経営理念
キーワード：品質的 先進的 持続的
品質的
お客様からの信頼の基本は、高品質であることと考え
品質の向上と安定を通して、企業価値の最大化を目指します
先進的
全てに先進的で最先端を志向し
最先端の開発体制、生産体制、マネージメント体制を通して、最先端の製品を実現します
持続的
持続的であることを価値観とし
すべてのステークスホルダーと持続的関係にあり続けることを目指します。
ビジョン
半導体材料のグローバルカンパニー
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未来の半導体を支える材料

単結晶SiCはこれまでの半導体材料と比べて、物性が大変優れたより高性能で高効率な新材料です。
高強度で耐熱性に優れ、熱伝導性が高いなどさまざまな特長を持っているため、
次世代の半導体材料として大いに期待されています。

SiCってどんな材料？

Si(シリコン) +C(カーボン)
SiC(シリコンカーバイド・炭化ケイ素)は、Si(シリコン):50at%とC(カーボン):50at%との組成を有する
Ⅳ-Ⅳ族の化合物半導体で、ダイヤモンドに次ぐとても硬度の高い材料です。

SiCの特徴は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはSiとCの原子間距離が短く(0.189)、結合エネルギーが高い(≠4.5eV)ため、以下の優れた特徴を持っています。
広い禁制帯幅（ワイドバンドギャップ）1
高い絶縁破壊電界強度2
高い熱伝導率（熱的安定性）3
電子飽和ドリフト速度（高スイッチング速度）4
4H-SiC Si GaAs GaN
禁制帯幅（eV）1 3.26 1.12 1.42 3.42
絶縁破壊電界強度（MV/cm）2 2.8 0.3 0.4 3
熱伝導率（W/cmK）3 4.9 1.5 0.46 1.3
電子飽和ドリフト速度（1E7 cm/s）4 2.7 1 2 2.7
1.バンドギャップ(禁制帯幅)の値が大きいことによって、より高い電圧、温度、周波数での動作が可能となります。

2.絶縁破壊電界強度とは、絶縁体に電界を加えたときに絶縁破壊をおこし絶縁体としての機能を失う限界値で、
値が大きいほど物質が壊れにくくなります。

3.高い熱伝導率によって放熱効果があり、熱的安定性に優れています。

4.飽和ドリフト速度とは、高い電界での電荷キャリアの最大速度をさします。
SiCはSiの約2倍の飽和ドリフト速度を有しているので、デバイスの高速スイッチング特性を得ることが期待できます。

SiCの半導体としての可能性は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはその高い熱的安定性と広いワイドバンドギャップで、
高温条件下での動作を求められるデバイスに適しています。


電力用パワーデバイス

電力用パワーデバイスとは、電気自動車(EV)や鉄道・産業機器、太陽光発電等のインバータ／コンバータに使われる半導体で、
電気自動車へ進む社会で大きな需要拡大が見込まれています。
現在のパワーデバイスはSi(シリコン)を用いることがほとんどです。SiCは、Siと比べると約10倍の絶縁破壊電界強度があり、
Siと比べて大幅にエネルギー効率の良い高性能なパワーデバイスの製作が可能です。
SiCのパワーデバイスへの採用はまだまだ少数ですが、Siの理論限界をゆうに超える可能性を持つSiCの高性能パワーデバイスが
様々な製品に搭載されるようになれば、社会に莫大な省電力化を実現できる、と言って良いと思います。

高周波(RF)デバイス

高周波(RF)デバイスとは、無線通信や光通信を支える半導体で、IoTやAlなど情報化社会のインフラに欠かせない半導体です。
携帯電話基地局のキーデバイスとして送信用増幅器があります。現在(2020年)整備が進められている第5世代基地局(5G基地局)の
送信用増幅器では、GaN-HEMT(窒化ガリウムHEMT)という高周波デバイスが規格化され搭載されております。
SiCは、このGaN-HEMT基板を生産する上での重要な下地基板として採用されており、これをGaN on SiC基板といいます。
5G(GaN-HEMT)を支える材料として、すでに広く社会に実装されています。
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私たちSICCのロゴタイプは、分節された「SIC」と「C」で構成されています。
私たちが単結晶炭化ケイ素ウェーハの専業ベンダーであることの象徴を意図して、
単結晶炭化ケイ素(SiCウェーハ)のSIC、CorporateのCとして意味づけています。

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単結晶SiCウェーハ製造方法

SICCではSiCパウダー合成から結晶成長、Waferingの一貫生産ラインを保有し、
エピレディの単結晶SiCウェーハを生産しています。

炭化ケイ素単結晶（SiC）は地球上において天然には存在しない物質なので、すべて人工的に製造されます。
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術でSiC単結晶を生産しています。
結晶成長中は2000度を超えるプロセスとなるので、成長途中の観察が困難なため、複雑なパラメーターと計算技術をもって
生産を管理しており、近年ではAI技術を導入するなど、最先端の成長技術に取り組んでいます。

昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、
単結晶SiCウェーハとなります。
完成した単結晶SiCウェーハは、エピタキシャル工程へ進み半導体デバイス製作のプロセスに入っていきますが、
これをエピレディウェーハといいます。

1.

パウダー合成

Si+C=SiCパウダー
SiとCを1:1の割合で合成し、SiCパウダーを製造します。
結晶成長における不純物混入を避けるため、
高純度プロセスで金属残留を出来るだけ防ぎます(0.5ppm以内)。
2.

種結晶

SiCパウダーをSiCの種結晶表面に蒸着させ、薄膜を形成しながら
インゴットを生成します。
3.

結晶成長

昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術で
単結晶SiCのインゴットを生産しています。
4.

スライス

昇華法でできたインゴットをスライスし、SiCウェーハの素地を作成。
5.

研削研磨

MP·CMP
スライスされたSiCウェーハ素地を化学機械研磨
(CMP=Chemical Mechanical Polish)で鏡面加工します。
6.

洗浄・検査

加工が終わったSiCウェーハを洗浄で清浄度を確認し、
その後厳しい検査を経てお客様の元に出荷します。（エピレディ基板）
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2021
上海・科創板市場 株式上場 認可
上海・新工場建設開始
2020
政府からユニコーン企業認定を得る
日本法人 SICC GLOBAL 設立
日本市場への体制拡充とグローバル市場拠点として再定義しSICC JAPANから変更）
2019
政府から最高レベルの技術大賞を受賞
2018
6インチ大口径プロセス技術確立
6インチ量産開始
日本法人SICC JAPAN設立
2017
本社工場の生産能力拡大投資
2015
本社新工場が竣工 生産能力拡充
2014
4インチプロセス技術で地方政府から最高賞を受賞
2013
4インチ大口径化プロセス技術確立
4インチ量産開始
2010
代表者より創立 資本金RMB6000万
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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F

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投資者関係

担当：株主総会事務所
Tel：＋86-531-69900616（中国語のみ）
Fax：＋86-531-85978212
E-Mail：dmo@sicc.cc
住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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ご挨拶


SICC GLOBALは、2018年設立のSICC JAPANを前身とするSICC（山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司）の日本法人で、日本市場への長期的なコミットメントの一環として2020年に設立された企業でございます。

私たちは日本の商習慣を踏まえた細やかさと、お客様へのダイレクトで迅速な対応を大切に、SICCの販売窓口・技術サービスセンターとして活動しております。

SICCは設立10年の節目に上海市場での株式上場を果たし、これから垂直的な成長を実現して参ります。日本法人SICC GLOBALはこれまで以上に日本のお客様の側に立って考え、お客様の生産性向上の一助となれるよう努力して参る所存です。

SICCが日本の皆様の愛される存在であることが出来るよう努めて参りますので、今後ともご指導ご鞭撻頂けますよう、どうぞ宜しくお願い致します。


会社概要

商号 ＳＩＣＣ ＧＬＯＢＡＬ 株式会社
(英文名 SICC GLOBAL CO.,LTD)
代表者 代表取締役 上山恭弘
資本金  11億円
設立 2020年6月8日
事業 SICC CO.,LTD 日本市場サービスセンター
SICC CO.,LTD 社製 単結晶炭化ケイ素基板(SiC) 販売
所在地 541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
株主 山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司(100%)

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私たちSICC （山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司・中国山東省济南市）は２０１０年に単結晶炭化ケイ素基板（SiCウェーハ）メーカーとして設立されました。

２０２２年現在では導電型（N-Type）、半絶縁型（Semi-insulating）ともに６インチ基板一貫生産の量産体制を構えています。更なる生産体制の拡充と、大口径化など品質向上の開発を進めており、２０２２年には本社工場に加えて、上海新工場が完成致します。

創業から、第一に品質を重視し、全てに最先端を志向することを通して、未来にコミットメントすることが出来る持続的な企業体を経営理念として事業を展開して参りました。

２０２１年創業１０年を経て、SiCウェーハのグローバルエコシステムにおいて一定の立場を確立し、半絶縁型SiCウェーハ市場（２０２０FY）ではグローバルTOP３のシェアを得ることが出来ました。さらに２０２１年には上海・科創板市場（STAR MARKET）において株式上場を実現し、更なる事業拡大の新たなステージに進むことになりました。

次の１０年も、品質基軸と最先端、持続的という経営理念を通して、より競争力のある製品開発を実現し、豊かな未来を結晶化＝具現化させる企業を目指して引き続き尽力して参ります。

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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
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4H N型 SiCウェーハは、導電型の単結晶炭化ケイ素基板です
主にパワ-デバイスむけにホモエピタキシ-用基板として使用されており、転移欠陥の改善や高い清浄度、高精度の加工技術を日々追求しています
直径150/200mmを量産しており、300mmのサンプル出荷を開始しています

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

＞ お問い合せ

基本仕様

N型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 150
  • オフ角（°） 4
  • 厚み（μm） 350
  • 表面 Epi-ready
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役員・組織
Directors, Supervisors and Senior Management
取締役会

  • 取締役会長 兼 代表取締役社長　宗艶民（ゾン・イエンミン）

    職歴
    2002年10月 済南天業機械工程有限公司 設立、取締役会長兼社長
    2010年11月 山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司（当社前身）設立、取締役会長・業務執行取締役兼社長
    2020年11月 当社 取締役会長 兼 社長（現任）
    2025年2月 当社 業務執行取締役（現任）

  • 業務執行取締役 兼 最高技術責任者（CTO）　高超（ガオ・チャオ）

    職歴
    2014年7月入社～2020年11月 研究開発センター長、取締役兼研究開発センター長 歴任
    2020年11月 取締役 兼 CTO（現任）
    2025年2月 当社 業務執行取締役（現任）

  • 非業務執行取締役　邱宇峰（チウ・ユーフォン）

    職歴
    1994年6月 中国電力科学研究院 電力系統研究所 継電保護室長・副所長
    1999年11月 同院 送配電・省エネ技術国家工程研究中心 常務副所長
    2006年12月 中国電力科学研究院 副院長
    2012年2月 全球能源互聯網研究院有限公司 副院長、院長、顧問 歴任
    2022年4月 博測瑞創半導体科技（蘇州）有限公司 取締役会長兼社長（現任）
    2024年2月 当社 取締役
    2025年2月 当社 非業務執行取締役（現任）

  • 非業務執行取締役　李婉越（リー・ワンユエ）

    職歴
    1994年7月 北京新型建築材料総工場 勤務
    1999年10月~2022年12月 北新建材（集団）有限公司 財務部会計、財務部経理 歴任
    2022年12月 中建材連合投資有限公司 総会計師（現任）
    2023年7月 中建材私募基金管理（北京）有限公司 財務責任者（現任）
    2025年2月 当社 取締役 就任、非業務執行取締役（現任）

