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产品信息

4H 导电型

SiC单晶衬底

4H n-type

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导电型碳化硅衬底材料多用于同质外延,制备功率半导体器件,在以电动汽车为代表的新能源以及光伏,风力发电领域广泛应用。目前公司的6&8英寸产品稳定交付全球量产级客户,同时具备12英寸衬底产品的生产能力。

*更加详细的产品信息欢迎咨询营销团队

基本信息

导电型

晶型 4H
直径（mm） 150/200
偏角（°） 4
厚度（μm） 350/500
表面状态 Epi-ready

电力电子器件

通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层，制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件，应用在新能源汽车，轨道交通以及大功率输电变电等领域。

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