  • 独立非業務執行取締役　李洪輝（リー・ホンフェイ）

    職歴
    2014年8月迄 中華人民共和国財政部 投資審査センター副センター長
    2014年8月 中国信達資産管理股份有限公司（香港上場） 取締役
    2019年11月迄 中海外科技開発有限公司 取締役会長
    2023年6月 中潤輝銘（海南）投資有限公司 執行取締役・社長兼最高財務責任者
    2023年10月 華大卓越（北京）投資管理有限公司 取締役会長・社長兼最高財務責任者（現任）
    2024年2月 当社 独立役員
    2025年2月 当社 独立非業務執行取締役（現任）

  • 独立非業務執行取締役　劉華（リウ・ファ）

    職歴
    1992年7月 山東三聯集団有限責任公司 勤務
    2002年7月 山東康橋法律事務所 弁護士
    2007年2月 北京天馳君泰法律事務所 弁護士
    2008年8月 山東森信法律事務所 パートナー弁護士
    2019年11月 北京天馳君泰（済南）法律事務所 パートナー弁護士（現任）
    2024年2月 当社 独立取締役
    2025年2月 当社 独立非業務執行取締役（現任）

  • 独立非業務執行取締役　ライ・クォック・ハン・アレックス（黎国鴻）

    職歴
    1989年7月 デロイト トウシュ トーマツ スタッフ会計士、上級会計士、マネージャー
    1997年4月 アジア・コマーシャル・ホールディングス（香港上場） 会社秘書兼財務管理責任者
    2007年1月 ITCプロパティーズグループ等 財務管理責任者、最高財務責任者兼会社秘書
    2013年8月 ジェミニ・インベストメンツ（香港上場） 執行取締役
    2020年12月 ジェミニ・インベストメンツ（香港上場） 執行取締役兼最高経営責任者（現任）
    2025年2月 当社 独立役員 就任、独立非業務執行取締役（現任）

  • 従業員代表取締役　王俊国（ワン・ジュングオ）

    職歴
    2016年8月 当社前身 山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司 財務部長
    2020年11月 当社 財務部長、財務業務パートナー
    2024年8月 当社 証券事務代表
    2025年6月 当社 共同会社秘書
    2025年7月 当社 業務執行取締役
    2025年10月 当社 従業員代表取締役（現任）
監査役

  • 張红岩女士

    張红岩女士，38歳、修士課程修了。2020年11月7日に監査役兼監査役会議長に就任。
    技術エンジニアリング分野に豊富な経験を有する。2012年4月～2020年11月、当社前身の山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司にて品質部技術員、技術センター主管、営業技術サポート及び品質部経理を歴任。2020年11月より当社品質部責任者及び監査役を務める。

  • 宋建先生

    宋建先生，38歳。2020年11月7日に監査役に就任。
    炭化ケイ素研究開発分野に豊富な経験を有する。2011年8月～2020年11月、当社前身の山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司にて炭化ケイ素事業部技術員・責任者、技術センター主管及び設備動力部経理を歴任。2020年11月より当社エンジニアリング部責任者及び監査役を務める。

  • 窦文涛先生

    窦文涛先生，42歳。2024年8月22日に監査役に就任。
    プロジェクト管理及び企業統治分野に豊富な経験を有する。2010年10月～2020年11月、当社前身の山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司にてプロジェクトマネージャー、営業部経理、業務執行取締役（代行）及び会長補佐を歴任。2020年11月より当社会長補佐を務める。
上級管理職

  • 取締役会秘書　鐘文慶（ジョン・ウェンチン）

    職歴
    1998年1月 ゼネラルミルズ（中国）投資、ゼロックス中国 財務・マーケティング部長
    2003年12月 シーメンス産業ソフトウェア（上海） 財務分析上級マネージャー
    2005年6月 ボルボ建機（中国） 中国地域最高財務責任者
    2011年1月 ノーマック国際有限公司 総裁
    2018年12月 当グループ入社、最高財務責任者、取締役 歴任
    2022年8月 当社 取締役会秘書（現任）

  • 最高財務責任者（CFO）　游櫻（ヨウ・イン）

    職歴
    1998年7月 山東乾聚有限責任会計士事務所 監査マネージャー
    2004年12月 上汽通用東岳汽車有限公司 上級財務マネージャー
    2024年4月 当グループ入社、上海太阳成集团tyc33455cc 財務部長
    2024年9月 当社 最高財務責任者（現任）
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はたらく社員の全てに充実した待遇とキャリア形成の機会が等しく提供されること
(equal opportunity)を通して、株主様の利益を最大化できる企業であり続けます。
私たちは、より良い未来社会の一翼を担う会社であることを目指します。";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:1;s:8:"listsize";i:12;s:10:"created_at";s:10:"1641609945";s:10:"updated_at";s:10:"1642755251";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/viEdey6Vd6ICLLZspEUTSPGVw6jvYWWG9m0mkTt3.jpeg";s:4:"href";s:16:"/japan/qysm.html";s:5:"title";s:12:"企業使命";}i:10;a:26:{s:2:"id";i:39;s:4:"name";s:15:"投資者関係";s:3:"lan";s:5:"japan";s:7:"en_name";s:6:"tzzgx1";s:4:"path";s:4:",31,";s:4:"p_id";i:31;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:7:"contact";s:15:"detail_template";s:7:"contact";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:7:"summary";s:8:"Invetors";s:14:"detail_content";s:752:"

製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F

オンラインフォームはこちら


投資者関係

担当：株主総会事務所
Tel：＋86-531-69900616（中国語のみ）
Fax：＋86-531-85978212
E-Mail：dmo@sicc.cc
住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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半絶縁型SiCウェーハは、ワイドギャップ半導体材料であり且つ高周波動作に対応することが出来る材料です
主に5G基地局の高周波デバイスむけにGaN-HEMT on SiCの下地基板として採用され、広く世に実装されています
最近ではARグラスでの開発が進んでおり市場拡大が期待されています
直径100／150／200／300mmを量産しています

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

> お問い合せ

基本仕様

半絶縁型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 100 & 150
  • オフ角（°） 0
  • 厚み（μm） 500
  • 表面 Epi-ready
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経営理念
キーワード：品質的 先進的 持続的
品質的
お客様からの信頼の基本は、高品質であることと考え
品質の向上と安定を通して、企業価値の最大化を目指します
先進的
全てに先進的で最先端を志向し
最先端の開発体制、生産体制、マネージメント体制を通して、最先端の製品を実現します
持続的
持続的であることを価値観とし
すべてのステークスホルダーと持続的関係にあり続けることを目指します。
ビジョン
半導体材料のグローバルカンパニー
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未来の半導体を支える材料

単結晶SiCはこれまでの半導体材料と比べて、物性が大変優れたより高性能で高効率な新材料です。
高強度で耐熱性に優れ、熱伝導性が高いなどさまざまな特長を持っているため、
次世代の半導体材料として大いに期待されています。

SiCってどんな材料？

Si(シリコン) +C(カーボン)
SiC(シリコンカーバイド・炭化ケイ素)は、Si(シリコン):50at%とC(カーボン):50at%との組成を有する
Ⅳ-Ⅳ族の化合物半導体で、ダイヤモンドに次ぐとても硬度の高い材料です。

SiCの特徴は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはSiとCの原子間距離が短く(0.189)、結合エネルギーが高い(≠4.5eV)ため、以下の優れた特徴を持っています。
広い禁制帯幅（ワイドバンドギャップ）1
高い絶縁破壊電界強度2
高い熱伝導率（熱的安定性）3
電子飽和ドリフト速度（高スイッチング速度）4
4H-SiC Si GaAs GaN
禁制帯幅（eV）1 3.26 1.12 1.42 3.42
絶縁破壊電界強度（MV/cm）2 2.8 0.3 0.4 3
熱伝導率（W/cmK）3 4.9 1.5 0.46 1.3
電子飽和ドリフト速度（1E7 cm/s）4 2.7 1 2 2.7
1.バンドギャップ(禁制帯幅)の値が大きいことによって、より高い電圧、温度、周波数での動作が可能となります。

2.絶縁破壊電界強度とは、絶縁体に電界を加えたときに絶縁破壊をおこし絶縁体としての機能を失う限界値で、
値が大きいほど物質が壊れにくくなります。

3.高い熱伝導率によって放熱効果があり、熱的安定性に優れています。

4.飽和ドリフト速度とは、高い電界での電荷キャリアの最大速度をさします。
SiCはSiの約2倍の飽和ドリフト速度を有しているので、デバイスの高速スイッチング特性を得ることが期待できます。

SiCの半導体としての可能性は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはその高い熱的安定性と広いワイドバンドギャップで、
高温条件下での動作を求められるデバイスに適しています。


電力用パワーデバイス

電力用パワーデバイスとは、電気自動車(EV)や鉄道・産業機器、太陽光発電等のインバータ／コンバータに使われる半導体で、
電気自動車へ進む社会で大きな需要拡大が見込まれています。
現在のパワーデバイスはSi(シリコン)を用いることがほとんどです。SiCは、Siと比べると約10倍の絶縁破壊電界強度があり、
Siと比べて大幅にエネルギー効率の良い高性能なパワーデバイスの製作が可能です。
SiCのパワーデバイスへの採用はまだまだ少数ですが、Siの理論限界をゆうに超える可能性を持つSiCの高性能パワーデバイスが
様々な製品に搭載されるようになれば、社会に莫大な省電力化を実現できる、と言って良いと思います。

高周波(RF)デバイス

高周波(RF)デバイスとは、無線通信や光通信を支える半導体で、IoTやAlなど情報化社会のインフラに欠かせない半導体です。
携帯電話基地局のキーデバイスとして送信用増幅器があります。現在(2020年)整備が進められている第5世代基地局(5G基地局)の
送信用増幅器では、GaN-HEMT(窒化ガリウムHEMT)という高周波デバイスが規格化され搭載されております。
SiCは、このGaN-HEMT基板を生産する上での重要な下地基板として採用されており、これをGaN on SiC基板といいます。
5G(GaN-HEMT)を支える材料として、すでに広く社会に実装されています。
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私たちSICCのロゴタイプは、分節された「SIC」と「C」で構成されています。
私たちが単結晶炭化ケイ素ウェーハの専業ベンダーであることの象徴を意図して、
単結晶炭化ケイ素(SiCウェーハ)のSIC、CorporateのCとして意味づけています。

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単結晶SiCウェーハ製造方法

SICCではSiCパウダー合成から結晶成長、Waferingの一貫生産ラインを保有し、
エピレディの単結晶SiCウェーハを生産しています。

炭化ケイ素単結晶（SiC）は地球上において天然には存在しない物質なので、すべて人工的に製造されます。
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術でSiC単結晶を生産しています。
結晶成長中は2000度を超えるプロセスとなるので、成長途中の観察が困難なため、複雑なパラメーターと計算技術をもって
生産を管理しており、近年ではAI技術を導入するなど、最先端の成長技術に取り組んでいます。

昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、
単結晶SiCウェーハとなります。
完成した単結晶SiCウェーハは、エピタキシャル工程へ進み半導体デバイス製作のプロセスに入っていきますが、
これをエピレディウェーハといいます。

1.

パウダー合成

Si+C=SiCパウダー
SiとCを1:1の割合で合成し、SiCパウダーを製造します。
結晶成長における不純物混入を避けるため、
高純度プロセスで金属残留を出来るだけ防ぎます(0.5ppm以内)。
2.

種結晶

SiCパウダーをSiCの種結晶表面に蒸着させ、薄膜を形成しながら
インゴットを生成します。
3.

結晶成長

昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術で
単結晶SiCのインゴットを生産しています。
4.

スライス

昇華法でできたインゴットをスライスし、SiCウェーハの素地を作成。
5.

研削研磨

MP·CMP
スライスされたSiCウェーハ素地を化学機械研磨
(CMP=Chemical Mechanical Polish)で鏡面加工します。
6.

洗浄・検査

加工が終わったSiCウェーハを洗浄で清浄度を確認し、
その後厳しい検査を経てお客様の元に出荷します。（エピレディ基板）
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2021
上海・科創板市場 株式上場 認可
上海・新工場建設開始
2020
政府からユニコーン企業認定を得る
日本法人 SICC GLOBAL 設立
日本市場への体制拡充とグローバル市場拠点として再定義しSICC JAPANから変更）
2019
政府から最高レベルの技術大賞を受賞
2018
6インチ大口径プロセス技術確立
6インチ量産開始
日本法人SICC JAPAN設立
2017
本社工場の生産能力拡大投資
2015
本社新工場が竣工 生産能力拡充
2014
4インチプロセス技術で地方政府から最高賞を受賞
2013
4インチ大口径化プロセス技術確立
4インチ量産開始
2010
代表者より創立 資本金RMB6000万
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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F

オンラインフォームはこちら


投資者関係

担当：株主総会事務所
Tel：＋86-531-69900616（中国語のみ）
Fax：＋86-531-85978212
E-Mail：dmo@sicc.cc
住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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ご挨拶


SICC GLOBALは、2018年設立のSICC JAPANを前身とするSICC（山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司）の日本法人で、日本市場への長期的なコミットメントの一環として2020年に設立された企業でございます。

私たちは日本の商習慣を踏まえた細やかさと、お客様へのダイレクトで迅速な対応を大切に、SICCの販売窓口・技術サービスセンターとして活動しております。

SICCは設立10年の節目に上海市場での株式上場を果たし、これから垂直的な成長を実現して参ります。日本法人SICC GLOBALはこれまで以上に日本のお客様の側に立って考え、お客様の生産性向上の一助となれるよう努力して参る所存です。

SICCが日本の皆様の愛される存在であることが出来るよう努めて参りますので、今後ともご指導ご鞭撻頂けますよう、どうぞ宜しくお願い致します。


会社概要

商号 ＳＩＣＣ ＧＬＯＢＡＬ 株式会社
(英文名 SICC GLOBAL CO.,LTD)
代表者 代表取締役 上山恭弘
資本金  11億円
設立 2020年6月8日
事業 SICC CO.,LTD 日本市場サービスセンター
SICC CO.,LTD 社製 単結晶炭化ケイ素基板(SiC) 販売
所在地 541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
株主 山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司(100%)

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私たちSICC （山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司・中国山東省济南市）は２０１０年に単結晶炭化ケイ素基板（SiCウェーハ）メーカーとして設立されました。

２０２２年現在では導電型（N-Type）、半絶縁型（Semi-insulating）ともに６インチ基板一貫生産の量産体制を構えています。更なる生産体制の拡充と、大口径化など品質向上の開発を進めており、２０２２年には本社工場に加えて、上海新工場が完成致します。

創業から、第一に品質を重視し、全てに最先端を志向することを通して、未来にコミットメントすることが出来る持続的な企業体を経営理念として事業を展開して参りました。

２０２１年創業１０年を経て、SiCウェーハのグローバルエコシステムにおいて一定の立場を確立し、半絶縁型SiCウェーハ市場（２０２０FY）ではグローバルTOP３のシェアを得ることが出来ました。さらに２０２１年には上海・科創板市場（STAR MARKET）において株式上場を実現し、更なる事業拡大の新たなステージに進むことになりました。

次の１０年も、品質基軸と最先端、持続的という経営理念を通して、より競争力のある製品開発を実現し、豊かな未来を結晶化＝具現化させる企業を目指して引き続き尽力して参ります。

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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
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4H N型 SiCウェーハは、導電型の単結晶炭化ケイ素基板です
主にパワ-デバイスむけにホモエピタキシ-用基板として使用されており、転移欠陥の改善や高い清浄度、高精度の加工技術を日々追求しています
直径150/200mmを量産しており、300mmのサンプル出荷を開始しています

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

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基本仕様

N型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 150
  • オフ角（°） 4
  • 厚み（μm） 350
  • 表面 Epi-ready
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役員・組織
Directors, Supervisors and Senior Management
取締役会

  • 取締役会長 兼 代表取締役社長　宗艶民（ゾン・イエンミン）

    職歴
    2002年10月 済南天業機械工程有限公司 設立、取締役会長兼社長
    2010年11月 山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司（当社前身）設立、取締役会長・業務執行取締役兼社長
    2020年11月 当社 取締役会長 兼 社長（現任）
    2025年2月 当社 業務執行取締役（現任）

  • 業務執行取締役 兼 最高技術責任者（CTO）　高超（ガオ・チャオ）

    職歴
    2014年7月入社～2020年11月 研究開発センター長、取締役兼研究開発センター長 歴任
    2020年11月 取締役 兼 CTO（現任）
    2025年2月 当社 業務執行取締役（現任）

  • 非業務執行取締役　邱宇峰（チウ・ユーフォン）

    職歴
    1994年6月 中国電力科学研究院 電力系統研究所 継電保護室長・副所長
    1999年11月 同院 送配電・省エネ技術国家工程研究中心 常務副所長
    2006年12月 中国電力科学研究院 副院長
    2012年2月 全球能源互聯網研究院有限公司 副院長、院長、顧問 歴任
    2022年4月 博測瑞創半導体科技（蘇州）有限公司 取締役会長兼社長（現任）
    2024年2月 当社 取締役
    2025年2月 当社 非業務執行取締役（現任）

  • 非業務執行取締役　李婉越（リー・ワンユエ）

    職歴
    1994年7月 北京新型建築材料総工場 勤務
    1999年10月~2022年12月 北新建材（集団）有限公司 財務部会計、財務部経理 歴任
    2022年12月 中建材連合投資有限公司 総会計師（現任）
    2023年7月 中建材私募基金管理（北京）有限公司 財務責任者（現任）
    2025年2月 当社 取締役 就任、非業務執行取締役（現任）

  • 独立非業務執行取締役　李洪輝（リー・ホンフェイ）

    職歴
    2014年8月迄 中華人民共和国財政部 投資審査センター副センター長
    2014年8月 中国信達資産管理股份有限公司（香港上場） 取締役
    2019年11月迄 中海外科技開発有限公司 取締役会長
    2023年6月 中潤輝銘（海南）投資有限公司 執行取締役・社長兼最高財務責任者
    2023年10月 華大卓越（北京）投資管理有限公司 取締役会長・社長兼最高財務責任者（現任）
    2024年2月 当社 独立役員
    2025年2月 当社 独立非業務執行取締役（現任）

  • 独立非業務執行取締役　劉華（リウ・ファ）

    職歴
    1992年7月 山東三聯集団有限責任公司 勤務
    2002年7月 山東康橋法律事務所 弁護士
    2007年2月 北京天馳君泰法律事務所 弁護士
    2008年8月 山東森信法律事務所 パートナー弁護士
    2019年11月 北京天馳君泰（済南）法律事務所 パートナー弁護士（現任）
    2024年2月 当社 独立取締役
    2025年2月 当社 独立非業務執行取締役（現任）

  • 独立非業務執行取締役　ライ・クォック・ハン・アレックス（黎国鴻）

    職歴
    1989年7月 デロイト トウシュ トーマツ スタッフ会計士、上級会計士、マネージャー
    1997年4月 アジア・コマーシャル・ホールディングス（香港上場） 会社秘書兼財務管理責任者
    2007年1月 ITCプロパティーズグループ等 財務管理責任者、最高財務責任者兼会社秘書
    2013年8月 ジェミニ・インベストメンツ（香港上場） 執行取締役
    2020年12月 ジェミニ・インベストメンツ（香港上場） 執行取締役兼最高経営責任者（現任）
    2025年2月 当社 独立役員 就任、独立非業務執行取締役（現任）

  • 従業員代表取締役　王俊国（ワン・ジュングオ）

    職歴
    2016年8月 当社前身 山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司 財務部長
    2020年11月 当社 財務部長、財務業務パートナー
    2024年8月 当社 証券事務代表
    2025年6月 当社 共同会社秘書
    2025年7月 当社 業務執行取締役
    2025年10月 当社 従業員代表取締役（現任）
監査役

  • 張红岩女士

    張红岩女士，38歳、修士課程修了。2020年11月7日に監査役兼監査役会議長に就任。
    技術エンジニアリング分野に豊富な経験を有する。2012年4月～2020年11月、当社前身の山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司にて品質部技術員、技術センター主管、営業技術サポート及び品質部経理を歴任。2020年11月より当社品質部責任者及び監査役を務める。

  • 宋建先生

    宋建先生，38歳。2020年11月7日に監査役に就任。
    炭化ケイ素研究開発分野に豊富な経験を有する。2011年8月～2020年11月、当社前身の山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司にて炭化ケイ素事業部技術員・責任者、技術センター主管及び設備動力部経理を歴任。2020年11月より当社エンジニアリング部責任者及び監査役を務める。

  • 窦文涛先生

    窦文涛先生，42歳。2024年8月22日に監査役に就任。
    プロジェクト管理及び企業統治分野に豊富な経験を有する。2010年10月～2020年11月、当社前身の山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司にてプロジェクトマネージャー、営業部経理、業務執行取締役（代行）及び会長補佐を歴任。2020年11月より当社会長補佐を務める。
上級管理職

  • 取締役会秘書　鐘文慶（ジョン・ウェンチン）

    職歴
    1998年1月 ゼネラルミルズ（中国）投資、ゼロックス中国 財務・マーケティング部長
    2003年12月 シーメンス産業ソフトウェア（上海） 財務分析上級マネージャー
    2005年6月 ボルボ建機（中国） 中国地域最高財務責任者
    2011年1月 ノーマック国際有限公司 総裁
    2018年12月 当グループ入社、最高財務責任者、取締役 歴任
    2022年8月 当社 取締役会秘書（現任）

  • 最高財務責任者（CFO）　游櫻（ヨウ・イン）

    職歴
    1998年7月 山東乾聚有限責任会計士事務所 監査マネージャー
    2004年12月 上汽通用東岳汽車有限公司 上級財務マネージャー
    2024年4月 当グループ入社、上海太阳成集团tyc33455cc 財務部長
    2024年9月 当社 最高財務責任者（現任）
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はたらく社員の全てに充実した待遇とキャリア形成の機会が等しく提供されること
(equal opportunity)を通して、株主様の利益を最大化できる企業であり続けます。
私たちは、より良い未来社会の一翼を担う会社であることを目指します。";s:9:"seo_title";s:0:"";s:11:"seo_keyword";s:0:"";s:15:"seo_description";s:0:"";s:4:"sort";i:1;s:8:"listsize";i:12;s:10:"created_at";s:10:"1641609945";s:10:"updated_at";s:10:"1642755251";s:16:"background_image";s:59:"/upload/image/viEdey6Vd6ICLLZspEUTSPGVw6jvYWWG9m0mkTt3.jpeg";s:4:"href";s:16:"/japan/qysm.html";s:5:"title";s:12:"企業使命";}i:10;a:26:{s:2:"id";i:39;s:4:"name";s:15:"投資者関係";s:3:"lan";s:5:"japan";s:7:"en_name";s:6:"tzzgx1";s:4:"path";s:4:",31,";s:4:"p_id";i:31;s:4:"type";s:7:"article";s:4:"flag";s:7:"article";s:6:"status";s:4:"open";s:13:"list_template";s:7:"contact";s:15:"detail_template";s:7:"contact";s:14:"cover_template";s:0:"";s:12:"detail_title";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:7:"summary";s:8:"Invetors";s:14:"detail_content";s:752:"

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投資者関係

担当：株主総会事務所
Tel：＋86-531-69900616（中国語のみ）
Fax：＋86-531-85978212
E-Mail：dmo@sicc.cc
住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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半絶縁型SiCウェーハは、ワイドギャップ半導体材料であり且つ高周波動作に対応することが出来る材料です
主に5G基地局の高周波デバイスむけにGaN-HEMT on SiCの下地基板として採用され、広く世に実装されています
最近ではARグラスでの開発が進んでおり市場拡大が期待されています
直径100／150／200／300mmを量産しています

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

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基本仕様

半絶縁型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 100 & 150
  • オフ角（°） 0
  • 厚み（μm） 500
  • 表面 Epi-ready
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経営理念
キーワード：品質的 先進的 持続的
品質的
お客様からの信頼の基本は、高品質であることと考え
品質の向上と安定を通して、企業価値の最大化を目指します
先進的
全てに先進的で最先端を志向し
最先端の開発体制、生産体制、マネージメント体制を通して、最先端の製品を実現します
持続的
持続的であることを価値観とし
すべてのステークスホルダーと持続的関係にあり続けることを目指します。
ビジョン
半導体材料のグローバルカンパニー
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未来の半導体を支える材料

単結晶SiCはこれまでの半導体材料と比べて、物性が大変優れたより高性能で高効率な新材料です。
高強度で耐熱性に優れ、熱伝導性が高いなどさまざまな特長を持っているため、
次世代の半導体材料として大いに期待されています。

SiCってどんな材料？

Si(シリコン) +C(カーボン)
SiC(シリコンカーバイド・炭化ケイ素)は、Si(シリコン):50at%とC(カーボン):50at%との組成を有する
Ⅳ-Ⅳ族の化合物半導体で、ダイヤモンドに次ぐとても硬度の高い材料です。

SiCの特徴は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはSiとCの原子間距離が短く(0.189)、結合エネルギーが高い(≠4.5eV)ため、以下の優れた特徴を持っています。
広い禁制帯幅（ワイドバンドギャップ）1
高い絶縁破壊電界強度2
高い熱伝導率（熱的安定性）3
電子飽和ドリフト速度（高スイッチング速度）4
4H-SiC Si GaAs GaN
禁制帯幅（eV）1 3.26 1.12 1.42 3.42
絶縁破壊電界強度（MV/cm）2 2.8 0.3 0.4 3
熱伝導率（W/cmK）3 4.9 1.5 0.46 1.3
電子飽和ドリフト速度（1E7 cm/s）4 2.7 1 2 2.7
1.バンドギャップ(禁制帯幅)の値が大きいことによって、より高い電圧、温度、周波数での動作が可能となります。

2.絶縁破壊電界強度とは、絶縁体に電界を加えたときに絶縁破壊をおこし絶縁体としての機能を失う限界値で、
値が大きいほど物質が壊れにくくなります。

3.高い熱伝導率によって放熱効果があり、熱的安定性に優れています。

4.飽和ドリフト速度とは、高い電界での電荷キャリアの最大速度をさします。
SiCはSiの約2倍の飽和ドリフト速度を有しているので、デバイスの高速スイッチング特性を得ることが期待できます。

SiCの半導体としての可能性は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはその高い熱的安定性と広いワイドバンドギャップで、
高温条件下での動作を求められるデバイスに適しています。


電力用パワーデバイス

電力用パワーデバイスとは、電気自動車(EV)や鉄道・産業機器、太陽光発電等のインバータ／コンバータに使われる半導体で、
電気自動車へ進む社会で大きな需要拡大が見込まれています。
現在のパワーデバイスはSi(シリコン)を用いることがほとんどです。SiCは、Siと比べると約10倍の絶縁破壊電界強度があり、
Siと比べて大幅にエネルギー効率の良い高性能なパワーデバイスの製作が可能です。
SiCのパワーデバイスへの採用はまだまだ少数ですが、Siの理論限界をゆうに超える可能性を持つSiCの高性能パワーデバイスが
様々な製品に搭載されるようになれば、社会に莫大な省電力化を実現できる、と言って良いと思います。

高周波(RF)デバイス

高周波(RF)デバイスとは、無線通信や光通信を支える半導体で、IoTやAlなど情報化社会のインフラに欠かせない半導体です。
携帯電話基地局のキーデバイスとして送信用増幅器があります。現在(2020年)整備が進められている第5世代基地局(5G基地局)の
送信用増幅器では、GaN-HEMT(窒化ガリウムHEMT)という高周波デバイスが規格化され搭載されております。
SiCは、このGaN-HEMT基板を生産する上での重要な下地基板として採用されており、これをGaN on SiC基板といいます。
5G(GaN-HEMT)を支える材料として、すでに広く社会に実装されています。
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私たちSICCのロゴタイプは、分節された「SIC」と「C」で構成されています。
私たちが単結晶炭化ケイ素ウェーハの専業ベンダーであることの象徴を意図して、
単結晶炭化ケイ素(SiCウェーハ)のSIC、CorporateのCとして意味づけています。

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単結晶SiCウェーハ製造方法

SICCではSiCパウダー合成から結晶成長、Waferingの一貫生産ラインを保有し、
エピレディの単結晶SiCウェーハを生産しています。

炭化ケイ素単結晶（SiC）は地球上において天然には存在しない物質なので、すべて人工的に製造されます。
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術でSiC単結晶を生産しています。
結晶成長中は2000度を超えるプロセスとなるので、成長途中の観察が困難なため、複雑なパラメーターと計算技術をもって
生産を管理しており、近年ではAI技術を導入するなど、最先端の成長技術に取り組んでいます。

昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、
単結晶SiCウェーハとなります。
完成した単結晶SiCウェーハは、エピタキシャル工程へ進み半導体デバイス製作のプロセスに入っていきますが、
これをエピレディウェーハといいます。

1.

パウダー合成

Si+C=SiCパウダー
SiとCを1:1の割合で合成し、SiCパウダーを製造します。
結晶成長における不純物混入を避けるため、
高純度プロセスで金属残留を出来るだけ防ぎます(0.5ppm以内)。
2.

種結晶

SiCパウダーをSiCの種結晶表面に蒸着させ、薄膜を形成しながら
インゴットを生成します。
3.

結晶成長

昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術で
単結晶SiCのインゴットを生産しています。
4.

スライス

昇華法でできたインゴットをスライスし、SiCウェーハの素地を作成。
5.

研削研磨

MP·CMP
スライスされたSiCウェーハ素地を化学機械研磨
(CMP=Chemical Mechanical Polish)で鏡面加工します。
6.

洗浄・検査

加工が終わったSiCウェーハを洗浄で清浄度を確認し、
その後厳しい検査を経てお客様の元に出荷します。（エピレディ基板）
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2021
上海・科創板市場 株式上場 認可
上海・新工場建設開始
2020
政府からユニコーン企業認定を得る
日本法人 SICC GLOBAL 設立
日本市場への体制拡充とグローバル市場拠点として再定義しSICC JAPANから変更）
2019
政府から最高レベルの技術大賞を受賞
2018
6インチ大口径プロセス技術確立
6インチ量産開始
日本法人SICC JAPAN設立
2017
本社工場の生産能力拡大投資
2015
本社新工場が竣工 生産能力拡充
2014
4インチプロセス技術で地方政府から最高賞を受賞
2013
4インチ大口径化プロセス技術確立
4インチ量産開始
2010
代表者より創立 資本金RMB6000万
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SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
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投資者関係

担当：株主総会事務所
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住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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ご挨拶


SICC GLOBALは、2018年設立のSICC JAPANを前身とするSICC（山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司）の日本法人で、日本市場への長期的なコミットメントの一環として2020年に設立された企業でございます。

私たちは日本の商習慣を踏まえた細やかさと、お客様へのダイレクトで迅速な対応を大切に、SICCの販売窓口・技術サービスセンターとして活動しております。

SICCは設立10年の節目に上海市場での株式上場を果たし、これから垂直的な成長を実現して参ります。日本法人SICC GLOBALはこれまで以上に日本のお客様の側に立って考え、お客様の生産性向上の一助となれるよう努力して参る所存です。

SICCが日本の皆様の愛される存在であることが出来るよう努めて参りますので、今後ともご指導ご鞭撻頂けますよう、どうぞ宜しくお願い致します。


会社概要

商号 ＳＩＣＣ ＧＬＯＢＡＬ 株式会社
(英文名 SICC GLOBAL CO.,LTD)
代表者 代表取締役 上山恭弘
資本金  11億円
設立 2020年6月8日
事業 SICC CO.,LTD 日本市場サービスセンター
SICC CO.,LTD 社製 単結晶炭化ケイ素基板(SiC) 販売
所在地 541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
株主 山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司(100%)

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私たちSICC （山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司・中国山東省济南市）は２０１０年に単結晶炭化ケイ素基板（SiCウェーハ）メーカーとして設立されました。

２０２２年現在では導電型（N-Type）、半絶縁型（Semi-insulating）ともに６インチ基板一貫生産の量産体制を構えています。更なる生産体制の拡充と、大口径化など品質向上の開発を進めており、２０２２年には本社工場に加えて、上海新工場が完成致します。

創業から、第一に品質を重視し、全てに最先端を志向することを通して、未来にコミットメントすることが出来る持続的な企業体を経営理念として事業を展開して参りました。

２０２１年創業１０年を経て、SiCウェーハのグローバルエコシステムにおいて一定の立場を確立し、半絶縁型SiCウェーハ市場（２０２０FY）ではグローバルTOP３のシェアを得ることが出来ました。さらに２０２１年には上海・科創板市場（STAR MARKET）において株式上場を実現し、更なる事業拡大の新たなステージに進むことになりました。

次の１０年も、品質基軸と最先端、持続的という経営理念を通して、より競争力のある製品開発を実現し、豊かな未来を結晶化＝具現化させる企業を目指して引き続き尽力して参ります。

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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
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4H N型 SiCウェーハは、導電型の単結晶炭化ケイ素基板です
主にパワ-デバイスむけにホモエピタキシ-用基板として使用されており、転移欠陥の改善や高い清浄度、高精度の加工技術を日々追求しています
直径150/200mmを量産しており、300mmのサンプル出荷を開始しています

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

＞ お問い合せ

基本仕様

N型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 150
  • オフ角（°） 4
  • 厚み（μm） 350
  • 表面 Epi-ready
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役員・組織
Directors, Supervisors and Senior Management
取締役会

  • 取締役会長 兼 代表取締役社長　宗艶民（ゾン・イエンミン）

    職歴
    2002年10月 済南天業機械工程有限公司 設立、取締役会長兼社長
    2010年11月 山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司（当社前身）設立、取締役会長・業務執行取締役兼社長
    2020年11月 当社 取締役会長 兼 社長（現任）
    2025年2月 当社 業務執行取締役（現任）

  • 業務執行取締役 兼 最高技術責任者（CTO）　高超（ガオ・チャオ）

    職歴
    2014年7月入社～2020年11月 研究開発センター長、取締役兼研究開発センター長 歴任
    2020年11月 取締役 兼 CTO（現任）
    2025年2月 当社 業務執行取締役（現任）

  • 非業務執行取締役　邱宇峰（チウ・ユーフォン）

    職歴
    1994年6月 中国電力科学研究院 電力系統研究所 継電保護室長・副所長
    1999年11月 同院 送配電・省エネ技術国家工程研究中心 常務副所長
    2006年12月 中国電力科学研究院 副院長
    2012年2月 全球能源互聯網研究院有限公司 副院長、院長、顧問 歴任
    2022年4月 博測瑞創半導体科技（蘇州）有限公司 取締役会長兼社長（現任）
    2024年2月 当社 取締役
    2025年2月 当社 非業務執行取締役（現任）

  • 非業務執行取締役　李婉越（リー・ワンユエ）

    職歴
    1994年7月 北京新型建築材料総工場 勤務
    1999年10月~2022年12月 北新建材（集団）有限公司 財務部会計、財務部経理 歴任
    2022年12月 中建材連合投資有限公司 総会計師（現任）
    2023年7月 中建材私募基金管理（北京）有限公司 財務責任者（現任）
    2025年2月 当社 取締役 就任、非業務執行取締役（現任）

  • 独立非業務執行取締役　李洪輝（リー・ホンフェイ）

    職歴
    2014年8月迄 中華人民共和国財政部 投資審査センター副センター長
    2014年8月 中国信達資産管理股份有限公司（香港上場） 取締役
    2019年11月迄 中海外科技開発有限公司 取締役会長
    2023年6月 中潤輝銘（海南）投資有限公司 執行取締役・社長兼最高財務責任者
    2023年10月 華大卓越（北京）投資管理有限公司 取締役会長・社長兼最高財務責任者（現任）
    2024年2月 当社 独立役員
    2025年2月 当社 独立非業務執行取締役（現任）

  • 独立非業務執行取締役　劉華（リウ・ファ）

    職歴
    1992年7月 山東三聯集団有限責任公司 勤務
    2002年7月 山東康橋法律事務所 弁護士
    2007年2月 北京天馳君泰法律事務所 弁護士
    2008年8月 山東森信法律事務所 パートナー弁護士
    2019年11月 北京天馳君泰（済南）法律事務所 パートナー弁護士（現任）
    2024年2月 当社 独立取締役
    2025年2月 当社 独立非業務執行取締役（現任）

  • 独立非業務執行取締役　ライ・クォック・ハン・アレックス（黎国鴻）

    職歴
    1989年7月 デロイト トウシュ トーマツ スタッフ会計士、上級会計士、マネージャー
    1997年4月 アジア・コマーシャル・ホールディングス（香港上場） 会社秘書兼財務管理責任者
    2007年1月 ITCプロパティーズグループ等 財務管理責任者、最高財務責任者兼会社秘書
    2013年8月 ジェミニ・インベストメンツ（香港上場） 執行取締役
    2020年12月 ジェミニ・インベストメンツ（香港上場） 執行取締役兼最高経営責任者（現任）
    2025年2月 当社 独立役員 就任、独立非業務執行取締役（現任）

  • 従業員代表取締役　王俊国（ワン・ジュングオ）

    職歴
    2016年8月 当社前身 山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司 財務部長
    2020年11月 当社 財務部長、財務業務パートナー
    2024年8月 当社 証券事務代表
    2025年6月 当社 共同会社秘書
    2025年7月 当社 業務執行取締役
    2025年10月 当社 従業員代表取締役（現任）
監査役

  • 張红岩女士

    張红岩女士，38歳、修士課程修了。2020年11月7日に監査役兼監査役会議長に就任。
    技術エンジニアリング分野に豊富な経験を有する。2012年4月～2020年11月、当社前身の山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司にて品質部技術員、技術センター主管、営業技術サポート及び品質部経理を歴任。2020年11月より当社品質部責任者及び監査役を務める。

  • 宋建先生

    宋建先生，38歳。2020年11月7日に監査役に就任。
    炭化ケイ素研究開発分野に豊富な経験を有する。2011年8月～2020年11月、当社前身の山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司にて炭化ケイ素事業部技術員・責任者、技術センター主管及び設備動力部経理を歴任。2020年11月より当社エンジニアリング部責任者及び監査役を務める。

  • 窦文涛先生

    窦文涛先生，42歳。2024年8月22日に監査役に就任。
    プロジェクト管理及び企業統治分野に豊富な経験を有する。2010年10月～2020年11月、当社前身の山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司にてプロジェクトマネージャー、営業部経理、業務執行取締役（代行）及び会長補佐を歴任。2020年11月より当社会長補佐を務める。
上級管理職

  • 取締役会秘書　鐘文慶（ジョン・ウェンチン）

    職歴
    1998年1月 ゼネラルミルズ（中国）投資、ゼロックス中国 財務・マーケティング部長
    2003年12月 シーメンス産業ソフトウェア（上海） 財務分析上級マネージャー
    2005年6月 ボルボ建機（中国） 中国地域最高財務責任者
    2011年1月 ノーマック国際有限公司 総裁
    2018年12月 当グループ入社、最高財務責任者、取締役 歴任
    2022年8月 当社 取締役会秘書（現任）

  • 最高財務責任者（CFO）　游櫻（ヨウ・イン）

    職歴
    1998年7月 山東乾聚有限責任会計士事務所 監査マネージャー
    2004年12月 上汽通用東岳汽車有限公司 上級財務マネージャー
    2024年4月 当グループ入社、上海太阳成集团tyc33455cc 財務部長
    2024年9月 当社 最高財務責任者（現任）
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はたらく社員の全てに充実した待遇とキャリア形成の機会が等しく提供されること
(equal opportunity)を通して、株主様の利益を最大化できる企業であり続けます。
私たちは、より良い未来社会の一翼を担う会社であることを目指します。', 'seo_title' => '', 'seo_keyword' => '', 'seo_description' => '', 'sort' => 1, 'listsize' => 12, 'created_at' => '1641609945', 'updated_at' => '1642755251', 'background_image' => '/upload/image/viEdey6Vd6ICLLZspEUTSPGVw6jvYWWG9m0mkTt3.jpeg', 'href' => '/japan/qysm.html', 'title' => '企業使命'), array('id' => 39, 'name' => '投資者関係', 'lan' => 'japan', 'en_name' => 'tzzgx1', 'path' => ',31,', 'p_id' => 31, 'type' => 'article', 'flag' => 'article', 'status' => 'open', 'list_template' => 'contact', 'detail_template' => 'contact', 'cover_template' => '', 'detail_title' => '', 'thumbnail' => '', 'summary' => 'Invetors', 'detail_content' => '

製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
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投資者関係

担当：株主総会事務所
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Fax：＋86-531-85978212
E-Mail：dmo@sicc.cc
住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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半絶縁型SiCウェーハは、ワイドギャップ半導体材料であり且つ高周波動作に対応することが出来る材料です
主に5G基地局の高周波デバイスむけにGaN-HEMT on SiCの下地基板として採用され、広く世に実装されています
最近ではARグラスでの開発が進んでおり市場拡大が期待されています
直径100／150／200／300mmを量産しています

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

> お問い合せ

基本仕様

半絶縁型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 100 & 150
  • オフ角（°） 0
  • 厚み（μm） 500
  • 表面 Epi-ready
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経営理念
キーワード：品質的 先進的 持続的
品質的
お客様からの信頼の基本は、高品質であることと考え
品質の向上と安定を通して、企業価値の最大化を目指します
先進的
全てに先進的で最先端を志向し
最先端の開発体制、生産体制、マネージメント体制を通して、最先端の製品を実現します
持続的
持続的であることを価値観とし
すべてのステークスホルダーと持続的関係にあり続けることを目指します。
ビジョン
半導体材料のグローバルカンパニー
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未来の半導体を支える材料

単結晶SiCはこれまでの半導体材料と比べて、物性が大変優れたより高性能で高効率な新材料です。
高強度で耐熱性に優れ、熱伝導性が高いなどさまざまな特長を持っているため、
次世代の半導体材料として大いに期待されています。

SiCってどんな材料？

Si(シリコン) +C(カーボン)
SiC(シリコンカーバイド・炭化ケイ素)は、Si(シリコン):50at%とC(カーボン):50at%との組成を有する
Ⅳ-Ⅳ族の化合物半導体で、ダイヤモンドに次ぐとても硬度の高い材料です。

SiCの特徴は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはSiとCの原子間距離が短く(0.189)、結合エネルギーが高い(≠4.5eV)ため、以下の優れた特徴を持っています。
広い禁制帯幅（ワイドバンドギャップ）1
高い絶縁破壊電界強度2
高い熱伝導率（熱的安定性）3
電子飽和ドリフト速度（高スイッチング速度）4
4H-SiC Si GaAs GaN
禁制帯幅（eV）1 3.26 1.12 1.42 3.42
絶縁破壊電界強度（MV/cm）2 2.8 0.3 0.4 3
熱伝導率（W/cmK）3 4.9 1.5 0.46 1.3
電子飽和ドリフト速度（1E7 cm/s）4 2.7 1 2 2.7
1.バンドギャップ(禁制帯幅)の値が大きいことによって、より高い電圧、温度、周波数での動作が可能となります。

2.絶縁破壊電界強度とは、絶縁体に電界を加えたときに絶縁破壊をおこし絶縁体としての機能を失う限界値で、
値が大きいほど物質が壊れにくくなります。

3.高い熱伝導率によって放熱効果があり、熱的安定性に優れています。

4.飽和ドリフト速度とは、高い電界での電荷キャリアの最大速度をさします。
SiCはSiの約2倍の飽和ドリフト速度を有しているので、デバイスの高速スイッチング特性を得ることが期待できます。

SiCの半導体としての可能性は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはその高い熱的安定性と広いワイドバンドギャップで、
高温条件下での動作を求められるデバイスに適しています。


電力用パワーデバイス

電力用パワーデバイスとは、電気自動車(EV)や鉄道・産業機器、太陽光発電等のインバータ／コンバータに使われる半導体で、
電気自動車へ進む社会で大きな需要拡大が見込まれています。
現在のパワーデバイスはSi(シリコン)を用いることがほとんどです。SiCは、Siと比べると約10倍の絶縁破壊電界強度があり、
Siと比べて大幅にエネルギー効率の良い高性能なパワーデバイスの製作が可能です。
SiCのパワーデバイスへの採用はまだまだ少数ですが、Siの理論限界をゆうに超える可能性を持つSiCの高性能パワーデバイスが
様々な製品に搭載されるようになれば、社会に莫大な省電力化を実現できる、と言って良いと思います。

高周波(RF)デバイス

高周波(RF)デバイスとは、無線通信や光通信を支える半導体で、IoTやAlなど情報化社会のインフラに欠かせない半導体です。
携帯電話基地局のキーデバイスとして送信用増幅器があります。現在(2020年)整備が進められている第5世代基地局(5G基地局)の
送信用増幅器では、GaN-HEMT(窒化ガリウムHEMT)という高周波デバイスが規格化され搭載されております。
SiCは、このGaN-HEMT基板を生産する上での重要な下地基板として採用されており、これをGaN on SiC基板といいます。
5G(GaN-HEMT)を支える材料として、すでに広く社会に実装されています。
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私たちSICCのロゴタイプは、分節された「SIC」と「C」で構成されています。
私たちが単結晶炭化ケイ素ウェーハの専業ベンダーであることの象徴を意図して、
単結晶炭化ケイ素(SiCウェーハ)のSIC、CorporateのCとして意味づけています。

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単結晶SiCウェーハ製造方法

SICCではSiCパウダー合成から結晶成長、Waferingの一貫生産ラインを保有し、
エピレディの単結晶SiCウェーハを生産しています。

炭化ケイ素単結晶（SiC）は地球上において天然には存在しない物質なので、すべて人工的に製造されます。
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術でSiC単結晶を生産しています。
結晶成長中は2000度を超えるプロセスとなるので、成長途中の観察が困難なため、複雑なパラメーターと計算技術をもって
生産を管理しており、近年ではAI技術を導入するなど、最先端の成長技術に取り組んでいます。

昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、
単結晶SiCウェーハとなります。
完成した単結晶SiCウェーハは、エピタキシャル工程へ進み半導体デバイス製作のプロセスに入っていきますが、
これをエピレディウェーハといいます。

1.

パウダー合成

Si+C=SiCパウダー
SiとCを1:1の割合で合成し、SiCパウダーを製造します。
結晶成長における不純物混入を避けるため、
高純度プロセスで金属残留を出来るだけ防ぎます(0.5ppm以内)。
2.

種結晶

SiCパウダーをSiCの種結晶表面に蒸着させ、薄膜を形成しながら
インゴットを生成します。
3.

結晶成長

昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術で
単結晶SiCのインゴットを生産しています。
4.

スライス

昇華法でできたインゴットをスライスし、SiCウェーハの素地を作成。
5.

研削研磨

MP·CMP
スライスされたSiCウェーハ素地を化学機械研磨
(CMP=Chemical Mechanical Polish)で鏡面加工します。
6.

洗浄・検査

加工が終わったSiCウェーハを洗浄で清浄度を確認し、
その後厳しい検査を経てお客様の元に出荷します。（エピレディ基板）
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2021
上海・科創板市場 株式上場 認可
上海・新工場建設開始
2020
政府からユニコーン企業認定を得る
日本法人 SICC GLOBAL 設立
日本市場への体制拡充とグローバル市場拠点として再定義しSICC JAPANから変更）
2019
政府から最高レベルの技術大賞を受賞
2018
6インチ大口径プロセス技術確立
6インチ量産開始
日本法人SICC JAPAN設立
2017
本社工場の生産能力拡大投資
2015
本社新工場が竣工 生産能力拡充
2014
4インチプロセス技術で地方政府から最高賞を受賞
2013
4インチ大口径化プロセス技術確立
4インチ量産開始
2010
代表者より創立 資本金RMB6000万
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ご挨拶


SICC GLOBALは、2018年設立のSICC JAPANを前身とするSICC（山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司）の日本法人で、日本市場への長期的なコミットメントの一環として2020年に設立された企業でございます。

私たちは日本の商習慣を踏まえた細やかさと、お客様へのダイレクトで迅速な対応を大切に、SICCの販売窓口・技術サービスセンターとして活動しております。

SICCは設立10年の節目に上海市場での株式上場を果たし、これから垂直的な成長を実現して参ります。日本法人SICC GLOBALはこれまで以上に日本のお客様の側に立って考え、お客様の生産性向上の一助となれるよう努力して参る所存です。

SICCが日本の皆様の愛される存在であることが出来るよう努めて参りますので、今後ともご指導ご鞭撻頂けますよう、どうぞ宜しくお願い致します。


会社概要

商号 ＳＩＣＣ ＧＬＯＢＡＬ 株式会社
(英文名 SICC GLOBAL CO.,LTD)
代表者 代表取締役 上山恭弘
資本金  11億円
設立 2020年6月8日
事業 SICC CO.,LTD 日本市場サービスセンター
SICC CO.,LTD 社製 単結晶炭化ケイ素基板(SiC) 販売
所在地 541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
株主 山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司(100%)

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私たちSICC （山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司・中国山東省济南市）は２０１０年に単結晶炭化ケイ素基板（SiCウェーハ）メーカーとして設立されました。

２０２２年現在では導電型（N-Type）、半絶縁型（Semi-insulating）ともに６インチ基板一貫生産の量産体制を構えています。更なる生産体制の拡充と、大口径化など品質向上の開発を進めており、２０２２年には本社工場に加えて、上海新工場が完成致します。

創業から、第一に品質を重視し、全てに最先端を志向することを通して、未来にコミットメントすることが出来る持続的な企業体を経営理念として事業を展開して参りました。

２０２１年創業１０年を経て、SiCウェーハのグローバルエコシステムにおいて一定の立場を確立し、半絶縁型SiCウェーハ市場（２０２０FY）ではグローバルTOP３のシェアを得ることが出来ました。さらに２０２１年には上海・科創板市場（STAR MARKET）において株式上場を実現し、更なる事業拡大の新たなステージに進むことになりました。

次の１０年も、品質基軸と最先端、持続的という経営理念を通して、より競争力のある製品開発を実現し、豊かな未来を結晶化＝具現化させる企業を目指して引き続き尽力して参ります。

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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
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4H N型 SiCウェーハは、導電型の単結晶炭化ケイ素基板です
主にパワ-デバイスむけにホモエピタキシ-用基板として使用されており、転移欠陥の改善や高い清浄度、高精度の加工技術を日々追求しています
直径150/200mmを量産しており、300mmのサンプル出荷を開始しています

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

＞ お問い合せ

基本仕様

N型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 150
  • オフ角（°） 4
  • 厚み（μm） 350
  • 表面 Epi-ready
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役員・組織
Directors, Supervisors and Senior Management
取締役会

  • 取締役会長 兼 代表取締役社長　宗艶民（ゾン・イエンミン）

    職歴
    2002年10月 済南天業機械工程有限公司 設立、取締役会長兼社長
    2010年11月 山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司（当社前身）設立、取締役会長・業務執行取締役兼社長
    2020年11月 当社 取締役会長 兼 社長（現任）
    2025年2月 当社 業務執行取締役（現任）

  • 業務執行取締役 兼 最高技術責任者（CTO）　高超（ガオ・チャオ）

    職歴
    2014年7月入社～2020年11月 研究開発センター長、取締役兼研究開発センター長 歴任
    2020年11月 取締役 兼 CTO（現任）
    2025年2月 当社 業務執行取締役（現任）

  • 非業務執行取締役　邱宇峰（チウ・ユーフォン）

    職歴
    1994年6月 中国電力科学研究院 電力系統研究所 継電保護室長・副所長
    1999年11月 同院 送配電・省エネ技術国家工程研究中心 常務副所長
    2006年12月 中国電力科学研究院 副院長
    2012年2月 全球能源互聯網研究院有限公司 副院長、院長、顧問 歴任
    2022年4月 博測瑞創半導体科技（蘇州）有限公司 取締役会長兼社長（現任）
    2024年2月 当社 取締役
    2025年2月 当社 非業務執行取締役（現任）

  • 非業務執行取締役　李婉越（リー・ワンユエ）

    職歴
    1994年7月 北京新型建築材料総工場 勤務
    1999年10月~2022年12月 北新建材（集団）有限公司 財務部会計、財務部経理 歴任
    2022年12月 中建材連合投資有限公司 総会計師（現任）
    2023年7月 中建材私募基金管理（北京）有限公司 財務責任者（現任）
    2025年2月 当社 取締役 就任、非業務執行取締役（現任）

  • 独立非業務執行取締役　李洪輝（リー・ホンフェイ）

    職歴
    2014年8月迄 中華人民共和国財政部 投資審査センター副センター長
    2014年8月 中国信達資産管理股份有限公司（香港上場） 取締役
    2019年11月迄 中海外科技開発有限公司 取締役会長
    2023年6月 中潤輝銘（海南）投資有限公司 執行取締役・社長兼最高財務責任者
    2023年10月 華大卓越（北京）投資管理有限公司 取締役会長・社長兼最高財務責任者（現任）
    2024年2月 当社 独立役員
    2025年2月 当社 独立非業務執行取締役（現任）

  • 独立非業務執行取締役　劉華（リウ・ファ）

    職歴
    1992年7月 山東三聯集団有限責任公司 勤務
    2002年7月 山東康橋法律事務所 弁護士
    2007年2月 北京天馳君泰法律事務所 弁護士
    2008年8月 山東森信法律事務所 パートナー弁護士
    2019年11月 北京天馳君泰（済南）法律事務所 パートナー弁護士（現任）
    2024年2月 当社 独立取締役
    2025年2月 当社 独立非業務執行取締役（現任）

  • 独立非業務執行取締役　ライ・クォック・ハン・アレックス（黎国鴻）

    職歴
    1989年7月 デロイト トウシュ トーマツ スタッフ会計士、上級会計士、マネージャー
    1997年4月 アジア・コマーシャル・ホールディングス（香港上場） 会社秘書兼財務管理責任者
    2007年1月 ITCプロパティーズグループ等 財務管理責任者、最高財務責任者兼会社秘書
    2013年8月 ジェミニ・インベストメンツ（香港上場） 執行取締役
    2020年12月 ジェミニ・インベストメンツ（香港上場） 執行取締役兼最高経営責任者（現任）
    2025年2月 当社 独立役員 就任、独立非業務執行取締役（現任）

  • 従業員代表取締役　王俊国（ワン・ジュングオ）

    職歴
    2016年8月 当社前身 山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司 財務部長
    2020年11月 当社 財務部長、財務業務パートナー
    2024年8月 当社 証券事務代表
    2025年6月 当社 共同会社秘書
    2025年7月 当社 業務執行取締役
    2025年10月 当社 従業員代表取締役（現任）
監査役

  • 張红岩女士

    張红岩女士，38歳、修士課程修了。2020年11月7日に監査役兼監査役会議長に就任。
    技術エンジニアリング分野に豊富な経験を有する。2012年4月～2020年11月、当社前身の山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司にて品質部技術員、技術センター主管、営業技術サポート及び品質部経理を歴任。2020年11月より当社品質部責任者及び監査役を務める。

  • 宋建先生

    宋建先生，38歳。2020年11月7日に監査役に就任。
    炭化ケイ素研究開発分野に豊富な経験を有する。2011年8月～2020年11月、当社前身の山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司にて炭化ケイ素事業部技術員・責任者、技術センター主管及び設備動力部経理を歴任。2020年11月より当社エンジニアリング部責任者及び監査役を務める。

  • 窦文涛先生

    窦文涛先生，42歳。2024年8月22日に監査役に就任。
    プロジェクト管理及び企業統治分野に豊富な経験を有する。2010年10月～2020年11月、当社前身の山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司にてプロジェクトマネージャー、営業部経理、業務執行取締役（代行）及び会長補佐を歴任。2020年11月より当社会長補佐を務める。
上級管理職

  • 取締役会秘書　鐘文慶（ジョン・ウェンチン）

    職歴
    1998年1月 ゼネラルミルズ（中国）投資、ゼロックス中国 財務・マーケティング部長
    2003年12月 シーメンス産業ソフトウェア（上海） 財務分析上級マネージャー
    2005年6月 ボルボ建機（中国） 中国地域最高財務責任者
    2011年1月 ノーマック国際有限公司 総裁
    2018年12月 当グループ入社、最高財務責任者、取締役 歴任
    2022年8月 当社 取締役会秘書（現任）

  • 最高財務責任者（CFO）　游櫻（ヨウ・イン）

    職歴
    1998年7月 山東乾聚有限責任会計士事務所 監査マネージャー
    2004年12月 上汽通用東岳汽車有限公司 上級財務マネージャー
    2024年4月 当グループ入社、上海太阳成集团tyc33455cc 財務部長
    2024年9月 当社 最高財務責任者（現任）
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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F

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投資者関係

担当：株主総会事務所
Tel：＋86-531-69900616（中国語のみ）
Fax：＋86-531-85978212
E-Mail：dmo@sicc.cc
住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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半絶縁型SiCウェーハは、ワイドギャップ半導体材料であり且つ高周波動作に対応することが出来る材料です
主に5G基地局の高周波デバイスむけにGaN-HEMT on SiCの下地基板として採用され、広く世に実装されています
最近ではARグラスでの開発が進んでおり市場拡大が期待されています
直径100／150／200／300mmを量産しています

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

> お問い合せ

基本仕様

半絶縁型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 100 & 150
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  • 厚み（μm） 500
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経営理念
キーワード：品質的 先進的 持続的
品質的
お客様からの信頼の基本は、高品質であることと考え
品質の向上と安定を通して、企業価値の最大化を目指します
先進的
全てに先進的で最先端を志向し
最先端の開発体制、生産体制、マネージメント体制を通して、最先端の製品を実現します
持続的
持続的であることを価値観とし
すべてのステークスホルダーと持続的関係にあり続けることを目指します。
ビジョン
半導体材料のグローバルカンパニー
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未来の半導体を支える材料

単結晶SiCはこれまでの半導体材料と比べて、物性が大変優れたより高性能で高効率な新材料です。
高強度で耐熱性に優れ、熱伝導性が高いなどさまざまな特長を持っているため、
次世代の半導体材料として大いに期待されています。

SiCってどんな材料？

Si(シリコン) +C(カーボン)
SiC(シリコンカーバイド・炭化ケイ素)は、Si(シリコン):50at%とC(カーボン):50at%との組成を有する
Ⅳ-Ⅳ族の化合物半導体で、ダイヤモンドに次ぐとても硬度の高い材料です。

SiCの特徴は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはSiとCの原子間距離が短く(0.189)、結合エネルギーが高い(≠4.5eV)ため、以下の優れた特徴を持っています。
広い禁制帯幅（ワイドバンドギャップ）1
高い絶縁破壊電界強度2
高い熱伝導率（熱的安定性）3
電子飽和ドリフト速度（高スイッチング速度）4
4H-SiC Si GaAs GaN
禁制帯幅（eV）1 3.26 1.12 1.42 3.42
絶縁破壊電界強度（MV/cm）2 2.8 0.3 0.4 3
熱伝導率（W/cmK）3 4.9 1.5 0.46 1.3
電子飽和ドリフト速度（1E7 cm/s）4 2.7 1 2 2.7
1.バンドギャップ(禁制帯幅)の値が大きいことによって、より高い電圧、温度、周波数での動作が可能となります。

2.絶縁破壊電界強度とは、絶縁体に電界を加えたときに絶縁破壊をおこし絶縁体としての機能を失う限界値で、
値が大きいほど物質が壊れにくくなります。

3.高い熱伝導率によって放熱効果があり、熱的安定性に優れています。

4.飽和ドリフト速度とは、高い電界での電荷キャリアの最大速度をさします。
SiCはSiの約2倍の飽和ドリフト速度を有しているので、デバイスの高速スイッチング特性を得ることが期待できます。

SiCの半導体としての可能性は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはその高い熱的安定性と広いワイドバンドギャップで、
高温条件下での動作を求められるデバイスに適しています。


電力用パワーデバイス

電力用パワーデバイスとは、電気自動車(EV)や鉄道・産業機器、太陽光発電等のインバータ／コンバータに使われる半導体で、
電気自動車へ進む社会で大きな需要拡大が見込まれています。
現在のパワーデバイスはSi(シリコン)を用いることがほとんどです。SiCは、Siと比べると約10倍の絶縁破壊電界強度があり、
Siと比べて大幅にエネルギー効率の良い高性能なパワーデバイスの製作が可能です。
SiCのパワーデバイスへの採用はまだまだ少数ですが、Siの理論限界をゆうに超える可能性を持つSiCの高性能パワーデバイスが
様々な製品に搭載されるようになれば、社会に莫大な省電力化を実現できる、と言って良いと思います。

高周波(RF)デバイス

高周波(RF)デバイスとは、無線通信や光通信を支える半導体で、IoTやAlなど情報化社会のインフラに欠かせない半導体です。
携帯電話基地局のキーデバイスとして送信用増幅器があります。現在(2020年)整備が進められている第5世代基地局(5G基地局)の
送信用増幅器では、GaN-HEMT(窒化ガリウムHEMT)という高周波デバイスが規格化され搭載されております。
SiCは、このGaN-HEMT基板を生産する上での重要な下地基板として採用されており、これをGaN on SiC基板といいます。
5G(GaN-HEMT)を支える材料として、すでに広く社会に実装されています。
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私たちSICCのロゴタイプは、分節された「SIC」と「C」で構成されています。
私たちが単結晶炭化ケイ素ウェーハの専業ベンダーであることの象徴を意図して、
単結晶炭化ケイ素(SiCウェーハ)のSIC、CorporateのCとして意味づけています。

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単結晶SiCウェーハ製造方法

SICCではSiCパウダー合成から結晶成長、Waferingの一貫生産ラインを保有し、
エピレディの単結晶SiCウェーハを生産しています。

炭化ケイ素単結晶（SiC）は地球上において天然には存在しない物質なので、すべて人工的に製造されます。
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術でSiC単結晶を生産しています。
結晶成長中は2000度を超えるプロセスとなるので、成長途中の観察が困難なため、複雑なパラメーターと計算技術をもって
生産を管理しており、近年ではAI技術を導入するなど、最先端の成長技術に取り組んでいます。

昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、
単結晶SiCウェーハとなります。
完成した単結晶SiCウェーハは、エピタキシャル工程へ進み半導体デバイス製作のプロセスに入っていきますが、
これをエピレディウェーハといいます。

1.

パウダー合成

Si+C=SiCパウダー
SiとCを1:1の割合で合成し、SiCパウダーを製造します。
結晶成長における不純物混入を避けるため、
高純度プロセスで金属残留を出来るだけ防ぎます(0.5ppm以内)。
2.

種結晶

SiCパウダーをSiCの種結晶表面に蒸着させ、薄膜を形成しながら
インゴットを生成します。
3.

結晶成長

昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術で
単結晶SiCのインゴットを生産しています。
4.

スライス

昇華法でできたインゴットをスライスし、SiCウェーハの素地を作成。
5.

研削研磨

MP·CMP
スライスされたSiCウェーハ素地を化学機械研磨
(CMP=Chemical Mechanical Polish)で鏡面加工します。
6.

洗浄・検査

加工が終わったSiCウェーハを洗浄で清浄度を確認し、
その後厳しい検査を経てお客様の元に出荷します。（エピレディ基板）
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2021
上海・科創板市場 株式上場 認可
上海・新工場建設開始
2020
政府からユニコーン企業認定を得る
日本法人 SICC GLOBAL 設立
日本市場への体制拡充とグローバル市場拠点として再定義しSICC JAPANから変更）
2019
政府から最高レベルの技術大賞を受賞
2018
6インチ大口径プロセス技術確立
6インチ量産開始
日本法人SICC JAPAN設立
2017
本社工場の生産能力拡大投資
2015
本社新工場が竣工 生産能力拡充
2014
4インチプロセス技術で地方政府から最高賞を受賞
2013
4インチ大口径化プロセス技術確立
4インチ量産開始
2010
代表者より創立 資本金RMB6000万
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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F

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投資者関係

担当：株主総会事務所
Tel：＋86-531-69900616（中国語のみ）
Fax：＋86-531-85978212
E-Mail：dmo@sicc.cc
住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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ご挨拶


SICC GLOBALは、2018年設立のSICC JAPANを前身とするSICC（山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司）の日本法人で、日本市場への長期的なコミットメントの一環として2020年に設立された企業でございます。

私たちは日本の商習慣を踏まえた細やかさと、お客様へのダイレクトで迅速な対応を大切に、SICCの販売窓口・技術サービスセンターとして活動しております。

SICCは設立10年の節目に上海市場での株式上場を果たし、これから垂直的な成長を実現して参ります。日本法人SICC GLOBALはこれまで以上に日本のお客様の側に立って考え、お客様の生産性向上の一助となれるよう努力して参る所存です。

SICCが日本の皆様の愛される存在であることが出来るよう努めて参りますので、今後ともご指導ご鞭撻頂けますよう、どうぞ宜しくお願い致します。


会社概要

商号 ＳＩＣＣ ＧＬＯＢＡＬ 株式会社
(英文名 SICC GLOBAL CO.,LTD)
代表者 代表取締役 上山恭弘
資本金  11億円
設立 2020年6月8日
事業 SICC CO.,LTD 日本市場サービスセンター
SICC CO.,LTD 社製 単結晶炭化ケイ素基板(SiC) 販売
所在地 541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
株主 山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司(100%)

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私たちSICC （山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司・中国山東省济南市）は２０１０年に単結晶炭化ケイ素基板（SiCウェーハ）メーカーとして設立されました。

２０２２年現在では導電型（N-Type）、半絶縁型（Semi-insulating）ともに６インチ基板一貫生産の量産体制を構えています。更なる生産体制の拡充と、大口径化など品質向上の開発を進めており、２０２２年には本社工場に加えて、上海新工場が完成致します。

創業から、第一に品質を重視し、全てに最先端を志向することを通して、未来にコミットメントすることが出来る持続的な企業体を経営理念として事業を展開して参りました。

２０２１年創業１０年を経て、SiCウェーハのグローバルエコシステムにおいて一定の立場を確立し、半絶縁型SiCウェーハ市場（２０２０FY）ではグローバルTOP３のシェアを得ることが出来ました。さらに２０２１年には上海・科創板市場（STAR MARKET）において株式上場を実現し、更なる事業拡大の新たなステージに進むことになりました。

次の１０年も、品質基軸と最先端、持続的という経営理念を通して、より競争力のある製品開発を実現し、豊かな未来を結晶化＝具現化させる企業を目指して引き続き尽力して参ります。

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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
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4H N型 SiCウェーハは、導電型の単結晶炭化ケイ素基板です
主にパワ-デバイスむけにホモエピタキシ-用基板として使用されており、転移欠陥の改善や高い清浄度、高精度の加工技術を日々追求しています
直径150/200mmを量産しており、300mmのサンプル出荷を開始しています

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

＞ お問い合せ

基本仕様

N型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 150
  • オフ角（°） 4
  • 厚み（μm） 350
  • 表面 Epi-ready
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役員・組織
Directors, Supervisors and Senior Management
取締役会

  • 取締役会長 兼 代表取締役社長　宗艶民（ゾン・イエンミン）

    職歴
    2002年10月 済南天業機械工程有限公司 設立、取締役会長兼社長
    2010年11月 山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司（当社前身）設立、取締役会長・業務執行取締役兼社長
    2020年11月 当社 取締役会長 兼 社長（現任）
    2025年2月 当社 業務執行取締役（現任）

  • 業務執行取締役 兼 最高技術責任者（CTO）　高超（ガオ・チャオ）

    職歴
    2014年7月入社～2020年11月 研究開発センター長、取締役兼研究開発センター長 歴任
    2020年11月 取締役 兼 CTO（現任）
    2025年2月 当社 業務執行取締役（現任）

  • 非業務執行取締役　邱宇峰（チウ・ユーフォン）

    職歴
    1994年6月 中国電力科学研究院 電力系統研究所 継電保護室長・副所長
    1999年11月 同院 送配電・省エネ技術国家工程研究中心 常務副所長
    2006年12月 中国電力科学研究院 副院長
    2012年2月 全球能源互聯網研究院有限公司 副院長、院長、顧問 歴任
    2022年4月 博測瑞創半導体科技（蘇州）有限公司 取締役会長兼社長（現任）
    2024年2月 当社 取締役
    2025年2月 当社 非業務執行取締役（現任）

  • 非業務執行取締役　李婉越（リー・ワンユエ）

    職歴
    1994年7月 北京新型建築材料総工場 勤務
    1999年10月~2022年12月 北新建材（集団）有限公司 財務部会計、財務部経理 歴任
    2022年12月 中建材連合投資有限公司 総会計師（現任）
    2023年7月 中建材私募基金管理（北京）有限公司 財務責任者（現任）
    2025年2月 当社 取締役 就任、非業務執行取締役（現任）

  • 独立非業務執行取締役　李洪輝（リー・ホンフェイ）

    職歴
    2014年8月迄 中華人民共和国財政部 投資審査センター副センター長
    2014年8月 中国信達資産管理股份有限公司（香港上場） 取締役
    2019年11月迄 中海外科技開発有限公司 取締役会長
    2023年6月 中潤輝銘（海南）投資有限公司 執行取締役・社長兼最高財務責任者
    2023年10月 華大卓越（北京）投資管理有限公司 取締役会長・社長兼最高財務責任者（現任）
    2024年2月 当社 独立役員
    2025年2月 当社 独立非業務執行取締役（現任）

  • 独立非業務執行取締役　劉華（リウ・ファ）

    職歴
    1992年7月 山東三聯集団有限責任公司 勤務
    2002年7月 山東康橋法律事務所 弁護士
    2007年2月 北京天馳君泰法律事務所 弁護士
    2008年8月 山東森信法律事務所 パートナー弁護士
    2019年11月 北京天馳君泰（済南）法律事務所 パートナー弁護士（現任）
    2024年2月 当社 独立取締役
    2025年2月 当社 独立非業務執行取締役（現任）

  • 独立非業務執行取締役　ライ・クォック・ハン・アレックス（黎国鴻）

    職歴
    1989年7月 デロイト トウシュ トーマツ スタッフ会計士、上級会計士、マネージャー
    1997年4月 アジア・コマーシャル・ホールディングス（香港上場） 会社秘書兼財務管理責任者
    2007年1月 ITCプロパティーズグループ等 財務管理責任者、最高財務責任者兼会社秘書
    2013年8月 ジェミニ・インベストメンツ（香港上場） 執行取締役
    2020年12月 ジェミニ・インベストメンツ（香港上場） 執行取締役兼最高経営責任者（現任）
    2025年2月 当社 独立役員 就任、独立非業務執行取締役（現任）

  • 従業員代表取締役　王俊国（ワン・ジュングオ）

    職歴
    2016年8月 当社前身 山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司 財務部長
    2020年11月 当社 財務部長、財務業務パートナー
    2024年8月 当社 証券事務代表
    2025年6月 当社 共同会社秘書
    2025年7月 当社 業務執行取締役
    2025年10月 当社 従業員代表取締役（現任）
監査役

  • 張红岩女士

    張红岩女士，38歳、修士課程修了。2020年11月7日に監査役兼監査役会議長に就任。
    技術エンジニアリング分野に豊富な経験を有する。2012年4月～2020年11月、当社前身の山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司にて品質部技術員、技術センター主管、営業技術サポート及び品質部経理を歴任。2020年11月より当社品質部責任者及び監査役を務める。

  • 宋建先生

    宋建先生，38歳。2020年11月7日に監査役に就任。
    炭化ケイ素研究開発分野に豊富な経験を有する。2011年8月～2020年11月、当社前身の山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司にて炭化ケイ素事業部技術員・責任者、技術センター主管及び設備動力部経理を歴任。2020年11月より当社エンジニアリング部責任者及び監査役を務める。

  • 窦文涛先生

    窦文涛先生，42歳。2024年8月22日に監査役に就任。
    プロジェクト管理及び企業統治分野に豊富な経験を有する。2010年10月～2020年11月、当社前身の山東太阳成集团tyc33455cc先進材料科技有限公司にてプロジェクトマネージャー、営業部経理、業務執行取締役（代行）及び会長補佐を歴任。2020年11月より当社会長補佐を務める。
上級管理職

  • 取締役会秘書　鐘文慶（ジョン・ウェンチン）

    職歴
    1998年1月 ゼネラルミルズ（中国）投資、ゼロックス中国 財務・マーケティング部長
    2003年12月 シーメンス産業ソフトウェア（上海） 財務分析上級マネージャー
    2005年6月 ボルボ建機（中国） 中国地域最高財務責任者
    2011年1月 ノーマック国際有限公司 総裁
    2018年12月 当グループ入社、最高財務責任者、取締役 歴任
    2022年8月 当社 取締役会秘書（現任）

  • 最高財務責任者（CFO）　游櫻（ヨウ・イン）

    職歴
    1998年7月 山東乾聚有限責任会計士事務所 監査マネージャー
    2004年12月 上汽通用東岳汽車有限公司 上級財務マネージャー
    2024年4月 当グループ入社、上海太阳成集团tyc33455cc 財務部長
    2024年9月 当社 最高財務責任者（現任）
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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F

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投資者関係

担当：株主総会事務所
Tel：＋86-531-69900616（中国語のみ）
Fax：＋86-531-85978212
E-Mail：dmo@sicc.cc
住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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半絶縁型SiCウェーハは、ワイドギャップ半導体材料であり且つ高周波動作に対応することが出来る材料です
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最近ではARグラスでの開発が進んでおり市場拡大が期待されています
直径100／150／200／300mmを量産しています

*製品の詳細については下記よりお問い合せください。

> お問い合せ

基本仕様

半絶縁型
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経営理念
キーワード：品質的 先進的 持続的
品質的
お客様からの信頼の基本は、高品質であることと考え
品質の向上と安定を通して、企業価値の最大化を目指します
先進的
全てに先進的で最先端を志向し
最先端の開発体制、生産体制、マネージメント体制を通して、最先端の製品を実現します
持続的
持続的であることを価値観とし
すべてのステークスホルダーと持続的関係にあり続けることを目指します。
ビジョン
半導体材料のグローバルカンパニー
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未来の半導体を支える材料

単結晶SiCはこれまでの半導体材料と比べて、物性が大変優れたより高性能で高効率な新材料です。
高強度で耐熱性に優れ、熱伝導性が高いなどさまざまな特長を持っているため、
次世代の半導体材料として大いに期待されています。

SiCってどんな材料？

Si(シリコン) +C(カーボン)
SiC(シリコンカーバイド・炭化ケイ素)は、Si(シリコン):50at%とC(カーボン):50at%との組成を有する
Ⅳ-Ⅳ族の化合物半導体で、ダイヤモンドに次ぐとても硬度の高い材料です。

SiCの特徴は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはSiとCの原子間距離が短く(0.189)、結合エネルギーが高い(≠4.5eV)ため、以下の優れた特徴を持っています。
広い禁制帯幅（ワイドバンドギャップ）1
高い絶縁破壊電界強度2
高い熱伝導率（熱的安定性）3
電子飽和ドリフト速度（高スイッチング速度）4
4H-SiC Si GaAs GaN
禁制帯幅（eV）1 3.26 1.12 1.42 3.42
絶縁破壊電界強度（MV/cm）2 2.8 0.3 0.4 3
熱伝導率（W/cmK）3 4.9 1.5 0.46 1.3
電子飽和ドリフト速度（1E7 cm/s）4 2.7 1 2 2.7
1.バンドギャップ(禁制帯幅)の値が大きいことによって、より高い電圧、温度、周波数での動作が可能となります。

2.絶縁破壊電界強度とは、絶縁体に電界を加えたときに絶縁破壊をおこし絶縁体としての機能を失う限界値で、
値が大きいほど物質が壊れにくくなります。

3.高い熱伝導率によって放熱効果があり、熱的安定性に優れています。

4.飽和ドリフト速度とは、高い電界での電荷キャリアの最大速度をさします。
SiCはSiの約2倍の飽和ドリフト速度を有しているので、デバイスの高速スイッチング特性を得ることが期待できます。

SiCの半導体としての可能性は？

優れた特徴を持つ物性
SiCはその高い熱的安定性と広いワイドバンドギャップで、
高温条件下での動作を求められるデバイスに適しています。


電力用パワーデバイス

電力用パワーデバイスとは、電気自動車(EV)や鉄道・産業機器、太陽光発電等のインバータ／コンバータに使われる半導体で、
電気自動車へ進む社会で大きな需要拡大が見込まれています。
現在のパワーデバイスはSi(シリコン)を用いることがほとんどです。SiCは、Siと比べると約10倍の絶縁破壊電界強度があり、
Siと比べて大幅にエネルギー効率の良い高性能なパワーデバイスの製作が可能です。
SiCのパワーデバイスへの採用はまだまだ少数ですが、Siの理論限界をゆうに超える可能性を持つSiCの高性能パワーデバイスが
様々な製品に搭載されるようになれば、社会に莫大な省電力化を実現できる、と言って良いと思います。

高周波(RF)デバイス

高周波(RF)デバイスとは、無線通信や光通信を支える半導体で、IoTやAlなど情報化社会のインフラに欠かせない半導体です。
携帯電話基地局のキーデバイスとして送信用増幅器があります。現在(2020年)整備が進められている第5世代基地局(5G基地局)の
送信用増幅器では、GaN-HEMT(窒化ガリウムHEMT)という高周波デバイスが規格化され搭載されております。
SiCは、このGaN-HEMT基板を生産する上での重要な下地基板として採用されており、これをGaN on SiC基板といいます。
5G(GaN-HEMT)を支える材料として、すでに広く社会に実装されています。
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私たちSICCのロゴタイプは、分節された「SIC」と「C」で構成されています。
私たちが単結晶炭化ケイ素ウェーハの専業ベンダーであることの象徴を意図して、
単結晶炭化ケイ素(SiCウェーハ)のSIC、CorporateのCとして意味づけています。

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単結晶SiCウェーハ製造方法

SICCではSiCパウダー合成から結晶成長、Waferingの一貫生産ラインを保有し、
エピレディの単結晶SiCウェーハを生産しています。

炭化ケイ素単結晶（SiC）は地球上において天然には存在しない物質なので、すべて人工的に製造されます。
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術でSiC単結晶を生産しています。
結晶成長中は2000度を超えるプロセスとなるので、成長途中の観察が困難なため、複雑なパラメーターと計算技術をもって
生産を管理しており、近年ではAI技術を導入するなど、最先端の成長技術に取り組んでいます。

昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、
単結晶SiCウェーハとなります。
完成した単結晶SiCウェーハは、エピタキシャル工程へ進み半導体デバイス製作のプロセスに入っていきますが、
これをエピレディウェーハといいます。

1.

パウダー合成

Si+C=SiCパウダー
SiとCを1:1の割合で合成し、SiCパウダーを製造します。
結晶成長における不純物混入を避けるため、
高純度プロセスで金属残留を出来るだけ防ぎます(0.5ppm以内)。
2.

種結晶

SiCパウダーをSiCの種結晶表面に蒸着させ、薄膜を形成しながら
インゴットを生成します。
3.

結晶成長

昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）
SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術で
単結晶SiCのインゴットを生産しています。
4.

スライス

昇華法でできたインゴットをスライスし、SiCウェーハの素地を作成。
5.

研削研磨

MP·CMP
スライスされたSiCウェーハ素地を化学機械研磨
(CMP=Chemical Mechanical Polish)で鏡面加工します。
6.

洗浄・検査

加工が終わったSiCウェーハを洗浄で清浄度を確認し、
その後厳しい検査を経てお客様の元に出荷します。（エピレディ基板）
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2021
上海・科創板市場 株式上場 認可
上海・新工場建設開始
2020
政府からユニコーン企業認定を得る
日本法人 SICC GLOBAL 設立
日本市場への体制拡充とグローバル市場拠点として再定義しSICC JAPANから変更）
2019
政府から最高レベルの技術大賞を受賞
2018
6インチ大口径プロセス技術確立
6インチ量産開始
日本法人SICC JAPAN設立
2017
本社工場の生産能力拡大投資
2015
本社新工場が竣工 生産能力拡充
2014
4インチプロセス技術で地方政府から最高賞を受賞
2013
4インチ大口径化プロセス技術確立
4インチ量産開始
2010
代表者より創立 資本金RMB6000万
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製品に関するお問合せは、下記連絡先もしくはオンラインフォームにてご連絡ください

SICC  GLOBAL株式会社
E-Mail：info@sicc.cc
TEL： 06-7878-6164
FAX： 06-7632-2831
住所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F

オンラインフォームはこちら


投資者関係

担当：株主総会事務所
Tel：＋86-531-69900616（中国語のみ）
Fax：＋86-531-85978212
E-Mail：dmo@sicc.cc
住所：中国山東省済南市槐荫区太阳成集团tyc33455cc南路99号
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ご挨拶


SICC GLOBALは、2018年設立のSICC JAPANを前身とするSICC（山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司）の日本法人で、日本市場への長期的なコミットメントの一環として2020年に設立された企業でございます。

私たちは日本の商習慣を踏まえた細やかさと、お客様へのダイレクトで迅速な対応を大切に、SICCの販売窓口・技術サービスセンターとして活動しております。

SICCは設立10年の節目に上海市場での株式上場を果たし、これから垂直的な成長を実現して参ります。日本法人SICC GLOBALはこれまで以上に日本のお客様の側に立って考え、お客様の生産性向上の一助となれるよう努力して参る所存です。

SICCが日本の皆様の愛される存在であることが出来るよう努めて参りますので、今後ともご指導ご鞭撻頂けますよう、どうぞ宜しくお願い致します。


会社概要

商号 ＳＩＣＣ ＧＬＯＢＡＬ 株式会社
(英文名 SICC GLOBAL CO.,LTD)
代表者 代表取締役 上山恭弘
資本金  11億円
設立 2020年6月8日
事業 SICC CO.,LTD 日本市場サービスセンター
SICC CO.,LTD 社製 単結晶炭化ケイ素基板(SiC) 販売
所在地 541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
株主 山東太阳成集团tyc33455cc先進科技股份有限公司(100%)

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